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E2G0138-18-11
半导体
MD51V65405
半导体
这个版本: 1998年3月
MD51V65405
16,777,216-Word
4位动态RAM :与EDO快页模式类型
描述
该MD51V65405是16777216字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MD51V65405实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MD51V65405是一个32引脚塑料SOJ或32引脚塑料TSOP可用。
特点
16777216字
4位配置
3.3 V单电源供电,
±0.3
V宽容
=输入
: LVTTL兼容,低输入电容
输出: LVTTL兼容,三态
刷新:
RAS-只
刷新
: 4096次/ 64毫秒
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏
: 4096次/ 64毫秒
快速页面模式, EDO ,读 - 修改 - 写功能
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
封装选项:
32引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ32-P-400-1.27)
(产品: MD51V65405 - xxJA )
32引脚400密耳的塑料TSOP
( TSOPII32 -P - 400-1.27 -K ) (产品: MD51V65405 - xxTA )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MD51V65405-50
MD51V65405-60
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
84纳秒
104纳秒
504毫瓦
432毫瓦
1.8毫瓦
1/15
半导体
引脚配置(顶视图)


V
CC
1
32 V
SS
V
CC
1
32 V
SS
DQ1 2
31 DQ4
DQ1 2
NC 4
NC 5
NC 6
NC 7
31 DQ4
30 DQ3
29 NC
28 NC
DQ2 3
NC 4
NC 5
NC 6
NC 7
30 DQ3
29 NC
28 NC
27 NC
25
OE
DQ2 3
27 NC
25
OE
26
CAS
26
CAS
24 NC
WE
8
WE
8
RAS
9
24 NC
RAS
9
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
A4 14
A5 15
V
CC
16
32引脚塑料SOJ
23 A11
22 A10
21 A9
20 A8
19 A7
18 A6
17 V
SS
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
A4 14
A5 15
V
CC
16
23 A11
22 A10
21 A9
20 A8
19 A7
18 A6
17 V
SS
32引脚塑料TSOP
(K型)
引脚名称
A0 - A11
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源( 3.3 V )
接地( 0 V )
无连接
MD51V65405
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
2/15
半导体
MD51V65405
框图
WE
RAS
CAS
12
OE
I / O
调节器
产量
缓冲器
4
定时
发电机
4
DQ1 - DQ4
COLUMN
地址
缓冲器
国内
地址
计数器
12
列解码器
4
输入
缓冲器
4
A0 - A11
刷新
控制时钟
感测放大器
4
I / O
选择器
4
12
ROW
ROW
地址
12
Deco-
缓冲器
德尔斯
DRIVERS
内存
细胞
V
CC
芯片
V
BB
发电机
芯片
IV
CC
发电机
V
SS
3/15
半导体
MD51V65405
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
0
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
(大= 0 ° C至70 ° C)
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容( A0 - A11 )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V , TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/15
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MD51V65405
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
条件
MD51V65405
-50
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.0毫安
V
OL
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
+ 0.3 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
I
CC2
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
HPC
=最小值。
140
120
毫安1,3
140
120
毫安1,2
5
5
mA
1
140
120
毫安1,2
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
MD51V65405
-60
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
单位注
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
140
1
0.5
120
1
0.5
毫安1,2
mA
1
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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