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Supertex公司公司。
高速四通道MOSFET驱动器
特点
为6ns上升时间和下降时间
2A的峰值输出源/灌电流
1.2V至5V输入CMOS兼容
± 5V至± 12V的电源电压下运行
智能逻辑阈值
低抖动设计
四相匹配的渠道
驱动两个N和两个P沟道MOSFET
输出可以摆动低于地
内置电平转换器的负栅极偏压
用户自网络NED阻尼返回到零的应用
非反相栅极驱动器输出
D
为便于逻辑
低电感四方扁平的无引线封装
热增强型封装
MD1813
初始版本
概述
Supertex公司MD1813是一个高速的四通道MOSFET驱动器。这是
设计用于驱动两个N和两个P沟道,高电压DMOS场效应管的
医用超声波应用中,而是可以在任何应用程序中使用该
需要高输出电流为电容性负载。的输入级
MD1813是一种高速电平转换器,其能够从逻辑操作
的1.2至5.0伏的幅度的输入信号。自适应阈值电路是
用于设置电平转换器的阈值与输入逻辑的平均
0和逻辑1电平。电平转换器采用专有电路,
提供直流耦合在一起以高速运转。
的MD1813的输出级具有独立的电源连接,
使能输出信号L和H电平被独立选择
从驱动器的电源电压。作为一个例子,输入的逻辑电平可
为0V和1.8V时,控制逻辑可以通过+ 5V和-5V和供电
输出L和H电平,可以在任何地方改变了-5V的范围
到+ 5V 。输出级能够达到± 2安培峰值电流,
根据所使用的电源电压和负载电容。在OE
引脚具有双重作用。第一,它的逻辑高电平被用来计算
阈值电压电平的信道输入电平转换器。其次,
当OE为低电平时,输出被禁止,与A输出高,并且
B输出低电平。这有助于正确地预充电耦合电容器
可以使用串联在外部的PMOS的栅极驱动电路
和NMOS 。内置的电平移动器是用于PMOS栅极负偏压驱动。
它可以定义阻尼器产生的回报到零的用户自网络
双极性输出脉冲。该MD1813具有非反相驱动器输出
D
简单的逻辑。
应用
超声PN码发射器
医学超声成像
压电换能器驱动程序
无损检测
高速电平转换器
高电压双极性脉冲发生器
典型应用电路
+100V
+10V
0.22 F
14
V
DD
11
V
H
OUT
A
13
OUT
B
12
OUT
G
10
2K
OUT
C
DAMP
IN
D
6
GND
3
V
SS
7
2
V
L
V
4
-10V
10nF
OUT
D
8
9
10nF
-100V
+10V
1 F
0.47 F
10nF
ENAB
16 OE
15
A
3.3V CMOS
逻辑输入
脉冲
1
IN
B
LT
5
C
Supertex公司
TC6320
1 F
压电
传感器
0.47 F
Supertex公司
MD1813
Supertex公司
TC2320
NR031706
Supertex公司公司。
·
1235年波尔多驱动,桑尼维尔, CA 94089
·
联系电话: ( 408 ) 222-8888
·
传真: ( 408 ) 222-4895
·
www.supertex.com
1
MD1813
封装选项
设备
16引脚QFN 4x4x0.9
MD1813
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
MD1813K6-G
16引脚QFN ( K6 )套餐
16引脚QFN ( K6 )引脚CON组fi guration
16
13
1
12
MD1813
4
9
5
8
顶视图
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能
IN
B
V
L
GND
V
IN
C
IN
D
V
SS
OUT
D
OUT
C
OUT
G
V
H
OUT
B
OUT
A
V
DD
IN
A
OE
描述
逻辑输入。控制OUT
B
当OE为高电平。
.
