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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第689页 > MCT9001
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
描述
该MCT9001光耦有两个通道密度的应用。对于四
通道应用,两包科幻吨到标准的16引脚DIP插座。每
信道是一个NPN硅平面光电晶体管的光耦合到镓
砷化镓红外发光二极管。
8
1
特点
两个每包隔离通道
两个包科幻吨到16引脚DIP插座
美国保险商实验室( UL)认可的文件E90700
8
1
8
1
应用
AC线/数字逻辑 - 隔离高电压瞬变
数字逻辑/数字逻辑 - 消除虚假理由
数字逻辑/ AC可控硅控制 - 隔离高电压瞬变
双绞线接收器 - 消除接地环路馈通
电话/电报线路接收器 - 隔离高电压瞬变
高频电源反馈控制 - 保持浮动的理由和
瞬变
继电器触点监视器 - 隔离浮动的理由和瞬变
电源监控器 - 瞬态隔离
概要
阳极1
8收藏家
阴极2
7发射
阳极3
6收藏家
阴极4
5发射
等效电路
绝对最大额定值
等级
辐射源
(每个通道)
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25° C(总输入)
探测器
(每个通道)
连续集电极电流 -
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-55到+150
-55到+100
250 ,持续10秒
400
4.83
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
I
C
P
D
30
150
1.67
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
60
3
5.0
100
1.1
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第1页7
7/31/03
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向电流
结电容
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
测试条件
(I
F
= 10 mA)的
(V
R
= 5 V)
(V
F
= 0 V , F = 1兆赫)
(I
C
= 0.5毫安,我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ,我
F
= 0)
(V
CE
= 24 V,I
F
= 0)
(V
CE
= 24 V ,T
A
= 85°C)
(V
CE
= 0 V , F = 1兆赫)
符号
V
F
I
R
C
J
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
55
7
5
8
100
50
典型**
1.0
50
最大
1.3
10
单位
V
A
pF
V
V
nA
A
pF
传输特性
AC特性
开关时间
非饱和
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
饱和的
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
符号
典型**
最大
单位
(R
L
= 100
, I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V)
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
on
t
关闭
3
3
2.4
2.4
2.4
25.0
s
(I
F
= 16毫安,R
L
= 1.9 k
, V
CE
= 5 V)
传输特性
DC特性
电流传输比,集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件
(I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V)
(I
F
= 8毫安, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 8毫安,我
C
= 2.4 mA)的
符号
CTR
CTR
(SAT)
V
CE ( SAT )
50
30
典型**
最大
600
0.40
单位
%
V
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在TA = 25℃
测试条件
(I
我-O
1 μA , T = 1分。 )
(V
我-O
= 500 VDC)
中(f = 1 MHz)的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
5300
10
11
0.5
典型**
最大
单位
VAC ( RMS)
pf
2003仙童半导体公司
第2 7
7/31/03
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
归CTR与正向电流
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
标准化的点击率与环境温度
1.6
1.2
1.4
I
F
= 5毫安
1.0
归一化CTR
0.8
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.6
0.8
0.4
0.6
0.2
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
I
F
= 20毫安
0.0
0
5
10
15
20
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
F
- 正向电流(mA )
T
A
- 环境温度( ° C)
暗电流与环境温度
10
1
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流( μA )
V
CE
= 10 V
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
0
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度( ° C)
2003仙童半导体公司
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7/31/03
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
开关速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25C
LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
V
F
- 正向电压( V)
100
1.6
开关速度 - (微秒)
1.5
T
关闭
T
f
10
1.4
T
A
= 55C
1.3
T
A
= 25C
T
on
1
T
r
1.2
1.1
T
A
= 100C
0.1
0.1
1
10
100
1.0
1
10
100
R-负载电阻值(kΩ )
I
F
- LED正向电流(mA )
集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极饱和电压( V)
100
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
2003仙童半导体公司
第4 7
7/31/03
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
包装尺寸(通孔)
销1
ID。
4
3
2
1
包装尺寸(表面贴装)
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
4
3
2
1
销1
ID。
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
5
6
7
8
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
5
6
7
8
飞机座位
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.200 (5.08)
0.140 (3.55)
0.020 ( 0.51 ), MIN
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.020 (0.51)
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.41)
0.008 (0.20)
0.154 (3.90)
0.120 (3.05)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
15 °最大
0.300 (7.62)
典型值
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
引脚共面性: 0.004 ( 0.10 ) MAX
0.045 [1.14]
0.315 (8.00)
0.405 (10.30)
包装尺寸( 0.4"Lead间距)
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
4
3
2
1
销1
ID。
0.070 (1.78)
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
0.060 (1.52)
5
6
7
8
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
0.100 (2.54)
0.295 (7.49)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
飞机座位
0.415 (10.54)
0.030 (0.76)
0.200 (5.08)
0.140 (3.55)
0.004 ( 0.10 ), MIN
0.154 (3.90)
0.120 (3.05)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0°到15°
0.400 (10.16)
典型值
所有尺寸为英寸(毫米)
