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2.5V至12V
输出MD1322F
描述
公司名称
28
TAB2
15
型号
该MD1322F是一个高效率的降压型DC-DC转换器
电源与主开关MOSFET和肖特基集成电路
垒二极管。该MD1322F可以提供最大的7.5瓦特
( 5V , 3.0A ),高效率,在很宽的输入电压范围。
该器件具有输出电压数字选择从2.5V到12V 。
与MD1322F可以构建一个完整的DC-DC转换器
只使用很少的外部元件。它采用了HSOP 28脚
新电元
MD1322F
5030N
1
TAB1
14
12.23
+ 0.3
8.8
+ 0.1
LOT号
表面贴装封装, MD1322F允许你加入
在您的电路板非常小且薄的电源。
框图
VREF
26
特点
VBOOT
6
VCC
5
VB
23
VG
22
V
DD
TAB2
s
高效率
s
宽广的输入电压范围内的负载
8VDC到30VDC
截至3ADC
s
输出电压选择功能
启动
START=7.2V
STOP=6.7V
BOOT参考
Vref=6.5V
司机
Vref=Vout+5.8V
参考
Vref=5V±5%
TSD
100C
150C
主开关
MOS关闭
司机
2.5V至12V
s
内部开关功率器件
TAB1
误差放大器
-
+
2.45V
PWM COMP
+
VOUT
主MOSFET的开关
SBD整顿
s
250kHz的固定频率PWM
无需外部电阻器和电容器
s
过电流保护
-
Q
3V
1V
OSC
f=250kHz
CLM Vth的=
0.1~0.2V
R
S
+
-
28
27
1
2
3
4.24
8-11
AMP-
AMPOUT
S/S
OCL-
OCL +
GND
P.GND
s
热关断功能
引脚分配
针#
1
2
3
4
VOUT : TAB1
TAB2 : V
DD
S/S: 1
OCL- : 2
OCL + : 3
GND : 4
VCC: 5
VBOOT : 6
N / C: 7
28 : AMP-
27 : AMPOUT
26 :VREF :
25 : VTS
24 : GND
23 : VB
22 : VG
符号
S/S
OCL-
OCL +
GND
VCC
VBOOT
N / C
P.GND
N / C
VG
VB
GND
VTS
VREF
AMPOUT
AMP-
VOUT
VDD
功能说明
电容的软启动
过流保护( OCL ) ( - )
过流保护( OCL ) ( + )
信号地
输入电压
高侧驱动电源的主MOS
非连接
电源GND
非连接
主MOS管栅极端子
VB与VOUT之间的自举电容
信号地
输出电压可选终端
内部参考电压
误差放大器输出
误差放大器( - )输入
功率级的输出
主MOS开关的漏
5
6
7
8 ~ 11
12 ~ 21
22
23
24
25
26
27
28
TAB1
TAB2
P.GND : 8
P.GND : 9
P.GND : 10
P.GND : 11
N / C: 12
N / C: 13
N / C: 14
21 :N / C
20 :N / C
19 :N / C
18 :N / C
17 :N / C
16 :N / C
15 :N / C
s
VREF
- 温度补偿内部电压。你可以拉1毫安
最大外部电路。
s
OSC
- 使用无外部元件内部振荡器。
频率(锯齿波形式)被调整到250kHz的芯片。
s
误差放大器
- 误差放大器检测的直流 - 直流变换器的输出电压
并控制PWM信号。您可以在调节环路增益
连接AMPOUT和之间的反馈电阻和电容
AMP( - ) 。它将提供稳定的相位补偿。
s
过电流保护
- 使用脉冲通过脉冲电流
保护。外部电流的电流被感测的电压降
传感电阻器。 OCL的门槛0.19V 。
1 - 8 0 0 - 6 3 4 - 3 6 5 4
2.5V-12V
输出MD1322F
绝对最大额定值
参数
线电压
输出MOS输入电压
输出电流( AVE)的
输出电流(峰值)
OCL- , OCL +端电压
储存温度
结温
符号
V
IN
V
DD
I
OUT
AVE
I
OUT
PEAK
V
OCL
TSTG
Tj
等级
32
32
3
4
5.5
-40 ~ 150
150
(Ta=25°C)
单位
V
V
A
A
V
°C
°C
输出设定电压
2.5V ~5.3V
& LT ;
= 6V
& LT ;
= 8V
& LT ;
= 12V
输出电流
3A
2.5V
2A
1.5A
推荐工作条件
参数
输入电压
输出电压设定范围
工作温度
推荐
8 ~ 30
2.5 ~ 12
-10 ~ 80
单位
V
V
°C
输出电流降低FOR 5.3V或
更高的输出
电气特性
参数
高端MOS
- S间电压
高端MOS
漏电流中断
高端MOS
漏源导通电阻
高端MOS
源极 - 漏极狄正向电压
低端SBD
峰值反向电压
低端SBD
正向电压
低端SBD
反向电流
开始
电压
停止
电压
STOP- START
电压迟滞
消耗电流
BOOT端电压
内部参考电压
初始振荡
频率
过流阈值电压
软启动
当前终端
误差放大器参考电压
过电流保护
工作温度
符号
条件
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
典型值
最大
-
10
250
1.5
-
0.55
2
7.9
7.4
-
10
7.6
5.25
287.5
0.218
-5
2.5
-
(Ta=25°C)
单位
VDSS
IDSS
罗恩
V
SD
V
RM
V
F
I
R
Vcc_start
Vcc_stop
Vcc_hys
ICC
VBOOT
VREF
FOSC
Vth_OCL
I
S
/
S
VAMP
T_TSD
32
-
-
-
40
-
-
6.5
6.0
-
-
5.4
4.75
212.5
0.162
-20
2.4
-
-
-
140
-
-
-
-
7.2
6.7
0.5
8
6.5
5
250
0.19
-12.5
2.45
150
V
uA
m
V
V
V
mA
V
V
V
mA
V
V
千赫
V
uA
V
°C
I
D
= 1.2A ,V
GS
=4V
I
S
= 1.2A ,V
DS
=0V
-
I
F
=1.2A
V
R
=V
RM
-
-
-
VCC = 8V 30V
VCC = 8V 30V
VCC = 8V 30V
Vcc=24V
Vcc=24V
Vcc=24V
VCC = 8V 30V
-
1 - 8 0 0 - 6 3 4 - 3 6 5 4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MD1332F
    -
    -
    -
    -
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联系人:刘先生
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