电源电压的N沟道输出级。
设备接地。
电源电压辅助栅极驱动。
逻辑输入。控制OUT
C
当OE为高电平。
逻辑输入。控制OUT
D
当OE为高电平。
电源电压为低侧模拟,电平移位器和栅极驱动电路。
输出驱动器。
输出驱动器。
辅助输出驱动器。
电源电压的P沟道输出级
输出驱动器。
输出驱动器。
电源电压为高压侧的模拟,电平移位器和栅极驱动电路。
逻辑输入。控制OUT
A
当OE为高电平。
输出使能逻辑输入。
注:散热垫和引脚# 4 ,V
必须从外部进行连接。
NR031706
2
MD1813
绝对最大额定值
参数
V
DD
-V
SS
,逻辑电源电压
V
H
,输出高电源电压
V
L
,输出低电源电压
VSS ,低侧电源电压
V
-V
SS
,负电源电压
逻辑输入电平
最高结温
储存温度
焊接温度
封装功耗
价值
-0.5V至+ 13.5V
V
L
-0.5V到V
DD
+0.5V
V
SS
-0.5V到V
H
+0.5V
-7V至+ 0.5V
V
SS
-13.5V到V
SS
+0.5V
V
SS
-0.5V到V
SS
+7V
+125°C
-65 ℃150 ℃的
235°C
2.2W
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
DC电气特性
(V
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
= -12V, V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25
O
C)
符号
V
DD
-V
SS
V
SS
V
H
V
L
V
I
DDQ
I
HQ
I
NEGQ
I
DD
I
H
I
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
R
IN
C
IN
参数
逻辑电源电压
低端电源电压
输出高电压
输出低电压
负电源电压
V
DD
静态电流
V
H
静态电流
V
静态电流
V
DD
平均电流
V
H
平均电流
V
平均电流
输入逻辑电压高
输入逻辑电压低
输入逻辑电流高
输入逻辑电流低
OE输入逻辑电压高
OE输入逻辑电压低
逻辑输入阻抗GND
逻辑输入电容
4.5
-5.5
V
SS
+2
V
SS
-13
-
-
典型值
-
-
-
-
-
0.9
-
120
最大
13
0
V
DD
V
DD
-2
V
SS
-2
-
10
-
-
-
-
5.0
0.3
1.0
1.0
5.0
0.3
30
10
单位
V
V
V
V
V
mA
A
A
mA
mA
mA
V
V
A
A
V
V
K
pF
条件
---
---
---
---
可以连接到V
SS
IF OUT
G
未使用
---
-
-
-
V
OE
-0.3
0
-
-
1.8
0
12
-
8.0
22
1.0
-
-
-
-
-
-
20
5.0
V
H
= V
DD
= 12V, V
SS
= V
LL
= GND = 0V ,
V
= -12V,
就在5.0Mhz ,空载一个通道
对于逻辑输入IN
A
B
C
,与中
D
对于逻辑输入OE
---
NR031706
3
MD1813
输出
(V
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
= -12V, V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25
O
C)
符号
R
SINK
R
来源
I
SINK
I
来源
参数
输出电阻水槽
输出源电阻
峰值输出灌电流
峰值输出电流源
-
-
-
-
典型值
-
-
2.0
2.0
最大
12.5
12.5
-
-
单位
A
A
条件
I
SINK
= 50毫安
I
来源
= 50毫安
---
---
AC电气特性
(V
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
= -12V, V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25
O
C)
符号
t
IRF
t
PLH
t
PHL
t
POE
t
PCG
t
r
t
f
L T
r
- t
f
l
L T
PLH
-t
PHL
l
t
dm
参数
输入或OE &上升下降时间
