E2G0138-18-11
半导体
MD51V65405
半导体
这个版本: 1998年3月
MD51V65405
16,777,216-Word
4位动态RAM :与EDO快页模式类型
描述
该MD51V65405是16777216字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MD51V65405实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MD51V65405是一个32引脚塑料SOJ或32引脚塑料TSOP可用。
特点
16777216字
4位配置
3.3 V单电源供电,
±0.3
V宽容
=输入
: LVTTL兼容,低输入电容
输出: LVTTL兼容,三态
刷新:
RAS-只
刷新
: 4096次/ 64毫秒
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏
: 4096次/ 64毫秒
快速页面模式, EDO ,读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
封装选项:
32引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ32-P-400-1.27)
(产品: MD51V65405 - xxJA )
32引脚400密耳的塑料TSOP
( TSOPII32 -P - 400-1.27 -K ) (产品: MD51V65405 - xxTA )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MD51V65405-50
MD51V65405-60
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
84纳秒
104纳秒
504毫瓦
432毫瓦
1.8毫瓦
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半导体
MD51V65405
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
0
—
—
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
(大= 0 ° C至70 ° C)
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容( A0 - A11 )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V , TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
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半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MD51V65405
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
条件
MD51V65405
-50
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.0毫安
V
OL
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
+ 0.3 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
I
CC2
RAS , CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
HPC
=最小值。
—
140
—
120
毫安1,3
—
140
—
120
毫安1,2
—
5
—
5
mA
1
—
140
—
120
毫安1,2
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
MD51V65405
-60
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
单位注
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
140
1
0.5
—
—
—
120
1
0.5
毫安1,2
mA
1
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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