飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC21100N
第2版， 2/2012
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC21100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可用2110至2170年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1A
+
I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦平均，
F = 2167.5兆赫， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 28.5分贝
功率附加效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - --38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫，P
OUT
= 110瓦CW
从额定P （3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺下面--60 dBc的@ 1毫瓦到100瓦CW
P
OUT
.
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
110瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源S参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，在每面的基础上，直流阻塞）
内部匹配的易用性
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
MD7IC21100NR1
MD7IC21100GNR1
MD7IC21100NBR1
2110-
-2170兆赫， 32瓦平均， 28 V
单W-
-CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1618-
-02
TO -
WB- -270
-14
塑料
MD7IC21100NR1
CASE 1621-
-02
TO -
WB- -270
-14 GULL
塑料
MD7IC21100GNR1
CASE 1617-
-02
TO -
WB- -272
-14
塑料
MD7IC21100NBR1
V
DS1A
RF
INA
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out1
/V
DS2A
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
RF
out2
/V
DS2B
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
NC
RF
INA
NC
NC
RF
INB
NC
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2008年， 2011--2012 。版权所有。
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
--0.5, +65
--0.5, +6.0
32, +0
--65到150
150
225
29
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安
符号
R
θJC
2.7
0.7
价值
(2,3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
0
A
III
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 50
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1
—
5.5
2
2.9
6.3
3
—
7
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 270
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1,2)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
—
380
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
5.3
0.1
2
2.8
5.9
0.3
3
—
6.8
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔宽带2110--2170 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+
I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦的魅力， F = 2167.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
PAR
ACPR
IRL
27
27
5.6
—
—
28.5
30
6.1
--38
--15
32
—
—
--36
--9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的表演
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
+ I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
+ I
DQ2B
= 925毫安，
2110--2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 112 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
30 dBc的（三角洲IMD三阶互调
上，下边带> 2分贝）之间
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 32瓦的魅力。
在整个温度范围静态电流精度
4.7 kΩ的门馈电电阻（ -30至85°C ）
(4)
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 110瓦特CW
平均群时延@ P
OUT
= 110瓦特CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 110瓦特CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化（ -30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化（ -30 ° C至+ 85°C ）
1.
2.
3.
4.
P1dB
IMD
符号
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
50
50
0.3
±3
0.6
2.6
35
0.042
0.003
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
%
°
ns
°
分贝/°C的
分贝/°C的
W
兆赫
VBW
水库
G
F
I
QT
Φ
延迟
Φ
G
P1dB
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
端配置 - 测量单个制作与设备。
请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
V
DD1
R6
C7
1
2
3
4 NC
5
DUT
静态电流
温度补偿
14
Z3
Z4
Z5
Z6
Z8
V
DD2
V
GG2
V
GG1
RF
输入
R1
R2
C9
C16
C18
C3
C4
Z1
Z2
6 NC
7 NC
8
9 NC
10
11
12
13
静态电流
温度补偿
Z7
C11
RF
产量
V
GG1
V
GG2
V
DD1
R3
R4
C14
Z9
C12
C13
C15
R5
C8
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.066 “× 2.193 ”微带
0.141 “× 0.126 ”微带
0.628 “× 0.045 ”微带
0.628 “× 0.340 ”微带
0.066 “× 0.581 ”微带
Z6
Z7
Z8, Z9
PCB
C10
C17
C19
C5
C6
0.066 “× 0.821 ”微带
0.066 “× 0.533 ”微带
0.080 “× 0.902 ”微带
罗杰斯RO4350B ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图3. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8, C9, C10
C11
C12, C13, C14
C15
C16, C17
C18, C19
R1, R2, R3, R4
R5, R6
描述
10
μF,
50 V贴片电容
5.1 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.1
μF,
100 V贴片电容
1
μF,
100 V贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
2
,1/2
W贴片电阻
产品型号
GRM55DR61H106KA88B
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B1R2CT500XT
ATC100B0R5CT500XT
GRM32NR72A104KA01B
GRM32EER72A105KA01L
CRCW12064701FKEA
CRCW12102R00FKEA
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R6
C18
V
GG2
R1
R2
C1
V
DD1
C7
C9
C16
C4
C12
C15
切出区
C11
C3
V
GG1
MD7IC21100N
第2版
V
GG1
R3
C8
V
GG2
R4
C2
C13
C14
C5
C17
R5
C10
C19
C6
图4. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC21100N
牧师0 ， 10/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC21100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可用2110至2170年兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为24至32伏的操作，并涵盖了所有典型的蜂窝基站
站调制格式，包括TD - SCDMA 。
典型的单载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1A
=
I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
= I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦平均，
F = 2167.5兆赫， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH用50％的剪裁，
信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益 - 28.5分贝
功率附加效率 - 30 ％
仪输出信号的PAR - 9.8 dB的CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 38 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2140兆赫，P
OUT
= 110瓦
从额定P CW （3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到100瓦
CW P
OUT
.
