OKI半导体
MD56V62160E
4-Bank
×
1,048,576-Word
×
16位同步动态RAM
FEDD56V62160E-01
发行日期： 2002年2月4日
描述
该MD56V62160E是4银行
×
1,048,576-word
×
16位同步动态RAM制作
Oki的硅栅CMOS技术。该器件工作在3.3 V的输入和输出是LVTTL
兼容。
特点
硅栅，四联多晶硅CMOS ， 1晶体管存储单元
×4行
×
1,048,576-word
×
16位配置
采用3.3 V单电源，
±0.3
V宽容
输入： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
- CAS延迟（ 1 ， 2 ， 3 ）
- 突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，全页）
- 数据加扰（连续，交错）
CBR自动刷新，自刷新功能
套餐：
54引脚400密耳的塑料TSOP （ Ⅱ型）
(
TSOP(2)54-P-400-0.80-K
)
（产品： MD56V62160E - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
马克斯。
频率
143兆赫
100兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
6纳秒
6纳秒
t
AC3
6纳秒
6纳秒
MD56V62160E-7
MD56V62160E-10
1/34
FEDD56V62160E-01
OKI半导体
MD56V62160E
引脚说明
CLK
CS
取出所有的输入为“H ”边沿。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
UDQM和LDQM 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址
： RA0 - RA11
列地址
： CA0 - CA7
Slects银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
CKE
地址
A13, A12
（ BA0 ， BA1 ）
RAS
CAS
WE
UDQM ，
LDQM
DQI
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
掩模时UDQM和LDQM被设置为“ H”的两个时钟后读出的数据在所述的“H”的边缘
时钟信号。口罩时UDQM和LDQM被设置为“H”相同的时钟的写入数据为“H ”
的时钟信号的边沿。 UDQM控制高字节和LDQM控制低字节。
数据输入/输出复用相同的引脚。
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FEDD56V62160E-01
OKI半导体
MD56V62160E
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
V
CC
电源电压
储存温度
功耗
短路输出电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CC
Q
T
英镑
P
D*
I
OS
T
OPR
价值
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到4.6
-55到150
1000
50
0到70
单位
V
V
°C
mW
mA
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
（电压参考V
SS
= 0 V)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
0.3
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
引脚电容
(V
BIAS
= 1.4 V， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ CLK ）
输入电容
（ RAS ，
CAS，WE ， CS ，
CKE ， UDQM ， LDQM ，
A0 - A13)
输入/输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
C
OUT
4
6.5
pF
C
IN
2.5
5
pF
符号
C
CLK
分钟。
2.5
马克斯。
4
单位
pF
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MD56V62160E
4-Bank
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1,048,576-Word
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16位同步动态RAM
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发行日期： 2002年2月4日
描述
该MD56V62160E是4银行
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1,048,576-word
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16位同步动态RAM制作
Oki的硅栅CMOS技术。该器件工作在3.3 V的输入和输出是LVTTL
兼容。
特点
硅栅，四联多晶硅CMOS ， 1晶体管存储单元
×4行
×
1,048,576-word
×
16位配置
采用3.3 V单电源，
±0.3
V宽容
输入： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容
刷新： 4096次/ 64毫秒
可编程的数据传输模式
- CAS延迟（ 1 ， 2 ， 3 ）
- 突发长度（ 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，全页）
- 数据加扰（连续，交错）
CBR自动刷新，自刷新功能
套餐：
54引脚400密耳的塑料TSOP （ Ⅱ型）
(
TSOP(2)54-P-400-0.80-K
)
（产品： MD56V62160E - xxTA ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
马克斯。
频率
143兆赫
100兆赫
访问时间（最大值）。
t
AC2
6纳秒
6纳秒
t
AC3
6纳秒
6纳秒
MD56V62160E-7
MD56V62160E-10
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OKI半导体
MD56V62160E
引脚说明
CLK
CS
取出所有的输入为“H ”边沿。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
UDQM和LDQM 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
行&列复用。
行地址
： RA0 - RA11
列地址
： CA0 - CA7
Slects银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和
在读列地址锁存时间/写。
CKE
地址
A13, A12
（ BA0 ， BA1 ）
RAS
CAS
WE
UDQM ，
LDQM
DQI
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
掩模时UDQM和LDQM被设置为“ H”的两个时钟后读出的数据在所述的“H”的边缘
时钟信号。口罩时UDQM和LDQM被设置为“H”相同的时钟的写入数据为“H ”
的时钟信号的边沿。 UDQM控制高字节和LDQM控制低字节。
数据输入/输出复用相同的引脚。
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MD56V62160E
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
V
CC
电源电压
储存温度
功耗
短路输出电流
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CC
Q
T
英镑
P
D*
I
OS
T
OPR
价值
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到4.6
-55到150
1000
50
0到70
单位
V
V
°C
mW
mA
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
（电压参考V
SS
= 0 V)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
, V
CC
Q
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
2.0
0.3
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
引脚电容
(V
BIAS
= 1.4 V， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ CLK ）
输入电容
（ RAS ，
CAS，WE ， CS ，
CKE ， UDQM ， LDQM ，
A0 - A13)
输入/输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
C
OUT
4
6.5
pF
C
IN
2.5
5
pF
符号
C
CLK
分钟。
2.5
马克斯。
4
单位
pF
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