飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MC33290
REV 8.0 ， 8/2008
ISO K线串行接口
在33290的目的是提供一个串行链路总线接口器件
双向半双工通信在汽车的接口
诊断应用程序。它被设计之间的接口
车辆的车载微控制器和系统板外车辆
通过ISO特殊K线。该33290是专为满足
诊断系统ISO9141规范。该器件的K线巴士
驱动器的输出得到充分保护，以防止总线短裤
温度过高的情况。
在33290获得它的稳健性对温度和电压
极端通过被建在一个SMARTMOS工艺，结合
CMOS逻辑电路，双极/ MOS模拟电路和DMOS功率场效应管。
虽然33290是主要针对汽车
应用程序，它适合于其它串行通信的应用程序。
它是参数化过的环境温度范围内指定
-40C
≤
T
A
≤
125℃和8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V电源。经济
SO- 8表面贴装塑料封装，使33290很划算
有效的。
特点
33290
ISO9141物理接口
后缀
EF后缀（无铅）
98ASB42564B
8针SOICN
订购信息
温度
范围（T
A
)
-40至125℃的
包
设备
工作在8.0宽电源电压为18V
经营温度-40 125℃
MC33290D/R2
可直接与标准CMOS微处理器
MCZ33290EF/R2
ISO K线PIN保护对地短路
与迟滞热关断
ISO K线引脚能够进行高电流的
ISO K线可以驱动与寄生虫高达10 nF的
电容
8.0 kV ESD保护功能可实现与一些附加组件
待机模式：无V
BAT
漏电流与V
DD
在5.0 V
低漏电流在操作过程中与V
DD
在5.0 V
无铅封装用后缀代码EF指定
8-SOICN
+ VBAT
VDD
33290
VDD
MCU
Dx
工程干
x
SCITx
CEN
RX
TX
ISO
GND
VDD
VBB
ISO K线
牛逼XD
的xD
图1. 33290简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利，如
可能需要的，以允许改善其产品的设计。
飞思卡尔半导体公司， 2006-2008 。版权所有。
引脚连接
引脚连接
VBB
NC
GND
ISO
1
1
2
2
3
3
4
4
88
77
66
55
CEN
VDD
RX
TX
图3. 33290引脚连接
表1. 33290引脚定义
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VBB
NC
GND
ISO
TX
RX
VDD
CEN
德网络nition
通过外部电阻器和二极管的电池电量。
不被连接。
(1)
常见的信号和电源的回报。
总线连接。
逻辑电平输入的数据被发送到总线上。
接收总线上的数据的逻辑输出。
逻辑电源输入。
芯片使能。逻辑“1”为有效状态。逻辑“0”为休眠状态。
笔记
1. NC引脚不应该向他们提出任何连接。 NC引脚不保证开路。
33290
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
等级
VDD直流电源电压
VBB抛负载峰值电压
ISO引脚抛负载峰值电压
(2)
ISO短路电流限制
ESD电压
(3)
人体模型
(4)
机器型号
(4)
ISO钳位能量
(5)
储存温度
工作温度
工作结温
功耗
T
A
= 25°C
峰值包回流温度在回流
(6)
,
(7)
热阻
结到环境
T
PPRT
R
θJA
150
V
ESD1
V
ESD2
E
钳
T
英镑
T
C
T
J
P
D
0.8
注7 。
°C
° C / W
±2000
±200
10
-55到+150
-40到+125
-40到+150
mJ
°C
°C
°C
W
符号
V
DD
V
BB （ LD ）
V
ISO
I
ISO （ LIM ）
价值
-0.3 7.0
45
40
1.0
单位
V
V
V
A
V
笔记
2.设备将生存双电池跳跃开始条件中进行10分钟的持续时间典型的应用，但不能保证留
在这个时间过程中指定参数的限制。
3. ESD数据可根据要求提供。
4. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
Ω),
ESD2测试是在执行
根据机器模型（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
Ω).
5.
6.
7.