典型的P
OUT
@ 1 dB压缩点
]
110瓦CW
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的来源S参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，在每面的基础上，直流阻塞）
内部匹配的易用性
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
MD7IC21100NR1
MD7IC21100GNR1
MD7IC21100NBR1
2110年至2170年兆赫， 32瓦的魅力， 28 V 。
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MD7IC21100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MD7IC21100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MD7IC21100NBR1
V
DS1A
RF
INA
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out1
/V
DS2A
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
NC
RF
INA
NC
NC
RF
INB
NC
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf.Select文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +6.0
32, +0
- 65 + 150
150
225
29
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
（外壳温度76 ° C， 32瓦CW）
第一阶段， 28伏直流电，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 190毫安
第二阶段， 28伏直流，我
DQ2A
= I
DQ2B
= 925毫安
符号
R
θJC
2.7
0.7
价值
(2,3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(4)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(4)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 50
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 190 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 190 MADC ，测量功能测试）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1
—
5.5
2
2.9
6.3
3
—
7
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
4.设备的每一侧分别测得。
（续）
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 270
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= I
DQ2B
= 925 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= I
DQ2B
= 925 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
第2阶段 - 动态特性
(1,2)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
—
380
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
5.3
0.1
2
2.8
5.9
0.3
3
—
6.8
0.8
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔宽带2110- 2170 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
=
I
DQ2B
= 925毫安，P
OUT
= 32瓦的魅力， F = 2167.5兆赫，单载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
PAE
PAR
ACPR
IRL
27
27
5.6
—
—
28.5
30
6.1
- 38
- 15
32
—
—
- 36
-9
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的表演
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 190 mA时，我
DQ2A
= I
DQ2B
= 925毫安，
2110- 2170 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
IMD对称性@ 112 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的（三角洲IMD三阶互调
上，下边带> 2分贝）之间
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 32瓦的魅力。
在整个温度范围静态电流精度
用4.7kΩ的门饲料电阻（ - 3085 ℃）下
(4)
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 110瓦特CW
平均群时延@ P
OUT
= 110瓦特CW ， F = 2140 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 110瓦特CW ，
F = 2140兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化（ - 30 ° C至+ 85°C ）
1.
2.
3.
4.
P1dB
IMD
符号
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
110
50
50
0.3
±3
0.6
2.6
35
0.042
0.003
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
%
°
ns
°
分贝/°C的
dBm的/°C的
W
兆赫
VBW
水库
G
F
ΔI
QT
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
ΔP1dB
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
端配置 - 测量单个制作与设备。
请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf.Select文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
R6
V
DD1
R1
R2
C7
1
2
3
4 NC
5
Z1
Z2
6 NC
7 NC
8
V
GG1
V
GG2
V
DD1
R5
C8
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.066 “× 2.193 ”微带
0.141 “× 0.126 ”微带
0.628 “× 0.045 ”微带
0.628 “× 0.340 ”微带
0.066 “× 0.581 ”微带
Z6
Z7
Z8, Z9
PCB
0.066 “× 0.821 ”微带
0.066 “× 0.533 ”微带
0.080 “× 0.902 ”微带
罗杰斯RO4350B ， 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
C10
C17
C19
C5
C6
R3
R4
9 NC
10
11
12
静态电流
温度补偿
13
Z9
C12
C13
C15
DUT
静态电流
温度补偿
14
Z3
Z4
Z5
Z6
C11
C14
Z7
C9
Z8
RF
产量
C16
C18
C3
C4
V
DD2
V
GG2
V
GG1
RF
输入
图3. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MW7IC2220NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8, C9, C10
C11
C12, C13, C14
C15
C16, C17
C18, C19
R1, R2, R3, R4
R5, R6
描述
10
μF,
50 V贴片电容
5.1 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
1.2 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
0.1
μF,
100 V贴片电容
1
μF,
100 V贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
2
Ω,1/2
W贴片电阻
产品型号
GRM55DR61H106KA88B
ATC100B5R1CT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B1R2CT500XT
ATC100B0R5CT500XT
GRM32NR72A104KA01B
GRM32EER72A105KA01L
CRCW12064701FKEA
CRCW12102R00FKEA
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
村田
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R6
C18
V
GG2
R1
R2
C1
V
DD1
C3
C7
C9
C16
C4
C12
C15
切出区
C11
V
GG1
MD7IC21100N
第2版
V
GG1
C13
C14
C5
C17
R3
C8
R4
V
GG2
C2
C10
R5
C19
C6
图4. MD7IC21100NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
单端
l
4
l
4
正交组合
l
4
多尔蒂
l
2
l
2
推 - 拉
图5中。
可能的电路拓扑结构
MD7IC21100NR1 MD7IC21100GNR1 MD7IC21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
