半导体
MCTG35P60F1
35A ， 600V
MOS控制晶闸管（ MCT ）
包
JEDEC风格-247
1999年4月
S
PROCE
绘制图案
T搭配
PAR
没有新的
LETE -
p型
S OBSO
特点
35A ， -600V
V
TM
= -1.3V （最大）在I = 35A和150
o
C
800A浪涌电流能力
800A / μs的di / dt的能力
MOS绝缘栅控制
50A栅极关断能力为150
o
C
A
K
G
描述
该MCT是一种MOS控制晶闸管设计
打开和关闭电流通过消极和积极的脉冲
控制的MOS绝缘栅。它被设计为在使用中
电机控制，逆变器，开关线和其他电源
开关应用。
在MCT特别适用于谐振（零电压或
零电流开关）的应用程序。可控硅喜欢着
下降大大降低了导通功率损耗。
MCT的允许高功率电路的控制具有非常小的
量的输入能量。它们的特点是高的峰值电流
普通可控硅型闸流管，并在操作能力
结温高达150
o
下与有源开关。
产品编号信息
产品型号
MCTG35P60F1
包
TO-247
BRAND
M35P60F1
K
符号
G
A
注：订货时，使用整个零件编号。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
，除非另有规定编
MCTG35P60F1
单位
V
V
A
A
A
A
V
V
A / μs的
W
W/
o
C
o
C
o
C
峰值断态电压（参见图11） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DRM
峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
连续阴极电流（参见图2）
T
C
= +25
o
C（包装有限公司） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
T
C
= +115
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
非重复性峰值阴极电流（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
峰值可控电流（参见图10） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
I
K25
I
K115
I
KSM
I
KC
-600
+5
60
35
800
50
±20
±25
见图11
800
178
1.43
-55到+150
260
门阳极电压（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GA
门阳极电压（峰值） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GAM
汇率变动电压的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 dv / dt的
变化率电流的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。的di / dt
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
T
线性降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
（ 0.063" （ 1.6毫米）从案例10秒）
注意：
为250μs 1.最大脉冲宽度（半正弦）假设牛逼
J
（初始） = 90
o
C和T
J
（最终） = T
J
（ MAX）= 150
o
C
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
1999年哈里斯公司
网络文件编号
3602.5
2-2
特定网络阳离子MCTG35P60F1
电气连接特定的阳离子
参数
断态峰值阻塞
当前
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
符号
I
DRM
测试条件
V
KA
= -600V,
V
GA
= +18V
T
C
= +150
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
T
C
= +25
o
C
T
C
= +150
o
C
T
C
= +25
o
C
民
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
5
最大
1.5
50
2
50
1.35
1.4
100
-
单位
mA
A
mA
A
V
V
nA
nF
峰值反向阻断
当前
I
RRM
V
KA
= +5V
V
GA
= +18V
通态电压
V
TM
I
K
= I
K115
,
V
GA
= -10V
V
GA
=
±20V
V
KA
= -20V ，T
J
= +25
o
C
V
GA
= +18V
L = 200μH ，我
K
= I
K115
R
G
= 1, V
GA
= +18V, -7V
T
J
= +125
o
C
V
KA
= -300V
门阳极漏电流
输入电容
I
气
C
国际空间站
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
关闭能源
热阻
