飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD8IC970N
第0版， 2/2011
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD8IC970N宽带集成电路设计上 - 芯片
prematching ，使得它可以使用从136到940兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型基站
调制格式。该器件具有一个2 - 舞台设计与关闭 - 芯片匹配
为输入，级间和输出网络，以覆盖期望的频率
子 - 带。
典型的两个 - 音频性能： V
DD1
= 28伏特，V
DD2
= 25伏，
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。
频率
850兆赫
900兆赫
940兆赫
G
ps
（ dB）的
30.6
31.9
32.6
PAE
(%)
40.1
42.4
42.1
IMD
（ DBC）
--30.5
--31.0
--31.3
MD8IC970NR1
850-
-940兆赫， 35瓦平均， 28 V
RF LDMOS WIDEBAND
集成功率放大器
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 137瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
79瓦CW
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
在 - 片Prematching 。上 - 芯片稳定。
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
RF
in2A
RF
out1A
/V
D1A
V
G1A
RF
in1A
V
G2A
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2A
/V
D2A
CASE 1866-
-02
TO -
-270 WBL-
-16
塑料
RF
in2B
RF
out1B
/V
D1B
V
G2B
RF
in1B
V
G1B
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2B
/V
D2B
RF
in2A
RF
out1A
/V
D1A
GND
GND
V
G1A
RF
in1A
V
G2A
V
G2B
RF
in1B
V
G1B
GND
GND
RF
out1B
/V
D1B
RF
in2B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
16
RF
out2A
/
V
D2A
15
RF
out2B
/
V
D2B
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MD8IC970NR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
--0.5, +70
--0.5, +10
32, +0
--65到150
150
225
30
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终的应用
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 35瓦CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 60 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
第二阶段， 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
R
θJC
2.9
0.6
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
我（最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 40
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD1
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
9.0
2.0
3.1
10.0
2.7
—
11.0
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4， A面和B面是绑在一起的这种测量。
（续）
MD8IC970NR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 320
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD2
= 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.2 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
7.6
0.1
2.0
3.1
8.6
0.48
2.7
—
9.6
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1,2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 35瓦的魅力。我
DQ1(A+B)
= 60毫安，
I
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
功率增益
功率附加效率
互调失真
G
ps
PAE
IMD
31.5
40.5
—
32.6
42.1
--31.3
36.5
—
--29.0
dB
%
dB
典型的宽带性能
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 35瓦平均，
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安
频率
850兆赫
900兆赫
940兆赫
G
ps
（ dB）的
30.6
31.9
32.6
PAE
(%)
40.1
42.4
42.1
IMD
（ DBC）
--30.5
--31.0
--31.3
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安，
I
DQ2(A+B)
= 550毫安， 850--940 MHz带宽
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 71 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
用8.25千欧门饲料电阻器（ -30到85℃ ）
(3)
增益平坦度在90 MHz带宽@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
第1阶段
第2阶段
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
79
22
最大
—
—
单位
W
兆赫
VBW
水库
I
QT
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
—
—
50
5.03
4.61
1.2
0.03
0.005
—
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1. A面和B面是绑在一起的这种测量。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD8IC970NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
GG2A
V
DD1A
C1
R2
L1
C7
C13
L3
R4
C17
C19
R6
R7
C18
C14
C8
L4
R5
C20
切出区
C21
C23
C25
C22
C26
C24
C28
C27
L5
R8
C35
V
DD2A
V
GG1A
C9
C5
C3
Z1
R1
C4
C11
C15
C16
C12
C2
C6
V
GG1B
C10
C29
C31
C32
C30
C33
Z2
C34
V
DD2B
C36
R10
V
GG2B
V
DD1B
R3
L2
L6
R9
MD8IC970N
第1版
图3. MD8IC970NR1测试电路元件布局
表6. MD8IC970NR1测试电路组件牌号和值
部分
C1, C2, C35, C36
C3, C4, C9, C10
C5, C6
C7, C8, C27, C28, C33, C34
C11, C12
C13, C14
C15, C16, C19, C20
C17, C18
C21, C22
C23, C24, C25, C26
C29. C30, C31, C32
L1, L2, L5, L6
