半导体

1999年4月

亲

CES

NS

N

RAW W DESIG

ITHD

E

RT宽E - 否不详

A

P

ET

SOL

S OB

MCTV75P60E1,

MCTA75P60E1

JEDEC风格- 247 5 - LEAD

阳极

阳极

阴极

回门

门

75A ， 600V

p型MOS控制晶闸管（ MCT）的

包

特点

75A ， -600V

V

TM

= -1.3V （最大）在I = 75A和150

o

C

2000A浪涌电流能力

2000A / μs的di / dt的能力

MOS绝缘栅控制

120A门极可关断能力为150

o

C

描述

在MCT是一种MOS控制晶闸管的设计进行切换

打开和关闭电流通过的消极和积极的脉冲控制

绝缘MOS栅极。它被设计成用于电机控制，

逆变器，线路开关等电源开关应用。

在MCT特别适用于谐振（零电压或

零电流开关）的应用程序。可控硅喜欢着

下降大大降低了导通功率损耗。

MCT的允许高功率电路的控制具有非常小的

量的输入能量。它们的特点是高的峰值电流

普通可控硅型闸流管，并在操作能力

结温高达150

o

下与有源开关。

产品编号信息

产品型号

MCTV75P60E1

MCTA75P60E1

包

TO-247

MO-093AA

BRAND

MV75P60E1

MA75P60E1

JEDEC MO- 093AA （ 5引脚TO -218 ）

阳极

阳极

阴极

回门

门

符号

G

A

K

注：订货时，使用整个零件编号。

绝对最大额定值

T

C

= +25

o

C，除非另有规定编

MCTV75P60E1

MCTA75P60E1

单位

V

V

A

A

A

A

V

V

A / μs的

W

W/

o

C

o

C

o

C

峰值断态电压（参见图11） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

DRM

峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

RRM

连续阴极电流（参见图2）

T

C

= +25

o

C（包装有限公司） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

K25

T

C

= +90

o

温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

K90

非重复性峰值阴极电流（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

KSM

峰值可控电流（参见图10） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我

KC

门阳极电压（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GA

门阳极电压（峰值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V

GAM

汇率变动电压的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 dv / dt的

变化率电流的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。的di / dt

最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P

T

线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

J

, T

英镑

最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼

L

（ 0.063" （ 1.6毫米）从案例10秒）

注意：

-600

+5

85

75

2000

120

±20

±25

见图11

2000

208

1.67

-55到+150

260

为250μs 1.最大脉冲宽度（半正弦）假设牛逼

J

（初始） = 90

o

C和T

J

（最终） = T

J

（ MAX）= 150

o

C

注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。

版权

1999年哈里斯公司

网络文件编号

3374.6

2-18

特定网络阳离子MCTV75P60E1 ， MCTA75P60E1

电气连接特定的阳离子

参数

峰值断态

阻断电流

T

C

= +25

o

C除非另有规定编

符号

I

DRM

测试条件

V

KA

= -600V,

V

GA

= +18V

反向峰值

阻断电流

I

RRM

V

KA

= +5V

V

GA

= +18V

通态电压

V

TM

I

K

= I

K90

,

V

GA

= -10V

门阳极

漏电流

输入电容

I

气

V

GA

=

±20V

V

KA

= -20V ，T

J

= +25

o

C

V

GA

= +18V

L = 200μH ，我

K

= I

K90

R

G

= 1, V

GA

= +18V, -7V

T

J

= +125

o

C

V

KA

= -300V

T

C

= +150

o

C

T

C

= +25

o

C

T

C

= +150

o

C

T

C

= +25

o

C

T

C

= +150

o

C

T

C

= +25

o

C

民

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

最大

3

100

4

100

1.3

1.4

200

单位

mA

A

mA

A

V

V

nA

C

国际空间站

-

10

-

nF

电流打开

延迟时间

电流上升时间

电流关断

延迟时间

电流下降时间

关闭能源

热阻

t

D（ ON ）I

-

300

-

ns

t

RI

t

D（ OFF ）I

-

-

200

700

-

-

ns

ns

t

FI

E

关闭

R

θJC

-

-

-

1.15

10

.5

1.4

-

.6

s

mJ

o

C / W

典型性能曲线

300

120

110

I

K

特区阴极电流（ A）

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

0

25

35

45

55

65

75

85

95 105 115 125 135 145 155

套餐限制

I

K

，阴极电流（ A）

100

脉冲测试

脉冲持续时间 - 为250μs

占空比< 2 ％

T

J

=

10

+150

o

C

T

J

= +25

o

C

T

J

= -40

o

C

V

TM

，阴极电压（V）的

T

C

，外壳温度（

o

C)

