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MD1810
高速四通道MOSFET驱动器
特点
为6ns上升时间和下降时间与1000pF的负载
2A的峰值输出源/灌电流
1.2V至5V输入CMOS兼容
5V至12V的总电源电压
智能逻辑阈值
低抖动设计
四个匹配的渠道
输出可以摆动低于地
输出为高阻抗时禁用
低电感封装
高性能热增强型
概述
Supertex公司MD1810是一个高速四MOSFET
驱动程序。它被设计用于驱动高电压P和N沟道
MOSFET的医学超声成像应用。该
MD1810也可用于超声金属佛罗里达州AW检测
无损检测试验,压电换能器的驱动器,
时钟驱动器, PIN二极管驱动器。
该MD1810具有四个输入端,分别控制4
输出。它也有一个输出使能(OE )引脚。当OE为低电平时,
所有的输出都将处于高阻抗状态,而不管
他们的逻辑输入控制。当OE为高电平时, MD1810套
阈值逻辑过渡至(Ⅴ
OE
+V
GND
)/ 2。这确保了
过渡到总是处于逻辑输入的一半振幅
信号。这使得器件具有固有的传播
延迟匹配,无论逻辑输入幅度。
在MD1810的输出级有单独的电源
连接使能输出信号L和H电平为
从V独立地选择
DD
和V
SS
电源电压。
作为一个例子,输入的逻辑电平可以是0和1.8伏特,
所述控制逻辑可以通过5和-5伏供电,并且
输出L和H电平,可以在任何地方改变在范围
在-5到+5伏。输出级能够峰值电流的
的±2安培,这取决于所使用的电源电压和
负载电容存在。
应用
医学超声成像
压电换能器驱动程序
无损检测
PIN二极管驱动器
CCD时钟驱动器/缓冲器
高速电平转换器
典型应用电路
+100V
+12V
+12V
1.0μF
0.47μF
0.47μF
V
DD
OE
INA
OUTA
V
H
10nF
10nF
-100V
1.0μF
+10V
3.3V CMOS
逻辑输入
INB
OUTB
Supertex公司
TC6320TG
INC。
OUTC
1.0μF
IND
OUTD
10nF
GND V
SS
V
L
10nF
Supertex公司MD1810
Supertex公司
TC6320TG
1.0μF
-10V
MD1810
订购信息
封装选项
设备
MD1810
θ
JA
16引脚QFN
采用4x4mm身体, 1.0毫米高度(最大) , 0.65mm节距
MD1810K6-G
45 ℃/ W( 1盎司4层3x4inch PCB)
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
绝对最大额定值
参数
V
DD
-V
SS
,逻辑电源电压
V
H
,输出高电源电压
V
L
,输出低电源电压
V
SS
低侧电源电压
逻辑输入电平
最高结温
储存温度
焊接温度
封装功耗
价值
-0.5V至+ 13.5V
V
L
-0.5V到V
DD
+0.5V
V
SS
-0.5V到V
H
+0.5V
-7V至+ 0.5V
V
SS
-0.5V到V
SS
+7V
+125°C
-65 ℃150 ℃的
235°C
2.2W
产品标识
1810
YWLL
Y =最后位数年份的密封
W =代码密封一周
L =批号
= “绿色”包装
16引脚QFN封装
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不
暗示。该设备在绝对水平等级连续操作
影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
DC电气特性
(V
符号。
V
DD
-V
SS
V
SS
V
H
V
L
I
DDQ
I
HQ
I
DD
I
H
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
R
IN
C
IN
参数
逻辑电源电压
低端电源电压
输出高电压
输出低电压
V
DD
静态电流
V
H
静态电流
V
DD
平均电流
V
H
平均电流
输入逻辑电压高
输入逻辑电压低
输入逻辑电流高
输入逻辑电流低
OE输入逻辑电压高
OE输入逻辑电压低
逻辑输入阻抗GND
逻辑输入电容
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25°C)
分钟。
4.5
-5.5
V
SS
+2
V
SS
-
-
-
-
V
OE
-0.3
0
-
-
1.2
0
12
-
典型值。
-
-
-
-
0.8
-
7.0
18
-
-
马克斯。
13
0