L3, L4
R1
R2, R3, R8, R9
R4, R5, R6, R7
R10
Z1, Z2
PCB
描述
10
μF,
50 V贴片电容
1
μF,
50 V贴片电容
3.3 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
2.7 pF的贴片电容
5.0 nH的2打开电感器
2.8 nH的片式电感器
51
,
1/8 W贴片电阻
10
,
1/8 W贴片电阻
8.25 kΩ的1/10 W贴片电阻
50
,
10瓦SM芯片功率电阻
900 MHz频段， 90 ° ， 3分贝芯片混合耦合器
0.030″,
ε
r
= 3.66
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
GRM31MR71H105KA88L
ATC600F3R3BT250XT
ATC600F390JT250XT
ATC600S470JT250XT
ATC600S4R7JT250XT
GRM188R71C104K01D
ATC600S5R6JT250XT
ATC600F150JT250XT
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F2R7BT250XT
A02TKLC
0805CS--020XJLC
SG73P2ATTD51R0F
RK73H2ATTD10R0F
RK73H1JTTD8251F
81A7031--50--5F
GSC362--HYB0900
RO4350B
生产厂家
村田
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
佛罗里达射频实验室
双信
罗杰斯
MD8IC970NR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
PAE ，功率附加
效率（％）
IMD ，互调
失真（ DBC）
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
IMD ，互调失真（ DBC）
PAE ，功率附加效率（ ％ ）
36
35
34
G
ps
，功率增益（分贝）
33
32
31
30
29
28
27
26
820
IMD
G
ps
PAE
44
42
40
38
36
--27
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安
--28
I
DQ2(A+B)
= 550毫安， P
OUT
= 35瓦（平均）。
--29
200 kHz音调间距
--30
--31
--32
840
860
880
900
920
940
960
980
男，频率（MHz）
图4.双
-Tone宽带性能
@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
IM7--U
--50
--60
IM7--L
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 71 W（ PEP ）
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2）的900兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IMD ，互调失真（ DBC）
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
图5.互调失真产品
与两
-Tone间距
35
34
G
ps
，功率增益（分贝）
33
32
31
30
29
60
50
40
30
20
10
0
20
30
40
50
60
P
OUT
，输出功率（瓦）
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安
I
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
G
ps
PAE
IMD
10
图6.功率增益，功率附加效率和
互调失真与产品
平均输出功率
MD8IC970NR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD8IC970N
第2版， 5/2011
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD8IC970N宽带集成电路设计上 - 芯片
prematching ，使得它可以使用从136到940兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型基站
调制格式。该器件具有一个2 - 舞台设计与关闭 - 芯片匹配
为输入，级间和输出网络，以覆盖期望的频率
子 - 带。
典型的两个 - 音频性能： V
DD1
= 28伏特，V
DD2
= 25伏，
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。
频率
850兆赫
900兆赫
940兆赫
G
ps
（ dB）的
30.6
31.9
32.6
PAE
(%)
40.1
42.4
42.1
IMD
（ DBC）
--30.5
--31.0
--31.3
MD8IC970NR1
MD8IC970GNR1
850-
-940兆赫， 35瓦平均， 28 V
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 940兆赫， 137瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
） ，专为
增强耐用性
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
79瓦CW
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
在 - 片Prematching 。上 - 芯片稳定。
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
RF
in2A
RF
out1A
/V
D1A
V
G1A
RF
in1A
V
G2A
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2A
/V
D2A
CASE 1866-
-02
TO -
-270 WBL-
-16
塑料
MD8IC970NR1
CASE 1867-
-02
TO -
-270 WBL-
-16 GULL
塑料
MD8IC970GNR1
RF
in2B
RF
out1B
/V
D1B
V
G2B
RF
in1B
V
G1B
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2B
/V
D2B
RF
in2A
RF
out1A
/V
D1A
GND
GND
V
G1A
RF
in1A
V
G2A
V
G2B
RF
in1B
V
G1B
GND
GND
RF
out1B
/V
D1B
RF
in2B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
（ TOP VIEW ）
16
RF
out2A
/
V
D2A
15
RF
out2B
/
V
D2B
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MD8IC970NR1 MD8IC970GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
--0.5, +70
--0.5, +10
32, +0
--65到150
150
225
30
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终的应用
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 35瓦的魅力。两个 - 音
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 60 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
第二阶段， 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
R
θJC
2.9
0.6
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
我（最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 40
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD1
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
9.0
2.0
3.1
10.0
2.7
—
11.0
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4， A面和B面是绑在一起的这种测量。
