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通过MDC5000T1 / D
SMALLBLOCK
低电压偏压稳压器
保持稳定的偏置电流在各种离散双极和场
场效应晶体管
提供稳定的偏置用一个简单的组件不使用发射器镇流器
和旁路组件
工作在电源电压的宽范围降低到1.8伏
降低偏置电流的变化，由于温度和单位对单位参数
变化
消耗
MDC5000T1
硅
SMALLBLOCK
集成电路
t
0.5毫瓦VCC = 2.75 V
此设备提供了一个参考电压，并作为直流反馈元件
周围的外部分立， NPN BJT或N沟道FET 。它允许外部
晶体管有其发射极/源极直接接地，仍然具有稳定的工作
集电极/漏极直流电流。其主要目的是，以稳定的离散RF的偏压
级从低电压稳压电源供电，但也可以用于稳定
任何线性级的偏置电流，以消除发射极/源极旁路和
实现更严格的监管偏置温度和单位的变化。该装置是
意取代的三至六个分立元件电路，并且可以在一个
SOT- 143封装。
低电源电压，低静态电流和小的组合
封装使其非常适合于便携式通信应用，如：
移动电话
寻呼机
PCN / PCS便携式电脑
PCMCIA RF调制解调器
无绳电话
宽带收发器和其他便携式无线产品
最大额定值
等级
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
结温
集电极发射极电压（ Q2 ）
符号
VCC
TA
TSTG
TJ
VCEO
价值
15
-40至+85
-65到+150
150
–15
单位
VDC
°C
°C
°C
V
CASE 318A -05式9
SOT–143
内部电路框图
VCC （3）
R1
Q1
R2
Vref的（4）
Q2
R4
GND （1）
IOUT（ 2 ）
R3
热特性
特征
器件总功耗
（FR- 5的PCB 1“的
×
0.75″
×
0.062 “ ， TA = 25°C ）
减免上述25℃
热阻，结到环境
符号
PD
最大
225
1.8
R
θJA
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
器件标识
MDC5000T1 = E5
SMALLBLOCK是摩托罗拉公司的一个商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MDC5000T1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
推荐工作电源电压
电源电流（ VCC = 2.75 V）
VREF ，电流输出为未终结
参见图8
Q2集电极发射极击穿电压
（ IC2 = 10
A,
IB2 = 0）的
参考电压（ VCC = 2.75 V，输出电压= 0.7 V）
（ IOUT = 30
A)
（IOUT = 150
A)
参见图9
参考电压（ VCC = 2.75 V，输出电压= 0.7 V， -40°C
≤
TA
≤
+85°C)
VCC脉冲宽度= 10毫秒，占空比= 1.0 ％
（ IOUT = 10
A)
（ IOUT = 30
A)
（IOUT = 100
A)
参见图9
符号
VCC
ICC
民
1.8
—
典型值
2.75
110
最大
10
200
单位
伏
A
V(BR)CEO2
VREF
–15
伏
伏
2.010
2.075
2.035
2.100
2.060
2.125
D
VREF
±5
±12
±25
±10
±25
±50
mV
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MDC5000T1
典型的开环特性
（参照图8的电路， 10 & 11）
50
40
30
20
V REF （MV ）
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
–45 –35 –25 –15 –5 5 15 25 35 45 55
TJ ，结温（ ° C）
IOUT = 10
m
A
VCC = 2.75伏
IOUT = 30
m
A
IOUT = 500
m
A
IOUT = 100
m
A
65
75
85
图2中。
D
VREF与TJ @电流输出
900
800
ICC ，电源电流（
m
ADC）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
7
VCC ，电源电压（VDC ）
8
9
10
TJ = + 85°C
TJ = + 25°C
TJ = -40°C
^ h FE ，Q2的直流电流增益
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
10
VCE = VOUT - VREF = -1.5伏
20
30
50
100
200 300
电流输出，直流输出电流（
m
ADC）
500
1000
TJ = -40°C
TJ = + 25°C
TJ = + 85°C
图3. ICC与VCC @ TJ
图4. Q2电流增益随
输出电流
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MDC5000T1
典型的闭环性能
（参见图12的电路& 13 ）
1.5
1.0
0.5
VCC = 2.75伏
HFE3 = 113
IC3 = 15毫安
V REF （ ％ ）
IC3 = 10毫安
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–1.0
–2.0
IC3 = 1毫安
65 75
85
–3.0
0
50
100
150
200
250
300
HFE ，外部晶体管的直流BETA
350
VCC = 2.75伏
TA = 25°C
IC3 = 15毫安
IC3 = 10毫安
IC3 = 3毫安
IC3 = 1毫安
D
集成电路3 （％）
0
–0.5
IC3 = 3毫安
–1.0
–1.5
–45 –35 –25 –15 –5 5 15 25 35 45 55
TA ，环境温度（ ° C）
图5中。
D
IC3与TA @ IC3
10
VCC = 2.75伏
TA = 25°C
图6 。
D
VREF与外部晶体管
DC测试版@ IC3
5.0
D
I C 3 （ ％ ）
0
IC3 = 15毫安
IC3 = 10毫安
IC3 = 3毫安
IC3 = 1毫安
–5.0
–10
–15
0
50
250
300
100
150
200
HFE ，外部晶体管的直流BETA
350
图7 。
D
IC3与外部晶体管
DC测试版@ IC3
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
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