非重复性钳位能力在25 ℃。
销焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ）
部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀，进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即
MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
33290
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性
特点4.75 V条件下注意
≤
V
DD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V ， -40°C
≤
T
C
≤
125 ℃，除非另有
指出。
特征
电源和控制
V
DD
睡眠状态电流
T
x
= 0.8 V
DD
， CEN = 0.3 V
DD
V
DD
静态工作电流
T
x
= 0.2 V
DD
， CEN = 0.7 V
DD
V
BB
睡眠状态电流
V
BB
= 16 V ，T
x
= 0.8 V
DD
， CEN = 0.3 V
DD
V
BB
静态工作电流
T
X
= 0.2 V
DD
， CEN = 0.7 V
DD
芯片使能
输入高电压阈值
(8)
输入低电压阈值
(9)
芯片使能下拉电流
(10)
T
X
输入低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(11)
T
X
输入高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(12)
T
X
上拉电流
(13)
R
X
输出低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.2 V
DD
, R
x
下沉1.0毫安
R
X
输出高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.8 V
DD
, R
X
采购250 μA
热关断
(14)
T
LIM
V
OH器（Rx ）
0.8 V
DD
150
I
PU （TX）
V
OL （ Rx）的
V
IH （TX）
0.7× V
DD
-40
V
IH （ CEN ）
V
白细胞介素（ CEN ）
I
PD （ CEN ）
V
白细胞介素（TX）
0.7 V
DD
I
BB （Q）的
I
BB （ SS ）
I
DD （ Q）
I
DD （ SS ）
mA
符号
民
典型值
最大
单位
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
mA
1.0
A
50
mA
1.0
V
–
0.3 V
DD
40
A
V
–
2.0
–
0.3× V
DD
V
–
–
–
-2.0
A
V
–
–
–
170
0.2 V
DD
V
–
–
°C
笔记
8.当伊布转变到>100 μA 。
9.当伊布转变到<100 μA 。
10.使能引脚有一个内部电流拉下来。下拉电流在0.3 V测量CEN引脚
DD
.
11.
12.
13.
14.
测量通过抬高牛逼
X
从0.7 V下降
DD
并注意到牛逼
X
价值在哪ISO低于0.2 V
BB
.
测量通过抬高牛逼
X
从0.3 V
DD
并指出在该ISO高于0.9 V的价值
BB
.
T
x
引脚具有内部电流拉了起来。上拉电流的测量和T
X
销0.7 V
DD
.
热关断性能（T
LIM
）由设计保证，但未经生产测试
.
33290
模拟集成电路设备数据
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5
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技术参数
文档编号： MC33290
REV 8.0 ， 8/2008
ISO K线串行接口
在33290的目的是提供一个串行链路总线接口器件
双向半双工通信在汽车的接口
诊断应用程序。它被设计之间的接口
车辆的车载微控制器和系统板外车辆
通过ISO特殊K线。该33290是专为满足
诊断系统ISO9141规范。该器件的K线巴士
驱动器的输出得到充分保护，以防止总线短裤
温度过高的情况。
在33290获得它的稳健性对温度和电压
极端通过被建在一个SMARTMOS工艺，结合
CMOS逻辑电路，双极/ MOS模拟电路和DMOS功率场效应管。
虽然33290是主要针对汽车
应用程序，它适合于其它串行通信的应用程序。
它是参数化过的环境温度范围内指定
-40C
≤
T
A
≤
125℃和8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V电源。经济
SO- 8表面贴装塑料封装，使33290很划算
有效的。
特点
33290
ISO9141物理接口
后缀
EF后缀（无铅）
98ASB42564B
8针SOICN
订购信息
温度
范围（T
A
)
-40至125℃的
包
设备
工作在8.0宽电源电压为18V
经营温度-40 125℃
MC33290D/R2
可直接与标准CMOS微处理器
MCZ33290EF/R2
ISO K线PIN保护对地短路
与迟滞热关断
ISO K线引脚能够进行高电流的
ISO K线可以驱动与寄生虫高达10 nF的
电容
8.0 kV ESD保护功能可实现与一些附加组件
待机模式：无V
BAT
漏电流与V
DD
在5.0 V
低漏电流在操作过程中与V
DD
在5.0 V
无铅封装用后缀代码EF指定
8-SOICN
+ VBAT
VDD
33290
VDD
MCU
Dx
工程干
x
SCITx
CEN
RX
TX
ISO
GND
VDD
VBB
ISO K线
牛逼XD
的xD
图1. 33290简化应用图
飞思卡尔半导体公司保留随时更改细节规格的权利，如
可能需要的，以允许改善其产品的设计。
飞思卡尔半导体公司， 2006-2008 。版权所有。
引脚连接
引脚连接
VBB
NC
GND
ISO
1
1
2
2
3
3
4
4
88
77
66
55
