飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号: MD7IC2755N
第3版, 9/2010
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC2755N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配,使得它从2500可用 - 2700兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作,涵盖所有典型的蜂窝
基站调制。
典型的Doherty WiMAX的性能: V
DD
= 28伏,我
DQ1A
= I
DQ1B
=
80 mA时,我
DQ2B
= 275毫安,V
G2A
= 1.7伏,P
OUT
= 10瓦平均,
F = 2700兆赫, OFDM的802.16d , 64 QAM
3
/
4
, 4连发, 10 MHz信道
带宽输入信号的PAR =上CCDF 9.5分贝@ 0.01 %的概率。
功率增益 - 25分贝
功率附加效率 - 25 %
仪输出信号的PAR - 8.5分贝@ CCDF上0.01 %的概率
ACPR @ 8.5 MHz偏移 - --37 dBc的1 MHz的信道带宽
能够处理10 : 1 VSWR , @ 32 VDC , 2600兆赫, 90瓦CW
输出功率(从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
稳定到10: 1的VSWR。所有马刺下面--60 dBc的@ 100毫瓦到10瓦
CW P
OUT
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
30瓦CW
特点
产品测试在对称的Doherty配置
100 %测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配( 50欧姆输入,直流阻塞)
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米, 13英寸卷轴500单位。
MD7IC2755NR1
MD7IC2755GNR1
2500-
-2700兆赫,10W平均, 28 V
WiMAX的
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1618-
-02
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC2755NR1
CASE 1621-
-02
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC2755GNR1
V
DS1A
RF
INA
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
RF
INB
V
DS1B
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
高峰
(2)
RF
out1
/V
DS2A
支架
(2)
RF
out2
/V
DS2B
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
( TOP VIEW )
注:包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ,
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ,
静态电流
控制射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977
或AN1987 。
2.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
飞思卡尔半导体公司, 2009--2010 。版权所有。
MD7IC2755NR1 MD7IC2755GNR1
1
RF设备数据
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表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
--0.5, +65
--0.5, +10
32, +0
--65到150
150
225
30
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终达赫迪应用
热阻,结到外壳
外壳温度72 ° C,P
OUT
= 10瓦CW , 2600兆赫
舞台1A,1B, 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80毫安
舞台2A,2B, 28伏直流电,我
DQ2B
= 275毫安,V
G2A
= 1.7 VDC
外壳温度90 ° C,P
OUT
= 55瓦CW , 2600兆赫
舞台1A,1B, 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80毫安
舞台2A,2B, 28伏直流电,我
DQ2B
= 275毫安,V
G2A
= 1.7 VDC
R
θJC
2.6
1.8
2.3
1.1
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
类
1C (最低)
A(最小)
III (最低)
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 , IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
在最高温度1,连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ,
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MD7IC2755NR1 MD7IC2755GNR1
2
RF设备数据
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表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
第1阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏,V
DS
= 0伏)
第1阶段 - 在特色
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 46
μAdc )
门静态电压
(1)
(V
DS
= 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80 MADC )
夹具门静态电压
(2)
(V
DD
= 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80 MADC ,测量功能测试)
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏,V
DS
= 0伏)
第2阶段 - 在特点
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 185
μAdc )
门静态电压
(1)
(V
DS
= 28伏直流,我
DQ2B
= 275 MADC )
夹具门静态电压
(2)
(V
DD
= 28伏直流,我
DQ2B
= 275 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1 A)
第2阶段 - 动态特性
(2,3)
-
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
in
= 0伏)
C
OSS
—
111
—
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
GG ( Q)
V
DS ( ON)
1.2
—
12
0.2
1.9
2.7
15
0.47
2.7
—
18
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
GG ( Q)
1.2
—
12
1.9
2.7
15
2.7
—
18
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4,5)
(在飞思卡尔的Doherty测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80 mA时,我
DQ2B
= 275毫安,
V
G2A
= 1.7伏,P
OUT
= 10瓦的魅力。 , F = 2700兆赫,WIMAX , OFDM的802.16d , 64 QAM
3
/
4
, 4连发, 10 MHz信道带宽,输入信号
PAR =上CCDF 9.5分贝@ 0.01 %的概率。 ACPR测量1 MHz的信道带宽@
±8.5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 %的概率
相邻通道功率比
1.