图1阴极电流VS饱和电压

（典型值）

图2.最大连续阴极电流

2-19

MCTV75P60E1 ， MCTA75P60E1

典型性能曲线

（续）

500

T

D（ ON ）I

，导通延迟（ NS ）

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

T

D（ OFF ）I

，关断延时（微秒）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110 120

V

KA

= -200V

V

KA

= -300V

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

400

300

V

KA

= -300V

200

V

KA

= -200V

100

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

110 120

I

K

，阴极电流（ A）

I

K

，阴极电流（ A）

图3.导通延迟VS阴极电流

（典型值）

图4.关断延迟VS阴极电流

（典型值）

500

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

2.0

1.8

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

400

t

FI

，下降时间（微秒）

t

RI

，上升时间（ NS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

V

KA

= -200V

V

KA

= -300V

300

V

KA

= -200V

200

V

KA

= -300V

100

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

I

K

，阴极电流（ A）

100

110

120

0.0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

I

K

，阴极电流（ A）

100

110

120

图5.导通上升时间与阴极电流

（典型值）

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

V

KA

= -300V

V

KA

= -200V

图6.关断下降时间与阴极电流

（典型值）

20.0

V

KA

= -300V

T

J

= +150

o

C，R

G

= 1Ω ，L = 200μH

E

关闭

，关断开关损耗（兆焦耳）

E

ON

，导通开关损耗（兆焦耳）

5.0

10.0

V

KA

= -200V

1.0

0.1

10

20

30

40

50

60

70

80

90

I

K

，阴极电流（ A）

100

110

120

1.0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

I

K

，阴极电流（ A）

100

110

120

图7.开启能量损失VS阴极电流

（典型值）

图8. TURN -OFF能量损失VS阴极电流

（典型值）

2-20

MCTV75P60E1 ， MCTA75P60E1

典型性能曲线

（续）

f

最大

，最大工作频率（KHz ）

100

E

ON

≠

0, t

D（ ON ）I

≠

0

V

KA

= -200V

V

KA

= -300V

f

MAX1

= 0.05(t

D（ ON ）I

+ t

D（ OFF ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / E

开关

P

D

：允许功耗

P

C

：传导耗散

(P

C

占空比系数= 50％）

R

θJC

= 0.5

o

C / W

100

I

K

，阴极电流（ A）

200

I

K

，峰值阴极电流（ A）

E

ON

= t

D（ ON ）I

= 0

150

140

130

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

-50

T

J

= +150

o

C，V

GA

= 18V ，L = 200μH

10

打开-O FF

安全工作区

1

10

-150

-250

-350

-450

V

KA

，峰值关断电压（ V）

-550

图9.工作频率与阴极电流

（典型值）

T

J

= +150

o

C，V

GA

= 18V

-725

V

DRM

，击穿电压（V ）

-700

-675

-650

-625

-600

-575

-550

-525

-500

-475

-450

-425

0.1

1.0

10.0

100.0

的dv / dt （V / μs）内

1000.0

10000.0

图10.关断能力VS阳极 - 阴极