（续）
MD8IC970NR1 MD8IC970GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 70伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 320
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD2
= 25伏直流，我
DQ2(A+B)
= 550 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.2 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
7.6
0.1
2.0
3.1
8.6
0.48
2.7
—
9.6
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1,2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 35瓦的魅力。我
DQ1(A+B)
= 60毫安，
I
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
功率增益
功率附加效率
互调失真
G
ps
PAE
IMD
31.5
40.5
—
32.6
42.1
--31.3
36.5
—
--29.0
dB
%
dB
典型的宽带性能
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 35瓦平均，
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安
频率
850兆赫
900兆赫
940兆赫
G
ps
（ dB）的
30.6
31.9
32.6
PAE
(%)
40.1
42.4
42.1
IMD
（ DBC）
--30.5
--31.0
--31.3
典型的表演
(1)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安，
I
DQ2(A+B)
= 550毫安， 850--940 MHz带宽
特征
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 71 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
用8.25千欧门饲料电阻器（ -30到85℃ ）
(3)
增益平坦度在90 MHz带宽@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
第1阶段
第2阶段
符号
P1dB
IMD
符号
民
—
—
典型值
79
22
最大
—
—
单位
W
兆赫
VBW
水库
I
QT
G
F
G
P1dB
—
—
—
—
—
—
50
5.03
4.61
1.2
0.03
0.005
—
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
1. A面和B面是绑在一起的这种测量。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD8IC970NR1 MD8IC970GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
GG2A
V
DD1A
C1
R2
L1
C7
C13
L3
R4
C17
C19
R6
R7
C18
C14
C8
L4
R5
C20
切出区
C21
C23
C25
C22
C26
C24
C28
C27
L5
R8
C35
V
DD2A
V
GG1A
C9
C5
C3
Z1
R1
C4
C11
C15
C16
C12
C2
C6
V
GG1B
C10
C29
C31
C32
C30
C33
Z2
C34
V
DD2B
C36
R10
V
GG2B
V
DD1B
R3
L2
L6
R9
MD8IC970N
第1版
图3. MD8IC970NR1 （ GNR1 ）测试电路元件布局
表6. MD8IC970NR1 （ GNR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C35, C36
C3, C4, C9, C10
C5, C6
C7, C8, C27, C28, C33, C34
C11, C12
C13, C14
C15, C16, C19, C20
C17, C18
C21, C22
C23, C24, C25, C26
C29. C30, C31, C32
L1, L2, L5, L6
L3, L4
R1
R2, R3, R8, R9
R4, R5, R6, R7
R10
Z1, Z2
PCB
描述
10
μF,
50 V贴片电容
1
μF,
50 V贴片电容
3.3 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
5.6 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
2.7 pF的贴片电容
5.0 nH的2打开电感器
2.8 nH的片式电感器
51
,
1/8 W贴片电阻
10
,
1/8 W贴片电阻
8.25 kΩ的1/10 W贴片电阻
50
,
10瓦SM芯片功率电阻
900 MHz频段， 90 ° ， 3分贝芯片混合耦合器
0.030″,
ε
r
= 3.66
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
GRM31MR71H105KA88L
ATC600F3R3BT250XT
ATC600F390JT250XT
ATC600S470JT250XT
ATC600S4R7JT250XT
GRM188R71C104K01D
ATC600S5R6JT250XT
ATC600F150JT250XT
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F2R7BT250XT
A02TKLC
0805CS--020XJLC
SG73P2ATTD51R0F
RK73H2ATTD10R0F
RK73H1JTTD8251F
81A7031--50--5F
GSC362--HYB0900
RO4350B
生产厂家
村田
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
佛罗里达射频实验室
双信
罗杰斯
MD8IC970NR1 MD8IC970GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
PAE ，功率附加
效率（％）
IMD ，互调
失真（ DBC）
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
IMD ，互调失真（ DBC）
PAE ，功率附加效率（ ％ ）
36
35
34
G
ps
，功率增益（分贝）
33
32
31
30
29
28
27
26
820
IMD
G
ps
PAE
44
42
40
38
36
--27
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安
--28
I
DQ2(A+B)
= 550毫安， P
OUT
= 35瓦（平均）。
--29
200 kHz音调间距
--30
--31
--32
840
860
880
900
920
940
960
980
男，频率（MHz）
图4.双
-Tone宽带性能
@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
--10
--20
--30
--40
IM7--U
--50
--60
IM7--L
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流电，P
OUT
= 71 W（ PEP ）
I
DQ1(A+B)
= 60 mA时，我
DQ2(A+B)
= 550毫安
两个 - 音频测量
（ F1 + F2）的900兆赫/ 2 =中心频率
IM3--U
IM3--L
IM5--U
IM5--L
IMD ，互调失真（ DBC）
1
10
TWO - TONE间隔（MHz ）
100
图5.互调失真产品
与两
-Tone间距
35
34
G
ps
，功率增益（分贝）
33
32
31
30
29
60
50
40
30
20
10
0
20
30
40
50
60
P
OUT
，输出功率（瓦）
V
DD1
= 28伏，V
DD2
= 25伏直流，我
DQ1(A+B)
= 60毫安
I
DQ2(A+B)
= 550 mA时， F1 = 939.9兆赫， F2 = 940.1兆赫
G
ps
PAE
IMD
10
图6.功率增益，功率附加效率和
互调失真与产品
平均输出功率
MD8IC970NR1 MD8IC970GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