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
E
关闭
R
θJC
-
-
-
-
-
-
140
180
640
1.1
5.6
0.6
-
-
-
1.4
-
0.7
ns
ns
ns
s
mJ
o
C / W
典型性能曲线
100
I
K
特区阴极电流（ A）
50
I
K
，阴极电流（ A）
30
20
10
5
3
2
1
0
0.5
1.0
1.5
V
TM
，阴极电压（V）的
2.0
T
J
= +150
o
C
T
J
=
-40
o
C
脉冲测试
脉冲宽度= 250μs的
占空比< 2 ％
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
30
40
50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
T
C
，外壳温度（
o
C)
套餐限制
T
J
= +25
o
C
图1阴极电流VS饱和电压
（典型值）
图2.最大连续阴极电流
2-3
MCTG35P60F1
典型性能曲线
（续）
f
最大
，最大工作频率（KHz ）
100
50
30
20
10
5
3
2
1
f
MAX1
= 0.05 / t
D（ OFF ）I
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / E
开关
P
D
：允许功耗
P
C
：传导耗散
(P
C
占空比系数= 50％）
R
θJC
= 0.6
o
C / W
5
10
30
50
20
I
K
，阴极电流（ A）
100
V
KA
= -300V
V
KA
= -200V
T
C
= +115
o
C，L = 200μH
PEAK阴极电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
0
-500
-300
-400
-100
-200
V
KA
，峰值关断电压（ V）
-600
打开-O FF
安全工作区
T
J
= +150
o
C，V
GA
= 18V ， L = 100μH
图9.工作频率与阴极电流
（典型值）
图10.关断能力VS阳极 - 阴极
电压
200
C
S
= 0.1μF ，T
J
= +150
o
C
100
V
穗
，尖峰电压（V ）
50
C
S
= 0.1μF ，T
J
= +25
o
C
C
S
= 1μF ，T
J
= +150
o
C
-725
V
DRM
，击穿电压（V ）
-700
-675
-650
-625
-600
-575
-550
-525
-500
-475
-450
-425
0.1
T
J
= +150
o
C，V
GA
= 18V
20
10
C
S
= 2μF ，T
J
= +150
o
C
5
C
S
= 1μF ，T
J
= +25
o
C
C
S
= 2μF ，T
J
= +25
o
C
1
10
100
的dv / dt （V / μs）内
1000
10000
2
0
5
10
15
20
25
的di / dt （ A / μS ）
30
35
40
图11.阻断电压VS的dv / dt
图12.尖峰电压VS
的di / dt
（典型值）
工作频率信息
工作频率信息对典型设备
（图9）是作为一个指南关于推定装置per-
formance对于一个特定的C应用程序。其他典型的频率
VS阴极电流（I
AK
）地块是可能使用的信息
在图3中所示为一个典型的单元化，以图8中的操作数
一个典型的设备示出了阿婷频率曲线图（图9）
f
MAX1
或f
MAX2
的较低者在每一个点。在Infor公司
信息根据一个典型装置的测量，是
由最大额定结温限制。
f
MAX1
是德网络定义为f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ ON ）I
+ t
D（ OFF ）I
). t
D（ ON ）I
+ t
D（ OFF ）I
死区时间（分母）已任意
举行的导通状态时间10％， 50％的占空因数。其他
德音响nitions是可能的。吨
D（ ON ）I
是德网络定义为的10 ％点
输入脉冲的前沿和的点
阴极电流上升到其最大值的10％。吨
D（ OFF ）I
被解科幻定义为输入的后缘的90％点
脉冲和其中阴极电流下降到90％的点
其最大值。设备的延迟可以建立一个额外的
对于一个应用程序比其他频率限制条件
T
JMAX
. t
D（ OFF ）I
控制输出纹波时是很重要的
在负载较轻的情况。
f
MAX2
是德网络定义为f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON
+E
关闭
） 。该
允许功耗（P
D
）是德网络由P定义
D
= (T
JMAX
- T
C
) /
R
θJC
。的设备的开关和导通损耗的总和
必须不超过P
D
。 50％的占空比使用（图10 ）
与导通损耗（P
C
）由个人电脑近似=
(V
AK
I
AK
）/（占空因数/ 100）。 ê
ON
是德网络定义为总和
起始于前缘的瞬时功率损耗
输入的脉冲，并在该点处的阳极 - 结束
阴极电压等于饱和电压（V
AK
= V
TM
). E
关闭
被解科幻定义为瞬时功率损耗的总和起动
荷兰国际集团在输入脉冲的后沿，并在结束
点，其中所述阴极电流等于零（我
K
= 0).
2-5
QQ：2880707522 复制
