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低电压偏压稳压器与启用
MDC5001T1
SMALLBLOCK
TM
保持稳定的偏置电流在N型离散双极型和
场效应晶体管
提供稳定的偏置用一个简单的组件不使用的发射器
镇流器和旁路组件
工作在电源电压的宽范围降低到1.8伏
降低偏置电流的变化,由于温度和单位对单位
参数变化
消耗<0.5毫瓦V
CC
= 2.75 V
高电平有效使能为CMOS兼容
此设备提供了一个参考电压,并作为直流反馈元素
换货围绕外部分立, NPN BJT或N沟道FET 。它允许
外部晶体管有其发射极/源极直接接地,仍然能操作
吃用稳定的集电极/漏极直流电流。它主要是为了稳定
从低电压稳压电源供电分立RF级的偏置,
但也可以用于稳定任何线性级的偏置电流,以
消除发射极/源极旁路及以上达到更严格的监管偏见
温度和单位的变化。 “启用”极性空内部电流,
启用电流和射频晶体管电流“STANDBY ”。这个装置是IN-
倾向于替代三至六分立元件的电路。
低电源电压,低静态电流消耗,并且组合
小封装使MDC5001T1非常适用于便携式通信AP-
并发症,如:
- 蜂窝电话
- 寻呼机
PCN / PCS便携式电脑
GPS接收器
PCMCIA RF调制解调器
无绳电话
宽带和多频段收发器和其他便携式无线
产品。
内部电路框图
1
2
3
集成电路
6
5
4
SOT-363
CASE 419B -01风格19
MDC5001T–1/10
MDC5001T1
最大额定值
等级
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
结温
集电极发射极电压( Q2 )
开启电压(引脚5 )
热特性
特征
器件总功耗
(FR- 5的PCB 1 ,× 0.75 ,× 0.062 ,,
A
= 25°C)
减免上述25℃
热阻,结到环境
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
推荐工作电源电压
电源电流(V
CC
= 2.75 V)
V
REF
, I
OUT
在未结束
参见图8
Q2集电极发射极击穿电压
(I
C2
= 10
A,
I
B2
= 0)
参考电压(V
ENBL
= V
CC
= 2.75 V, V
OUT
= 0.7 V)
(I
OUT
= 30
A)
(I
OUT
= 150
A)
见图1
参考电压(V
ENBL
= V
-40°C <牛逼
A
<+85°C)
CC
符号
V
CC
T
A
T
英镑
T
J
V
首席执行官
V
ENBL
价值
15
-40至+85
-65到+150
150
–15
V
CC
单位
V
dc
°C
°C
°C
V
V
符号
PD
最大
150
1.2
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
833
1.8
典型值
2.75
130
最大
10
200
单位
mA
V
CC
I
CC
V
(BR)CEO2
V REF
15
2.050
2.110
2.075
2.135
2.100
2.160
= 2.75 V, V
OUT
= 0.7 V,
V
REF
±5.0
±15
±25
±10
±30
±50
mV
V
CC
脉冲宽度= 10毫秒,占空比= 1 %
(I
OUT
= 10
A)
(I
OUT
= 30
A)
(I
OUT
= 100
A)
参见图2和11
MDC5001T–2/10
MDC5001T1
下面的SPICE模型,提供一个方便用户,并尽一切努力一直ADE
以确保其准确性。然而,对于其准确性承担任何责任由安森美半导体。
.MODEL Q4 NPN
BF = 136
BR = 0.2
CJC = 318.6 F
CJE = 569.2 F
CJS = 1.9 P
EG = 1.215
FC = 0.5
IKF = 24.41米
IKR = 0.25
IRB = 0.0004
IS = 256E - 18
ISC = 1μF
ISE = 500E - 18
ITF = 0.9018
MJC = 0.2161
MJE = 0.3373
MJS = 0.13
NC = 1.09
NE = 1.6
NF = 1.005
RB = 140
RBM = 70
RC = 180
RE = 1.6
TF = 553.6 P
TR = 10牛顿
VAF = 267.6
VAR = 12
VJC = 0.4172
VJE = 0.7245
VJS = 0.39
VTF = 10
XTB = 1.5
XTF = 2.077
XTI = 3
.MODEL Q1,Q2 PNP
BF = 87
BR = 0.6
CJC = 800E - 15
CJE = 46E - 15
EG = 1.215
FC = 0.5
IKF = 3.8E -04
IKR = 2.0
IRB = 0.9E - 3
IS = 1.027E - 15
ISC = 10E- 18
ISE = 1.8E - 15
ITF = 2E - 3
MJC = 0.2161
MJE = 0.2161
NC = 0.8
NE = 1.38
NF = 1.015
NK = 0.5
NR = 1.0
RB = 720
RBM = 470
RC = 180
RE = 26
TF = 15E - 9
TR = 50E -09
VAF = 54.93
VAR = 20
VAR = 20
VJC = 0.4172
VJE = 0.4172
VTF = 10
XTB = 1.5
XTF = 2.0
XTI = 3
电阻值
R
1
= 12 K
R
2
= 6 K
R
3
= 3.4 K
R
4
= 12 K
R
5
= 20 K
R
6
= 40 K
这些模型可以检索
电子通过访问开
在半导体网页
http://design-net.sps.mot.com/models
和搜索上的部分
SMALLBLOCKE车型
MDC5001T–3/10
MDC5001T1
典型的开环特性
8
7
6
5
V
REF
( V
dc
)
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CC
,电源电压(V
dc
)
图1. V
REF
与V
CC
@ I
OUT
MDC5001T–4/10
MDC5001T1
典型的开环特性
(通过15参见图10的电路)
50
900
30
I
CC
,电源电流( μAdc )
40
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V
REF
(MA )
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-45 -35
-25
-15
-5
5
15
25
35
45
55
65
75
85
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T
J
,结温( ° C)
图2中。
V
REF
与牛逼
J
@ I
OUT
1000
160
140
120
V
CC
,电源电压(V
dc
)
图3.我
CC
与V
CC
@ T
J
H
FE
, Q2的直流电流增益
500
300
200
I
启用
( μAdc )
100
80
60
40
20
100
50
30
20
10
10
20
30
50
100
200
300
500
1000
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
OUT
,直流输出电流( μAdc )
图4. Q2电流增益与输出电流@ T
J
6.0
V
启用
(V
dc
)
图5.我能与V启用
5.0
4.0
V
REF
( VDC)的
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
启用
(V
dc
)
图6. V REF与V启用@ V CC和我出去
MDC5001T–5/10
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