电压

-200

C

S

= 0.1μF ，T

J

= +150

o

C

C

S

= 1μF ，T

J

= +150

o

C

尖峰电压（ V）

-100 C

S

= 0.1μF ，T

J

= +25

o

C

-10

C

S

= 2μF ，T

J

= +150

o

C

C

S

= 1μF ，T

J

= +25

o

C

C

S

= 2μF ，T

J

= +25

o

C

-1

1

6

11

16

21

26

31

的di / dt （ A / μS ）

36

41

46

图11.阻断电压VS的dv / dt

图12.尖峰电压VS的di / dt （典型值）

工作频率信息

工作频率信息对典型设备

（图9）是作为一个指南关于推定装置per-

formance对于一个特定的C应用程序。其他典型的频率

VS阴极电流（I

AK

）地块是可能使用的信息

在图3至图8所示的操作对于一个典型的单元和灰

一个典型的设备的频率曲线图（图9）描绘了f

MAX1

or

f

MAX2

取每个点要小。该信息是

基于典型的设备的测量值和有界

由最大额定结温。

f

MAX1

是德网络定义为f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ ON ）I

+ t

D（ OFF ）I

). t

D（ ON ）I

+

t

D（ OFF ）I

死区时间（分母）已被擅自举行

的导通状态的时间为50％的占空因数10％。其他定义

是可能的。吨

D（ ON ）I

被定义为领先的10％点

输入脉冲的边缘和点的阴极电流

上升到其最大值的10％。吨

D（ OFF ）I

被定义为

输入脉冲和点的后缘的90％点

其中阴极电流下降到90％的最大值。

设备的延迟可以建立一个额外的频率限制条件

化一个应用程序除了t

JMAX

. t

D（ OFF ）I

是很重要的

控制轻负载条件下的输出纹波时。

f

MAX2

是德网络定义为f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON

+ E

关闭

） 。该

允许功耗（P

D

）是德网络由P定义

D

= (T

JMAX

- T

C

) /

R

θJC

。的设备的开关和导通损耗的总和

必须不超过P

D

。 50％的占空比使用（图10 ）

与导通损耗（P

C

）由P近似

C

=

(V

AK

I

AK

）/（占空因数/ 100）。 ê

ON

是德网络定义为总和

起始于前缘的瞬时功率损耗

输入的脉冲，并在该点处的阳极 - 结束

阴极电压等于饱和电压（V

AK

= V

TM

). E

关闭

被解科幻定义为瞬时功率损耗的总和起动

荷兰国际集团在输入脉冲的后沿，并在结束

点，其中所述阴极电流等于零（我

K

= 0).

开关功率损耗（图10）日定义为f音响

MAX2

(E

ON

+ E

关闭

） 。由于导通开关损耗可以大大十字形

由外部电路条件和组分中，f转制

最大

曲线绘制既包括和忽略导通损耗。

2-21

MCTV75P60E1 ， MCTA75P60E1

测试电路

V

G

200H

RURG8060

+

-

I

K

V

K

+

-

DUT

20V

10k

C

S

DUT

+

-

500

V

A

9V

-

4.7k

+

I

K

图13.开关测试电路

图14. V

穗

测试电路

最大上升和V的陨落时间

G

为200ns

V

G

10%

90%

V

G

的di / dt

-V

KA

90%

I

K

V

穗

V

TM

IK

10%

t

D（ OFF ）I

t

F I

t

R I

t

D（ ON ）I

V

AK

图15.开关测试波形

图16. V

穗

测试波形

操作注意事项的MCT的

MOS控制晶闸管

很容易受到栅极绝缘

通过能量通过静电放电损坏化

的设备。在处理这些设备，应注意

行使以保证静电荷建在han-

dler的体电容不通过排出

装置。 MCT的可以放心，如果以下基本处理

预防措施：

1.在此之前组装成一个电路，所有的引线应保持

短接在一起，或者通过使用金属短路

弹簧或通过插入这样的导电性材料

as

*

“ ECCOSORB LD26 ”或同等学历。

2.当设备由专人从运营商删除，

所用的手应通过任何适当的接地

装置 - 例如，用金属腕带。

3.提示烙铁应接地。

4.设备不应该被插入或从税务局局长除去

cuits电源上。

5.门额定电压 - 不要超过栅电压

V评级

GA

。超过额定V

GA

会导致

永久损坏在栅极区域中的氧化物层。

6.门终结 - 这些器件的栅极埃森

tially电容。电路的离开门开路

或应避免浮动。这些条件可能会导致

在接通该设备的因在输入电压上升

电容由于漏电流或皮卡。

7.门保护 - 这些设备不具有内部

从门单片齐纳二极管发射器。如果门保护

需要化一个外部稳压建议。

商标爱默生和卡明公司

2-22