当输出传播延迟
从低到高
当输出传播延迟
从高电平变为低电平
传播延迟OE为输出
传播延迟
C
到OUT
G
输出上升时间
输出下降时间
上升和下降时间匹配
传播从低到高和高
低匹配
传播延迟匹配
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
7.0
7.0
9.0
28
6.0
6.0
1.0
1.0
±2.0
最大
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
逻辑输入边沿速度的要求
C
负载
= 1000pF的,见时序图
输入信号的上升/下降时间为2ns
对于每个信道
设备到设备的延迟比赛
逻辑真值表
逻辑输入
OE
H
H
H
H
L
OE *
IN
A
L
L
H
H
X
IN
C
L
L
H
H
IN
B
L
H
L
H
X
IN
D
L
H
L
H
OUT
C
V
H
V
H
V
L
V
L
OUT
A
V
H
V
H
V
L
V
L
V
H
OUT
G
V
SS
V
SS
V
V
产量
OUT
B
V
H
V
L
V
H
V
L
V
L
OUT
D
**
V
L
V
H
V
L
V
H
注意:
*无控制OUT
G
, OUT
C
或OUT
D
,
** OUT
D
非反相输出
NR031706
4
MD1813
应用信息
为MD1813的正确操作,低电感的旁路
电容器应使用不同的电源引脚。在GND
引脚应连接到逻辑接地。在IN
A
B
C
D
和OE引脚应连接到一个逻辑信号源与摇摆
GND到V
CC
其中V
CC
是1.2至5.0伏。良好的跟踪行为
应遵循对应于所需的运行速度。
的MD1813的内部电路能够操作起来
至100MHz ,与主速度的限制是装载
负载电容的影响。因为这个速度和的
导致电容负载高瞬态电流,旁路
电容应尽量靠近芯片管脚越好。除非
负载具体来说,需要双极性驱动的V
SS
和V
L
引脚
应直接得低电感馈通连接
接地平面。如果这些电压不为零,则他们需要旁路
电容器,其方式类似于正电源。该
电源连接V
DD
应该有一个陶瓷旁路电容器到
地平面短引线和去耦组件
防止共振的电源线。
输出驱动器,输出
A
AND OUT
C
,驱动外部的P的栅极
沟道MOSFET ,而输出驱动器输出
B
AND OUT
D
驱动
门的外部的N沟道MOSFET ,它们从各个摆动
V
H
到V
L
。辅助输出驱动器,输出
G
,从V波动
SS
到V
,
并驱动外部P沟道MOSFET作为通过负偏压
2KΩ串联电阻。
Ⅴ的电压
H
和V
L
决定的输出信号电平。这些
两个引脚可以借鉴高达2A快速的瞬态电流,所以他们
应设适当的旁路电容提供
旁边的芯片引脚。达陶瓷电容1.0μF可能
适当时,用一系列铁氧体磁珠,以防止谐振,在
电源引线来给电容器。特别注意
尽量减少走线长度,电流回路面积,并使用SUF网络cient
迹线宽度,以减少电感。表面贴装元件的
强烈推荐。由于这个驱动器的输出阻抗为
非常低的,在某些情况下,可能希望添加一个小系列
电阻串联在输出信号,以获得更好的波形
变化在负载端子。当然,这将降低
输出电压的变化率,在容性负载的端子。
OE引脚设置逻辑的输入阈值电平(V
OE
+ V
GND
) /
2.当OE是低电平, OUT
A
是V
H
。 OUT
B
是V
L
,而不管
的投入
A
B
。该引脚将无法控制OUT
C
, OUT
D
或OUT
G
.
特别要注意的寄生耦合,从最小化
输出与输入信号的端子。可寄生反馈
引起振荡或虚假的波形形状上的边缘
信号转换。由于输入工作在低至信号
1.2V ,即使是小的耦合电压可能会造成问题。利用
在硬地面上,良好的电源和信号布局的做法
将避免这个问题。要小心,循环地
返回电流从电容性负载无法与普通的反应
电感引起的输入逻辑电路的噪声电压。最好的
对于OUT获得时序性能
C
时的电压(V
SS
-
V
) = (V
H
-V
L
).
当逻辑输入为高电平时,输出摆幅为V
L
,并且当输入
逻辑低电平,输出摆幅为V
H
。所有输入必须保持为低电平,直到
该设备上电。
NR031706
5
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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