polyfet射频器件
功耗射频放大器
功率= 15.0瓦
带宽=
增益= 25.0分贝
30 512兆赫
VDD = 28.0伏特
MDDQ02
50欧姆输入/输出阻抗
描述
该MDDQ02是15瓦， 2级高增益
功放模块覆盖的带宽
30-512兆赫。这种紧凑的模块设计
适合于在一个坚固的军事应用
环境。一个ALC的引脚被设置于
控制模块的输出功率。该
MDDQ02可以用作驱动级供
在MBDQ01模块。
绝对最大额定值（T = 25
o
C)
参数
直流电源电压1
直流电源电压2
AGC电压
输入功率
输出功率
工作情况下的温度。
储存温度
符号
VDD1
VDD2
VAGC
针
噘
Tc
TSTG
价值
32.0
8.00
0.05
20.0
-20至+85
-30到+100
单位
V
V
V
W
W
o
C
o
C
电气特性： （T = 25
o
Zs的= ZL = 50欧姆。 VDD = 28.0伏特）
参数
频带
Outut电源
功率增益
总有效率
第二谐波
互调 - 2音
负载不匹配公差
符号
BW
Po
PG
h
DSO
Ip3
VSWR
民
30
15.0
25.0
15
-20.00
10:1
典型
最大
512
单位
兆赫
瓦
dB
%
dBc的
DBM
相对的
测试条件
50欧姆负载
2.00
安培
IDQ =
@噘=
15.0
瓦
@噘=
15.0
瓦
@噘=
15.0
W.频率=
270
兆赫
频率=
270
兆赫; AvePwr =
W
所有相位角
polyfet射频器件
调整
01/17/2006
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393网址： www.polyfet.com
MDDQ02
28
24
20
16
12
收益
8
4
0
0
2
4
Efficiency@15W=20%
34
33
32
31
6 8 10 12 14 16
销毫瓦
VAGC=8V
12
8
4
0
0
5
10
15
20
销毫瓦
Efficiency@15W=20%
29.0
25
VAGC=8V
收益
MDDQ02 F = 30MHz的VDS = 28V直流
37
36
24
20
16
MDDQ02 F = 250MHz的VDS = 28V直流
31.5
31.0
噘
35
噘
30.5
30.0
29.5
MDDQ02 F = 512MHz VDS = 28V直流
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
31.0
收益
30.5
30.0
噘
29.5
29.0
Efficiency@15W=19%
28.5
10
15
20
销毫瓦
25
VAGC=8V
32
28
24
20
16
12
8
4
0
MDDQ02 F = 30MHz的VDS = 28V直流
收益
32
28
24
20
16
12
8
噘
3.0
3.5
4.0
4.5 5.0
VAGC
5.5
4
0
6.0
Pin=+14dBm
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
MDDQ02 F = 250 MHz的VDS = 28V直流
收益
30
25
20
15
10
MDDQ02 F = 512MHz VDS = 28V直流
20
16
12
8
4
0
噘
收益
30
25
20
15
10
5
噘
5
0
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
VAGC
Pin=+14dBm
0
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Pin=+14dBm
VAGC
polyfet射频器件
修订2006年1月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393网址： www.polyfet.com
polyfet射频器件
功耗射频放大器
功率= 15.0瓦
带宽=
增益= 25.0分贝
30 512兆赫
VDD = 28.0伏特
MDDQ02
50欧姆输入/输出阻抗
描述
该MDDQ02是15瓦， 2级高增益
功放模块覆盖的带宽
30-512兆赫。这种紧凑的模块设计
适合于在一个坚固的军事应用
环境。一个ALC的引脚被设置于
控制模块的输出功率。该
MDDQ02可以用作驱动级供
在MBDQ01模块。
绝对最大额定值（T = 25
o
C)
参数
直流电源电压1
直流电源电压2
AGC电压
输入功率
输出功率
工作情况下的温度。
储存温度
符号
VDD1
VDD2
VAGC
针
噘
Tc
TSTG
价值
32.0
8.00
0.05
20.0
-20至+85
-30到+100
单位
V
V
V
W
W
o
C
o
C
电气特性： （T = 25
o
Zs的= ZL = 50欧姆。 VDD = 28.0伏特）
参数
频带
Outut电源
功率增益
总有效率
第二谐波
互调 - 2音
负载不匹配公差
符号
BW
Po
PG
h
DSO
Ip3
VSWR
民
30
15.0
25.0
15
-20.00
10:1
典型
最大
512
单位
兆赫
瓦
dB
%
dBc的
DBM
相对的
测试条件
50欧姆负载
2.00
安培
IDQ =
@噘=
15.0
瓦
@噘=
15.0
瓦
@噘=
15.0
W.频率=
270
兆赫
频率=
270
兆赫; AvePwr =
W
所有相位角
polyfet射频器件
调整
01/17/2006
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393网址： www.polyfet.com
MDDQ02
28
24
20
16
12
收益
8
4
0
0
2
4
Efficiency@15W=20%
34
33
32
31
6 8 10 12 14 16
销毫瓦
VAGC=8V
12
8
4
0
0
5
10
15
20
销毫瓦
Efficiency@15W=20%
29.0
25
VAGC=8V
收益
MDDQ02 F = 30MHz的VDS = 28V直流
37
36
24
20
16
MDDQ02 F = 250MHz的VDS = 28V直流
31.5
31.0
噘
35
噘
30.5
30.0
29.5
MDDQ02 F = 512MHz VDS = 28V直流
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
5
31.0
收益
30.5
30.0
噘
29.5
29.0
Efficiency@15W=19%
28.5
10
15
20
销毫瓦
25
VAGC=8V
32
28
24
20
16
12
8
4
0
MDDQ02 F = 30MHz的VDS = 28V直流
收益
32
28
24
20
16
12
8
噘
3.0
3.5
4.0
4.5 5.0
VAGC
5.5
4
0
6.0
Pin=+14dBm
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
MDDQ02 F = 250 MHz的VDS = 28V直流
收益
30
25
20
15
10
MDDQ02 F = 512MHz VDS = 28V直流
20
16
12
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4
0
噘
收益
30
25
20
15
10
5
噘
5
0
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
VAGC
Pin=+14dBm
0
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Pin=+14dBm
VAGC
polyfet射频器件
修订2006年1月17日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393网址： www.polyfet.com
QQ：2881677436 复制