V
DD
V
DD
-2
-
10
-
-
5.0
0.3
1.0
单位
V
V
V
V
mA
A
mA
mA
V
V
A
A
V
V
K
pF
条件
---
---
---
---
没有输入转换, OE = 1
就在5.0Mhz ,空载一个通道
对于逻辑输入INA , INB , INC ,和
IND
-
-
-
20
5.0
1.0
5
0.3
30
10
对于逻辑输入OE
---
2
MD1810
输出
(V
符号。
R
SINK
R
来源
I
SINK
I
来源
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25°C)
参数
输出电阻水槽
输出源电阻
峰值输出灌电流
峰值输出电流源
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.0
2.0
马克斯。
12.5
12.5
-
-
单位
A
A
条件
I
SINK
= 50毫安
I
来源
= 50毫安
---
---
AC电气特性
(V
符号。
t
IRF
t
PLH
t
PHL
t
POE
t
r
t
f
L T
r
- t
f
l
L T
PLH
-
t
PHL
l
t
dm
参数
输入或OE &上升下降时间
传播延迟时,输出
是从低到高
传播延迟时,输出
是前高后低
传播延迟OE为输出
输出上升时间
输出下降时间
上升和下降时间匹配
传播从低到高和高
低匹配
传播延迟匹配
H
= V
DD
= 12V, V
L
= V
SS
= GND = 0V ,V
OE
= 3.3V ,T
J
= 25°C)
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
7.0
7.0
9.0
6.0
6.0
1.0
1.0
±2.0
马克斯。
10
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
条件
逻辑输入边沿速度的要求
C
负载
= 1000pF的,见时序图
输入信号的上升/下降时间为2ns
对于每个信道
设备到设备的延迟比赛
逻辑真值表
逻辑输入
OE
H
H
L
IN
L
H
X
产量
V
L
V
H
高Z
时序图
1.8V
IN
0V
t
PLH
12V
OUT
0V
10%
t
r
t
f
10%
90%
t
PHL
90%
50%
50%
V
TH
/ V
OE
曲线
V
TH
V
OE
V
TH
2.0
1.5
1.0
V
OE/2
0.6V
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
OE
3
MD1810
简化的框图
详细的框图。
OE
水平
V
DD
V
H
V
SS
V
DD
OUTA
INA
水平
V
SS
V
DD
V
L
V
H
V
SS
V
DD
OUTB
INB
水平
V
SS
V
DD
V
L
V
H
V
SS
V
DD
OUTC
INC。
水平
V
SS
V
DD
V
L
V
H
V
SS
V
DD
OUTD
IND
水平
GND
V
SS
V
L
4
MD1810
典型应用
2通道+ 100V -100V至脉冲发生器
+100V
+12V
+12V
0.1F
0.47μF
0.47μF
V
DD
OE
INA
OUTA
V
H
10nF
压电
传感器
10nF
-100V
INB
3.3V CMOS
逻辑输入
INC。
OUTB
Supertex公司
TC6320TG
0.1F
+100V
OUTC
0.1F
IND
OUTD
10nF
压电
传感器
GND V
SS
V
L
Supertex公司
MD1810
10nF
-100V
Supertex公司
TC6320TG
0.1F
单通道± 100V为0V脉冲发生器
+100V
+5.0V
+5.0V
0.1F
0.47μF
0.47μF
V
DD
OE
INA
OUTA
V
H
10nF
压电
传感器
10nF
-100V
INB
3.3V CMOS
逻辑输入
INC。
OUTB
Supertex公司
TC6320
0.1F
OUTC
IND
OUTD
GND
-5.0V
V
SS
V
L
-5.0V
0.47μF
0.47μF
Supertex公司
MD1810
Supertex公司
TC2320
5
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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