飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC2050N
第0版， 8/2009
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC2050N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它从1750年可用 - 2050兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型的蜂窝
基站调制格式。
典型的Doherty单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦
平均，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
2025 MHz的
G
ps
（ dB）的
30.5
PAE
(%)
34.7
PAR输出
（ dB）的
8.7
ACPR
（ DBC）
- 37.4
MD7IC2050NR1
MD7IC2050GNR1
MD7IC2050NBR1
一八八〇年至2100年兆赫， 10瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2017.5兆赫， 79瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 20瓦到80瓦
CW P
OUT
典型的P
OUT
@ 3分贝压缩点
]
74瓦CW
1880兆赫
典型的Doherty单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦
平均，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
1880兆赫
1900兆赫
1920兆赫
G
ps
（ dB）的
30.3
30.2
30.1
PAE
(%)
35.2
34.9
34.8
PAR输出
（ dB）的
8.6
8.6
8.7
ACPR
（ DBC）
- 34.9
- 36.3
- 36.9
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MD7IC2050NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MD7IC2050GNR1
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
产品测试在对称的Doherty配置
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MD7IC2050NBR1
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
DS1A
RF
INA
支架
(2)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
高峰
(2)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
2.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
28
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C，P
OUT
= 50瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
第二期乙， 28伏直流电，V
G2B
= 1.4伏
外壳温度73 ° C，P
OUT
= 10瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
*第二期乙， 28伏直流电，V
G2B
= 1.4伏
R
θJC
8.2
6.1
1.8
1.4
8.3
3.6
1.9
*阶段2B被关闭
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
II （最少）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ，测量功能测试）
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.1
0.1
2
3
5.5
0.3
2.7
—
7.1
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
4.1
1.9
3
5.5
2.7
—
7.1
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安，
V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力， F = 2025 MHz的单 - 载波W - 上CCDF CDMA ，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。 ACPR
在3.84 MHz信道带宽测量@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
1.
2.
3.
4.
G
ps
PAE
PAR
ACPR
28.5
32.0
8.0
—
30.5
34.7
8.7
- 37.4
33.0
—
—
- 34.0
dB
%
dB
dBc的
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安，
V
G2B
= 1.4伏， 2010年至2025年MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
P
OUT
@ 3分贝压缩点， CW
IMD对称性@ 30瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
用4.7kΩ的门饲料电阻（ - 3085 ℃）下
(2)
增益平坦度在15 MHz带宽@ P
OUT
= 10瓦的魅力。
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
P1dB
P3dB
IMD
符号
—
—
—
60
74
55
—
—
—
W
W
兆赫
VBW
水库
ΔI
QT
G
F
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
70
2.64
0.1
0.033
0.008
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型W - CDMA的宽带性能 - 1880兆赫
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
=
30毫安，我
DQ2A
= 230毫安， V
G2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力，单 - 载波W - CDMA ，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
1880兆赫
1900兆赫
1920兆赫
G
ps
（ dB）的
30.3
30.2
30.1
PAE
(%)
35.2
34.9
34.8
PAR输出
（ dB）的
8.6
8.6
8.7
ACPR
（ DBC）
- 34.9
- 36.3
- 36.9
IRL
（ dB）的
- 21
- 21
- 22
1.测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf.Select文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS1A
V
GS2A
V
DS1A
C1
C7
V
DS2A
R2
R1
C11
C17
C9
C15
C3
C18
C4
切出区
耦合器1
R5
C
C13
P
C14
C12
R3
R4
C19
C20
C5
C10
C8
C16
C6
C21
MD7IC2050N
第1版
V
DS2B
C2
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
图3. MD7IC2050NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
表6. MD7IC2050NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11, C12, C13, C14
C15, C16, C17, C18, C19, C20
C21
R1, R2, R3, R4
R5
耦合器1
PCB
描述
10
μF,
50 V贴片电容
4.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
1.0 pF的贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
