飞思卡尔半导体公司
超前信息
文档编号： MC34652
修订版8.0 ， 2/2007
2.0负电压热
热插拔控制器与增强
可编程性
该34652是一款高度集成 - 48 V带热插拔控制器
内部功率MOSFET 。它提供了一种方式，以安全地安装和
取出活板 - 48 V背板，无需电源
关闭整个系统。它规定了浪涌电流，从
供应给负载的滤波电容器，对一个用户可编程的限制，
使系统的安全稳定。禁用功能允许
用户可以手动地或者通过一个微处理器禁用34652和
安全地断开，从主电力线的负载。
在34652具有高电平有效和低电平有效的电源良好输出
信号可以被用于直接使电源模块的负载。
可编程欠压和过压检测电路监测
输入电压，以检查它是否是其操作范围内。
可编程的启动延时定时器确保它是安全的开启
功率MOSFET和充电的负载电容。
一个双级限流的方法来控制浪涌电流
和负载切换限制了峰值功率耗散
功率MOSFET 。两个电流限制是用户可编程的。
特点
集成功率MOSFET和控制IC在小外形
包
输入工作电压范围从-15 V至 - 80 V
与自动重试可编程过流限制
可编程充电负载的电流限制独立
电容
可编程的启动和重试延迟计时器
可编程的过压和欠压检测
活动的高和低电源良好输出信号
热关断
无铅封装用后缀代码EF指定
34652
热插拔
SCALE 2 ： 1
EF后缀（无铅）
98ASB42566B
16 -PIN SOICN
订购信息
设备
MC34652EF / R2
- 40 ° C至85°C
MCZ34652EF / R2
16 SOICN
温度
范围（T
A
)
包
34652
关闭
PG
GND
系统
动力
供应
（背板）
-48 V
VPWR
PG
UV
OV
VIN
ICHG
可选
外
组件
ILIM
定时器
可选
外
组件
VOUT
负载
应用
依赖的
图1. 34652简化应用图
*本文件包含一个新的产品的特定信息。
规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司2007年版权所有。
引脚连接
引脚连接
VIN
PG
PG
VOUT
VOUT
定时器
NC
VIN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VIN
ICHG
ILIM
关闭
VPWR
UV
OV
VIN
图3. 16 - SOICN引脚连接
表1. 16 SOICN引脚定义
每个引脚的功能描述可以在找到
功能引脚说明
部分自
第10页。
针
1, 8, 9, 16
2
3
4, 5
6
7
10
11
12
13
引脚名称
VIN
PG
PG
VOUT
定时器
NC
OV
UV
VPWR
关闭
正式名称
负电源
输入电压
电源良好输出
（高电平有效）
电源良好输出
（低电平有效）
输出电压
启动和重试
延时定时器
无连接
过压控制
欠压控制
正电源
输入电压
禁止输入控制
德网络nition
这是最负电源输入端。除了禁用所有引脚均引用
到该输入端。
这是一个积极的高电源良好输出信号。该引脚被引用到VIN 。
这是一个低电平有效的电源良好输出信号。该引脚被引用到VIN 。
该引脚是内部功率MOSFET的漏极和提供电流限制电压
到负载。
这个输入被用来控制用于产生定时序列在时基
启动和重试延迟如果设备出现任何故障。
未连接。
该引脚用于设置的输入电压操作范围的上限。
该引脚用于设置的输入电压操作范围的下限。
这是最-正电源输入端。加载这个引脚和连接之间
VOUT引脚。
该引脚用于容易地断开连接或从主电源线由连接所述负载
禁用或启用34652.它也可以被用来复位故障条件
造成“电源没有好”的信号。该引脚为参考VPWR 。
该引脚用于设定正常运转时的过电流限制。
该引脚用于设置负载的输入电容器充电电流的限制，从而限制了
涌流到一个已知的恒定值。
14
15
ILIM
ICHG
限流控制
充电电流
极限控制
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模拟集成电路设备数据
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电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
电气额定值
电源电压
功率MOSFET的能量容量
连续输出电流
(2)
最大电压
禁用引脚
UV引脚
OV ， ILIM ， ICHG和TIMER引脚
PG引脚（V
PG
- V
IN
)
PG
引脚（V
PG
- V
IN
)
符号
价值
单位
V
PWR
E
MOSFET
I
O（ CONT
)
—
—
—
—
—
—
—
V
ESD3
V
ESD4
85
变化
(1)
2.0
V
mJ
A
V
V
IN
- 0.3 V
PWR
+ 5.5
7.0
5.0
85
85
- 0.3
内部限制
± 2000
± 200
V
A
V
所有引脚的最小电压
PG ，
PG
最大电流
ESD电压，所有引脚
(3)
人体模型
机器型号
热额定值
储存温度
工作温度
环境
(4)
连接点
T
英镑
T
A
T
J
- 65 150
°C
°C
- 40-85
- 40至160
笔记
1.参考一节
第23页上的功率MOSFET节能能力
有关此参数的详细说明。
2.连续输出电流能力，只要为T
J
is
≤
160
°
C.
3.
4.
ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100pF电容，R
ZAP
= 1500
),
ESD2测试是在执行
根据机器模型（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
限制因素是结点温度，考虑到功耗，耐热性，和散热。
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模拟集成电路设备数据
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电气特性
最大额定值
表2.最大额定值（续）
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
评级
电气额定值
峰值包回流温度在回流
(5), (6)
热阻
(7)
,
(8)
(9)
符号
价值
单位
T
PPRT
注6
°C
° C / W
结到环境，单层板
R
θ
JA
R
θ
JMA
103
65
结到环境，四层板
(10)
笔记
5.引脚焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
6.飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ）
部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀，进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即
MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
7.请参考章节
第16页上的热关断
为在各种条件下的多个热电阻的值。
8. VOUT和VIN引脚包括主热传导路径。
9.每SEMI G38-87和JEDEC JESD51-2与单层电路板（ JESD51-3 ）水平。
10.根据JEDEC JESD51-6与板（ JESD51-7 ）水平。有包连接到在两个平面没有热通孔
板。
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