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E2G1057-29-41
半导体
MD56V62320
半导体
这个版本: 1999年4月
MD56V62320
e
Pr
LIM
y
ar
in
4-Bank
524,288-Word
32位同步动态RAM
描述
该MD56V62320是4银行
524,288-word
32位同步动态RAM ,制作
Oki的CMOS硅栅工艺技术。该器件工作在3.3 V的输入和
输出是LVTTL兼容。
特点
硅栅,四联多晶硅CMOS , 1晶体管存储单元
4-bank
524,288-word
32位配置
3.3 V电源供电,
±0.3
V宽容
输入
: LVTTL兼容
输出: LVTTL兼容
刷新: 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
CAS
延迟( 2,3)的
- 突发长度( 2,4, 8)
- 数据加扰(连续,交错)
CBR自动刷新,自刷新功能
??包装:
86引脚400密耳的塑料TSOP (II型) ( TSOPII86 -P - 400-0.50 -K ) (产品: MD56V62320 - xxTA )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MD56V62320-10
马克斯。
频率
100兆赫
访问时间(最大值)。
t
AC2
9 NS
t
AC3
9 NS
1/29
半导体
引脚配置(顶视图)
V
CC
DQ1
V
CC
Q
DQ2
DQ3
V
SS
Q
DQ4
DQ5
V
CC
Q
DQ6
DQ7
V
SS
Q
DQ8
NC
V
CC
DQM0
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
DQM2
V
CC
NC
DQ17
V
SS
Q
DQ18
DQ19
V
CC
Q
DQ20
DQ21
V
SS
Q
DQ22
DQ23
V
CC
Q
DQ24
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
MD56V62320


10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
V
SS
85
DQ16
84
V
SS
Q
83
DQ15
82
DQ14
81
V
CC
Q
80
DQ13
79
DQ12
78
V
SS
Q
77
DQ11
76
DQ10
75
V
CC
Q
74
DQ9
73
NC
72
V
SS
71
DQM1
70
NC
69
NC
68
CLK
67
CKE
66
A9
65
A8
64
A7
63
A6
62
A5
61
A4
60
A3
59
DQM3
58
V
SS
57
NC
56
DQ32
55
V
CC
Q
54
DQ31
53
DQ30
52
V
SS
Q
51
DQ29
50
DQ28
49
V
CC
Q
48
DQ27
47
DQ26
46
V
SS
Q
45
DQ25
44
V
SS
86引脚塑料TSOP ( II )
(K型)
引脚名称
CLK
CS
CKE
A0 - A10
BA0 , BA1
RAS
CAS
WE
功能
系统时钟
芯片选择
时钟使能
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
引脚名称
DQM0 - 3
DQI
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
功能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源( 3.3 V )
接地( 0 V )
数据输出电源( 3.3 V )
数据输出地(0V )
无连接
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
引脚和V
CC
Q引脚。
同一接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚和V
SS
Q引脚。
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半导体
MD56V62320
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用除CLK , CKE , DQM0所有的输入 - 3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的,系统时钟将被屏蔽,以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
地址
行&列复用。
行地址: RA0 - RA10
列地址: CA0 - CA7
BA0 , BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 - 3
DQI
DQM0控制DQ1 - 8 DQM1控制DQ9 - 16 。
DQM2控制DQ17 - 24 DQM3控制DQ25 - 32 。
数据输入/输出复用相同的引脚。
功能取决于组合。有关详细信息,请参阅功能真值表。
银行存取引脚。这些引脚专门选择4银行之一。
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半导体
框图
MD56V62320
CLK
CKE
时钟
卜FF器
命令
解码
逻辑
命令
缓冲器
控制
逻辑
A0 - A10
BA0 , BA1
地址
缓冲器
模式
注册
潜伏期
&突发
调节器
COLUMN
地址
锁存器
&计数器
列解码器
感测放大器
CS
RAS
CAS
WE
DQM0 - DQM3
ROW
地址
锁存器
&刷新
计数器
行解码器
字驱动器
内存
细胞
银行
B组
C银行
组D
输入
缓冲器
输入
数据
注册
DQ1 - DQ32
产量
数据
注册
产量
缓冲器
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半导体
MD56V62320
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
V
CC
电源电压
储存温度
功耗
短路电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CC
Q
T
英镑
P
D
*
I
OS
T
OPR
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到4.6
-55到150
1
50
0到70
(电压参考V
SS
)
单位
V
V
°C
W
mA
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
(电压参考V
SS
= 0 V)
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V , TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容(地址)
输入电容( CLK , CKE ,
CS ,
RAS , CAS,WE ,
DQM0 - 3)
输入/输出电容
( DQ1 - DQ32 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
分钟。
2
2
2
马克斯。
5
5
7
单位
pF
pF
pF
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MD56V62320
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