CEN
VDD
RX
TX
图3. 33290引脚连接
表1. 33290引脚定义
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VBB
NC
GND
ISO
TX
RX
VDD
CEN
德网络nition
通过外部电阻器和二极管的电池电量。
不被连接。
(1)
常见的信号和电源的回报。
总线连接。
逻辑电平输入的数据被发送到总线上。
接收总线上的数据的逻辑输出。
逻辑电源输入。
芯片使能。逻辑“1”为有效状态。逻辑“0”为休眠状态。
笔记
1. NC引脚不应该向他们提出任何连接。 NC引脚不保证开路。
33290
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
最大额定值
电气特性
最大额定值
表2.最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。超过这些额定值可能会导致故障或
永久损坏设备。
等级
VDD直流电源电压
VBB抛负载峰值电压
ISO引脚抛负载峰值电压
(2)
ISO短路电流限制
ESD电压
(3)
人体模型
(4)
机器型号
(4)
ISO钳位能量
(5)
储存温度
工作温度
工作结温
功耗
T
A
= 25°C
峰值包回流温度在回流
(6)
,
(7)
热阻
结到环境
T
PPRT
R
θJA
150
V
ESD1
V
ESD2
E
钳
T
英镑
T
C
T
J
P
D
0.8
注7 。
°C
° C / W
±2000
±200
10
-55到+150
-40到+125
-40到+150
mJ
°C
°C
°C
W
符号
V
DD
V
BB （ LD ）
V
ISO
I
ISO （ LIM ）
价值
-0.3 7.0
45
40
1.0
单位
V
V
V
A
V
笔记
2.设备将生存双电池跳跃开始条件中进行10分钟的持续时间典型的应用，但不能保证留
在这个时间过程中指定参数的限制。
3. ESD数据可根据要求提供。
4. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
Ω),
ESD2测试是在执行
根据机器模型（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
Ω).
5.
6.
7.
非重复性钳位能力在25 ℃。
销焊接温度极限是10秒，最长持续时间。设计不适用于浸渍钎焊。超过这些限制可能
造成故障或设备造成永久性损坏。
飞思卡尔的包装回流焊功能符合JEDEC标准J- STD-020C标准的无铅要求。峰值包回流
温度和潮湿敏感度等级（ MSL ）
部件编号去www.freescale.com ，搜索如删除前缀/后缀，进入核心ID来查看所有可订购的零件。 （即
MC33xxxD进入33xxx ） ，并需要技术审查。
33290
4
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性
特点4.75 V条件下注意
≤
V
DD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
V
BB
≤
18 V ， -40°C
≤
T
C
≤
125 ℃，除非另有
指出。
特征
电源和控制
V
DD
睡眠状态电流
T
x
= 0.8 V
DD
， CEN = 0.3 V
DD
V
DD
静态工作电流
T
x
= 0.2 V
DD
， CEN = 0.7 V
DD
V
BB
睡眠状态电流
V
BB
= 16 V ，T
x
= 0.8 V
DD
， CEN = 0.3 V
DD
V
BB
静态工作电流
T
X
= 0.2 V
DD
， CEN = 0.7 V
DD
芯片使能
输入高电压阈值
(8)
输入低电压阈值
(9)
芯片使能下拉电流
(10)
T
X
输入低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(11)
T
X
输入高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω
(12)
T
X
上拉电流
(13)
R
X
输出低电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.2 V
DD
, R
x
下沉1.0毫安
R
X
输出高电压阈值
R
ISO
= 510
Ω,
T
X
= 0.8 V
DD
, R
X
采购250 μA
热关断
(14)
T
LIM
V
OH器（Rx ）
0.8 V
DD
150
I
PU （TX）
V
OL （ Rx）的
V
IH （TX）
0.7× V
DD
-40
V
IH （ CEN ）
V
白细胞介素（ CEN ）
I
PD （ CEN ）
V
白细胞介素（TX）
0.7 V
DD
I
BB （Q）的
I
BB （ SS ）
I
DD （ Q）
I
DD （ SS ）
mA
符号
民
典型值
最大
单位
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.1
mA
1.0
A
50
mA
1.0
V
–
0.3 V
DD
40
A
V
–
2.0
–
0.3× V
DD
V
–
–
–
-2.0
A
V
–
–
–
170
0.2 V
DD
V
–
–
°C
笔记
8.当伊布转变到>100 μA 。
9.当伊布转变到<100 μA 。
10.使能引脚有一个内部电流拉下来。下拉电流在0.3 V测量CEN引脚
DD
.
11.
12.
13.
14.
测量通过抬高牛逼
X
从0.7 V下降
DD
并注意到牛逼
X
价值在哪ISO低于0.2 V
BB
.
测量通过抬高牛逼
X
从0.3 V
DD
并指出在该ISO高于0.9 V的价值
BB
.
T
x
引脚具有内部电流拉了起来。上拉电流的测量和T
X
销0.7 V
DD
.
热关断性能（T
LIM
）由设计保证，但未经生产测试
.
33290
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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