50
Ω,
1/4 W厚膜贴片电阻
1.8 - 2.0 GHz的混合3dB耦合器
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F5R6BT250XT
ATC600F390JT250XT
GRM31CR71H475KA12L
ATC600F1R0BT250XT
CRCW12064701KEA
RK73B2BTTD510J
GSC351 - HYB1900
RF - 35
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
日前，Vishay
制造商KOA Speer
双信
Taconic的
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MD7IC2050N
第1版， 5/2010
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MD7IC2050N宽带集成电路设计为与片上
匹配，使得它从1750- 2050兆赫可用。这种多级
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型的蜂窝
基站调制格式。
典型的多尔蒂单载波W- CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦
平均， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。
频率
2025 MHz的
G
ps
（ dB）的
30.5
PAE
(%)
34.7
PAR输出
（ dB）的
8.7
ACPR
（ DBC）
-37.4
MD7IC2050NR1
MD7IC2050GNR1
MD7IC2050NBR1
一八八○年至2100年兆赫，10W平均， 28 V
单W-CDMA的
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 2017.5兆赫， 79瓦CW
输出功率（从额定P 3 dB输入过载
OUT
)
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于-60 dBc的@ 20瓦到80瓦
CW P
OUT
典型的P
OUT
@ 3分贝压缩点
]
74瓦CW
1880兆赫
典型的多尔蒂单载波W- CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安， V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦
平均， IQ幅度裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 9.9分贝@ 0.01 ％的概率。
频率
1880兆赫
1900兆赫
1920兆赫
G
ps
（ dB）的
30.3
30.2
30.1
PAE
(%)
35.2
34.9
34.8
PAR输出
（ dB）的
8.6
8.6
8.7
ACPR
（ DBC）
-34.9
-36.3
-36.9
CASE 1618至02年
TO- 270 WB- 14
塑料
MD7IC2050NR1
CASE 1621至02年
TO- 270 WB- 14 GULL
塑料
MD7IC2050GNR1
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
产品测试在对称的Doherty配置
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
和常见的来源S参数
片内匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米500台， 13英寸的卷轴
案例1617年至1602年
TO- 272 WB- 14
塑料
MD7IC2050NBR1
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
飞思卡尔半导体公司， 2009-2010 。版权所有。
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1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
DS1A
RF
INA
支架
(2)
RF
out1
/V
DS2A
V
GS1A
V
GS2A
V
GS1B
V
GS2B
静态电流
温度补偿
(1)
静态电流
温度补偿
(1)
高峰
(2)
V
DS1A
V
GS2A
V
GS1A
RF
INA
NC
NC
NC
NC
RF
INB
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
out1
/V
DS2A
13
RF
out2
/V
DS2B
RF
INB
V
DS1B
RF
out2
/V
DS2B
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
2.峰值和载波方向由测试夹具的设计来确定。
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
输入功率
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
P
in
价值
-0.5, +65
-0.5, +10
32, +0
-65到+150
150
225
28
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
DBM
表2.热特性
特征
最终达赫迪应用
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C，P
OUT
= 50瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
第二期乙， 28伏直流电，V
GS2B
= 1.4伏
外壳温度73 ° C，P
OUT
= 10瓦CW
1A期， 28伏直流，我
DQ1A
= 30毫安
阶段1B ， 28伏直流电，我
DQ1B
= 30毫安
第二期甲， 28伏直流电，我
DQ2A
= 230毫安
第二期乙， 28伏直流电，V
GS2B
= 1.4伏
R
θJC
8.2
8.2
1.8
1.8
8.3
8.3
1.9
1.9
° C / W
符号
价值
(2,3)
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
0 （最低）
A（最小）
II （最少）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22- A113 ， IPC / JEDEC J- STD- 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
第1阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第1阶段 - 在特色
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 23
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 MADC ，测量功能测试）
第2阶段 - 断特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 1.5伏，V
DS
= 0伏）
第2阶段 - 在特点
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 150
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ）
夹具门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ2A
= 230 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
—
4.1
0.1
2
3
5.5
0.3
2.7
—
7.1
1.2
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
1.2
—
4.1
1.9
3
5.5
2.7
—
7.1
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2,3,4)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安，
V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦的魅力。 ， F = 2025 MHz的单载波W- CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
功率附加效率
输出的峰均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
1.
