飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC2251N
第0版， 5/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC2251N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它从2110可用 - 2170兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型的蜂窝
基站调制格式。
典型的Doherty单 - 载波W - CDMA表征性能：
V
DD
= 28伏，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏，
P
OUT
= 12瓦平均， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
G
ps
（ dB）的
28.8
29.0
29.2
PAE
(%)
38.2
37.9
37.4
PAR输出
（ dB）的
7.1
7.1
6.9
ACPR
（ DBC）
--34.6
--36.2
--36.1
MD7IC2251NR1
MD7IC2251GNR1
2110-
-2170兆赫， 12 W平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC2251NR1
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫， 63瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
典型的P
OUT
@ 3分贝压缩点
58瓦
(1)
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
产品测试在对称的Doherty配置
特点大 - 信号负载 - 拉参数和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿与启用/禁用功能
(2)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC2251GNR1
V
DS1A
RF
INA
支架
(3)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
静态电流
温度补偿
(2)
静态电流
温度补偿
(2)
高峰
(3)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
支架
1
2
14
3
4
5
6
7
8
9
13
10
11
12峰值
（ TOP VIEW ）
RF
out1
/V
DS2A
RF
out2
/V
DS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out2
/V
DS2B
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1. P3dB = P
AVG
+ 7.0分贝其中P
AVG
是平均输出功率使用正常曝光W测量 - CDMA单 - 载波信号的输入输出的地方
PAR被压缩到7.0 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
3.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度78 ° C，P
OUT
= 12 W CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏
外壳温度89 ° C，P
OUT
= 50瓦CW
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1(A+B)
= 80毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏
R
θJC
4.8
1.5
3.7
1.0
° C / W
符号
价值
--0.5, +65
--0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
28
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
价值
(2,3)
单位
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A
A
II
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
-
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
-
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
6.0
2.0
2.7
7.0
2.7
—
8.0
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
-
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
-
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 260 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 260 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
V
GS （ TH）
V
GSA （ Q）
V
GGA （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
5.5
0.1
2.0
2.7
6.3
0.24
2.7
—
7.5
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（飞思卡尔多尔蒂制作测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安，
V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 12 W平均， F = 2140 MHz的单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
G
ps
PAE
PAR
ACPR
27.6
33.5
6.2
—
28.2
36.9
6.6
--34.2
32.0
—
—
--31.5
dB
%
dB
dBc的
典型的宽带性能
（在飞思卡尔的Doherty表征测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，
I
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 12 W平均，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
2110兆赫
2140兆赫
2170兆赫
1.
2.
3.
4.
G
ps
（ dB）的
28.8
29.0
29.2
PAE
(%)
38.2
37.9
37.4
PAR输出
（ dB）的
7.1
7.1
6.9
ACPR
（ DBC）
--34.6
--36.2
--36.1
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1(A+B)
= 80 mA时，我
DQ2A
= 260毫安， V
GS2B
=
1.4伏， 2110--2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
P
OUT
@ 3分贝压缩点
(2)
IMD对称性@ 18瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
4.7 kΩ的门馈电电阻（ -30至85°C ）
(3)
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 12 W的魅力。
增益随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
输出功率随温度变化
（ --30C至+ 85C ）
第1阶段
第2阶段
P1dB
P3dB
IMD
符号
—
—
—
40
58
25
—
—
—
W
W
兆赫
VBW
水库
I
QT
—
65
—
兆赫
%
—
—
—
—
—
1.5
5.0
0.2
0.028
0.028
—
—
—
—
—
dB
分贝/°C的
分贝/°C的
G
F
G
P1dB
1.测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
2. P3dB = P
AVG
+ 7.0分贝其中P
AVG
是平均输出功率使用正常曝光W测量 - CDMA单 - 载波输入信号，其中
输出PAR被压缩到7.0 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
3.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS1A
V
GS2A
V
DS1A
C1
V
DS2A
R2
R1
C23
C19
C15
C7
C9
C13
C3
C11
C4
C16
切出区
C17
C20
C18
C
P
Z1
R5
C12
C5
C6
C14
C21
R3
R4
C2
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
C22
MD7IC2251N
第1版
C8
C10
V
DS2B
图3. MD7IC2251NR1 （ GNR1 ）生产测试电路元件布局
表6. MD7IC2251NR1 （ GNR1 ）生产测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16, C17, C18
C19, C20
C21
C22, C23
R1, R2, R3, R4
R5
Z1
PCB
描述
10
μF
贴片电容
4.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
4.7
μF
贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.9 pF的贴片电容
1.0
μF
贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
50
,
10 W，终止
2100--2200兆赫，90°， 3分贝芯片混合耦合器
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F5R6BT250XT
ATC600F390JT250XT
GRM31CR71H475KA12L
ATC600F0R5BT250XT
ATC600F0R9BT250XT
GRM31CR71H105KA12L
CRCW12064K70FKEA
RFP-06012A15Z50
GSC355-HYB2150
RF-35A2
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
ATC
村田
日前，Vishay
安伦
双信
Taconic的
MD7IC2251NR1 MD7IC2251GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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