2.
3.
4.
5.
G
ps
PAE
PAR
ACPR
23
23
8
—
25
25
8.5
--37
31
—
—
--35
dB
%
dB
dBc的
A面和B面连接在一起,这种测量。
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
(续)
MD7IC2755NR1 MD7IC2755GNR1
RF设备数据
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3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
(续)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(在飞思卡尔的Doherty测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 28伏直流,我
DQ1A
= I
DQ1B
= 80 mA时,我
DQ2B
= 275毫安,
V
G2A
= 1.7伏, 2500--2700 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点, CW
IMD对称性@ 12 W人教版,P
OUT
其中, IMD三阶
互
30 dBc的
上,下之间(增量IMD三阶互调
边带> 2分贝)
VBW共振点
( IMD三阶互调拐点)
增益平坦度在200 MHz带宽@ P
OUT
= 10瓦的魅力。
从线性相位在200 MHz的带宽平均偏差
@ P
OUT
= 30瓦CW
平均群时延@ P
OUT
= 30瓦CW , F = 2600 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 30瓦CW ,
F = 2600兆赫,六西格玛窗口
增益随温度变化
( --30C至+ 85C )
输出功率随温度变化
( --30C至+ 85C )
P1dB
IMD
符号
—
—
30
70
—
—
W
兆赫
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
Φ
G
P1dB
—
—
—
—
—
—
—
85
1.6
2
2.7
3.6
0.039
0.03
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
MD7IC2755NR1 MD7IC2755GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
D1A
L2
V
D2A
C17
V
DD
V
G2A
V
G1A
R1
R4
R2
R5
R3
R6
C7
C15
C3
C1
1
2
Z1
3
4
5
6
7
Z2
8
9
10
11
12
C2
C6
B面
C14
C16
C18
V
D2B
Z13
Z14
Z
in
Z
OUT
PCB
0.0419 “× 0.7690 ” “微带
0.0717 “× 0.6750 ”微带
0.0419 “× 1.7230 ”微带
0.0419 “× 1.1400 ”微带
罗杰斯RO4350B , 0.020 “ ,
ε
r
= 3.5
静态电流
温度补偿
13
Z4
Z6
Z10
C20
C10
C12
Z8
C22
C24
C5
侧
C13
DUT
静态电流
温度补偿
14
Z3
C9
C11
Z5
Z9
C19
Z12
RF
产量
Z7
C21
C23
Z11
Z14 Z
OUT
Z13
R13
耦合器1
RF
输入
Z
in
V
G1B
V
G2B
R7
R10
R8
R11
R9
R12
C4
C8
L1
V
D1B
Z1, Z2
Z3, Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
0.0419 “× 0.480 ”微带
0.247 “× 0.1504 ”微带
0.247 “× 0.1704 ”微带
0.030 “× 0.4400 ”微带
0.0907 “× 0.075 ”微带
0.0419 “× 0.4200 ”微带
图3. MD7IC2755NR1 ( GNR1 )测试电路原理图
表6. MD7IC2755NR1 ( GNR1 )测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6, C13,
C14, C19, C20
C7, C8, C17, C18
C15, C16
C9, C10, C11, C12, C21, C22,
C23, C24
耦合器1
L1, L2
R4, R5, R7, R8
R1, R10
R2, R11
R3, R6, R9, R12
R13
描述
6.8 pF的贴片电容
10
μF
贴片电容
1500 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
2500--2700混合3dB耦合器
跳线
75
,
1/8 W贴片电阻
300
,
1/8 W贴片电阻
2 k
,
1/8 W贴片电阻
12 KΩ 1/8 W码片电阻
51
,
1/8 W贴片电阻
RK73B2ATTD750G
RK73B2ATTD301G
RK73B2ATTD202G
RK73B2ATTD123G
RK73B2ATTD510G
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
制造商KOA Speer
产品型号
ATC600S6R8BT250XT
GRM55DR61H106KA88
GRM1885C2A152JA01
ATC600S0R5BT250XT
GSC356
生产厂家
ATC
村田
村田
ATC
双信
MD7IC2755NR1 MD7IC2755GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5