2.
3.
4.
G
ps
PAE
PAR
ACPR
28.5
32.0
8.0
—
30.5
34.7
8.7
-37.4
33.0
—
—
-34.0
dB
%
dB
dBc的
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的表演
(1)
（在飞思卡尔的Doherty测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
= 30 mA时，我
DQ2A
= 230毫安，
V
GS2B
= 1.4伏， 2010-2025 MHz带宽
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
P
OUT
@ 3分贝压缩点， CW
IMD对称性@ 30瓦PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
在整个温度范围静态电流精度
用4.7kΩ的门进给电阻器（-30到85℃ ）
(2)
增益平坦度在15 MHz带宽@ P
OUT
= 10瓦的魅力。
增益随温度变化
(-30
°C
至+ 85°C ）
输出功率随温度变化
(-30
°C
至+ 85°C ）
P1dB
P3dB
IMD
符号
—
55
—
—
—
60
74
—
—
W
W
兆赫
VBW
水库
ΔI
QT
G
F
ΔG
ΔP1dB
—
—
—
—
—
70
2.64
0.1
0.033
0.008
—
—
—
—
—
兆赫
%
dB
分贝/°C的
dBm的/°C的
典型的W- CDMA的宽带性能 - 1880兆赫
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ1A
= I
DQ1B
=
30毫安，我
DQ2A
= 230毫安， V
GS2B
= 1.4伏，P
OUT
= 10瓦平均，单载波W- CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@
0.01 ％的概率在CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
1880兆赫
1900兆赫
1920兆赫
G
ps
（ dB）的
30.3
30.2
30.1
PAE
(%)
35.2
34.9
34.8
PAR输出
（ dB）的
8.6
8.6
8.7
ACPR
（ DBC）
-34.9
-36.3
-36.9
IRL
（ dB）的
-21
-21
-22
1.测量在一个对称的Doherty配置进行与设备。
2.请参阅AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf.Select文档/应用笔记 - AN1977或
AN1987.
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GS1A
V
GS2A
V
DS1A
C1
C7
V
DS2A
R2
R1
C11
C17
C9
C15
C3
C18
C4
切出区
Z1
R5
C
C13
P
C14
C12
R3
R4
C19
C20
C5
C10
C8
C16
C6
C21
MD7IC2050N
第1版
V
DS2B
C2
V
GS1B
V
GS2B
V
DS1B
图3. MD7IC2050NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件布局
表6. MD7IC2050NR1 （ GNR1 ） （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11, C12, C13, C14
C15, C16, C17, C18, C19, C20
C21
R1, R2, R3, R4
R5
Z1
PCB
描述
10
μF,
50 V贴片电容
4.7 pF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
4.7
μF,
50 V贴片电容
1.0 pF的贴片电容
4.7 kΩ的1/4 W贴片电阻
50
Ω,
1/4 W厚膜贴片电阻
1900兆赫频段90 °， 3分贝混合耦合
0.020″,
ε
r
= 3.5
产品型号
GRM55DR61H106KA88L
ATC600F4R7BT250XT
ATC600F5R6BT250XT
ATC600F390JT250XT
GRM31CR71H475KA12L
ATC600F1R0BT250XT
CRCW12064701KEA
RK73B2BTTD510J
GSC351-HYB1900
RF-35
生产厂家
村田
ATC
ATC
ATC
村田
ATC
日前，Vishay
制造商KOA Speer
双信
Taconic的
MD7IC2050NR1 MD7IC2050GNR1 MD7IC2050NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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