E2G1054-18-62
半导体
MD56V62800A
半导体
这个版本： 1998年6月
MD56V62800A
e
Pr
LIM
y
ar
in
4-Bank
2,097,152-Word
8位同步动态RAM
描述
该MD56V62800A是4银行
2,097,152-word
8位同步动态RAM ，制造
在Oki的CMOS硅栅工艺技术。该器件工作在3.3 V的输入和
输出是LVTTL兼容。
特点
硅栅，四联多晶硅CMOS ， 1晶体管存储单元
4-bank
2,097,152-word
8位配置
3.3 V电源供电，
±0.3
V宽容
输入
： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
–
CAS
等待时间（ 1，2， 3）
- 突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，整版）
- 数据加扰（连续，交错）
突发读取单个位写能力
CBR自动刷新，自刷新功能
??包装：
54引脚400密耳的塑料TSOP （ II型） （ TSOPII54 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MD56V62800A - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MD56V62800A-8
MD56V62800A-10
马克斯。
频率
125兆赫
100兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
10纳秒
9 NS
t
AC3
6纳秒
9 NS
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半导体
MD56V62800A
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用除CLK ， CKE和DQM所有输入。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
地址
行&列复用。
行地址： RA0 - RA11
列地址： CA0 - CA8
A12, A13
（ BA1 ， BA0 ）
RAS
CAS
WE
DQM
DQI
掩模的两个时钟后，当DQM设置"H"在"H"边缘的时钟信号的读出的数据。
掩模相同的时钟的时DQM设置"H"在"H"边缘的时钟信号的写入数据。
数据输入/输出复用相同的引脚。
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
银行存取引脚。这些引脚专门选择4银行之一。
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半导体
MD56V62800A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
V
CC
电源电压
储存温度
功耗
短路电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CC
Q
T
英镑
P
D
*
I
OS
T
OPR
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到4.6
-55到150
1
50
0到70
（电压参考V
SS
)
单位
V
V
°C
W
mA
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
V
CC
– 2.0
典型值。
3.3
—
—
（电压参考V
SS
= 0 V)
马克斯。
3.6
V
CC
+ 2.0
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 3.3 V, V
BIAS
= 1.4 V， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ CLK ）
输入电容（ CKE ，
CS ，
RAS ， CAS，WE ，
DQM ， A0 - A13 ）
输入/输出电容
（ DQ1 - DQ8 ）
符号
C
CLK
C
IN
C
OUT
分钟。
2.5
2.5
4
马克斯。
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
5/28
QQ：2880707522 复制