2003仙童半导体公司
第5页第7
7/31/03
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
描述
该MCT9001光耦有两个通道密度的应用。对于四
通道应用,两包科幻吨到标准的16引脚DIP插座。每
信道是一个NPN硅平面光电晶体管的光耦合到镓
砷化镓红外发光二极管。
8
1
特点
两个每包隔离通道
两个包科幻吨到16引脚DIP插座
美国保险商实验室( UL)认可的文件E90700
8
1
8
1
应用
AC线/数字逻辑 - 隔离高电压瞬变
数字逻辑/数字逻辑 - 消除虚假理由
数字逻辑/ AC可控硅控制 - 隔离高电压瞬变
双绞线接收器 - 消除接地环路馈通
电话/电报线路接收器 - 隔离高电压瞬变
高频电源反馈控制 - 保持浮动的理由和
瞬变
继电器触点监视器 - 隔离浮动的理由和瞬变
电源监控器 - 瞬态隔离
概要
阳极1
8收藏家
阴极2
7发射
阳极3
6收藏家
阴极4
5发射
等效电路
绝对最大额定值
等级
辐射源
(每个通道)
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25° C(总输入)
探测器
(每个通道)
连续集电极电流 -
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
-55到+150
-55到+100
250 ,持续10秒
400
4.83
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
I
C
P
D
30
150
1.67
mA
mW
毫瓦/°C的
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
60
3
5.0
100
1.1
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
符号
价值
单位
2003仙童半导体公司
第1页8
10/20/04
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
参数
辐射源
输入正向电压
反向电流
结电容
探测器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
测试条件
(I
F
= 10 mA)的
(V
R
= 5 V)
(V
F
= 0 V , F = 1兆赫)
(I
C
= 0.5毫安,我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ,我
F
= 0)
(V
CE
= 24 V,I
F
= 0)
(V
CE
= 24 V ,T
A
= 85°C)
(V
CE
= 0 V , F = 1兆赫)
符号
V
F
I
R
C
J
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
55
7
5
8
100
50
典型**
1.0
50
最大
1.3
10
单位
V
A
pF
V
V
nA
A
pF
传输特性
AC特性
开关时间
非饱和
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
饱和的
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
符号
典型**
最大
单位
(R
L
= 100
, I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V)
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
on
t
关闭
3
3
2.4
2.4
2.4
25.0
s
(I
F
= 16毫安,R
L
= 1.9 k
, V
CE
= 5 V)
传输特性
DC特性
电流传输比,集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件
(I
F
= 5毫安, V
CE
= 5 V)
(I
F
= 8毫安, V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 8毫安,我
C
= 2.4 mA)的
符号
CTR
CTR
(SAT)
V
CE ( SAT )
50
30
典型**
最大
600
0.40
单位
%
V
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
**所有标准结构在TA = 25℃
测试条件
(I
我-O
1 μA , T = 1分。 )
(V
我-O
= 500 VDC)
中(f = 1 MHz)的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
5300
10
11
0.5
典型**
最大
单位
VAC ( RMS)
pf
2003仙童半导体公司
第2页8
10/20/04
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
归CTR与正向电流
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
标准化的点击率与环境温度
1.6
1.2
1.4
I
F
= 5毫安
1.0
归一化CTR
0.8
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
0.6
0.8
0.4
0.6
0.2
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
I
F
= 20毫安
0.0
0
5
10
15
20
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
I
F
- 正向电流(mA )
T
A
- 环境温度( ° C)
暗电流与环境温度
10
1
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流( μA )
V
CE
= 10 V
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
0
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度( ° C)
2003仙童半导体公司
第3页8
10/20/04
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
开关速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10 V
T
A
= 25C
LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
V
F
- 正向电压( V)
100
1.6
开关速度 - (微秒)
1.5
T
关闭
T
f
10
1.4
T
A
= 55C
1.3
T
A
= 25C
T
on
1
T
r
1.2
1.1
T
A
= 100C
0.1
0.1
1
10
100
1.0
1
10
100
R-负载电阻值(kΩ )
I
F
- LED正向电流(mA )
集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极饱和电压( V)
100
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
2003仙童半导体公司
第4页8
10/20/04
双通道光电晶体管
光电耦合器
MCT9001
包装尺寸(通孔)
销1
ID。
4
3
2
1
包装尺寸(表面贴装)
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
4
3
2
1
销1
ID。
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
5
6
7
8
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
5
6
7
8
飞机座位
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.200 (5.08)
0.140 (3.55)
0.020 ( 0.51 ), MIN
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
0.020 (0.51)
0.300 (7.62)
典型值
0.016 (0.41)
0.008 (0.20)
0.154 (3.90)
0.120 (3.05)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
15 °最大
0.300 (7.62)
典型值
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
典型值
引脚共面性: 0.004 ( 0.10 ) MAX
0.045 [1.14]
0.315 (8.00)
0.405 (10.30)
包装尺寸( 0.4"Lead间距)
推荐焊盘布局
表面贴装Leadform
4
3
2
1
销1
ID。
0.070 (1.78)
0.270 (6.86)
0.250 (6.35)
0.060 (1.52)
5
6
7
8
0.390 (9.91)
0.370 (9.40)
0.100 (2.54)
0.295 (7.49)
0.070 (1.78)
0.045 (1.14)
飞机座位
0.415 (10.54)
0.030 (0.76)
0.200 (5.08)
0.140 (3.55)
0.004 ( 0.10 ), MIN
0.154 (3.90)
0.120 (3.05)
0.022 (0.56)
0.016 (0.41)
0.100 ( 2.54 ) TYP
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0°到15°
0.400 (10.16)
典型值
所有尺寸为英寸(毫米)
2003仙童半导体公司
第5页8
10/20/04
MCT9001 - 双光电晶体光耦合器
2010年2月
MCT9001
双通道光电晶体管光电耦合器
特点
每包两个隔离通道
两个包科幻吨到16引脚DIP插座
美国保险商实验室( U.L. )认可的文件
描述
该MCT9001光耦有两个通道密度
应用程序。对于四通道应用,双包
符合标准的16引脚DIP插座。每个信道是
NPN型硅平面光电晶体管的光耦合到
砷化镓红外发光二极管。
E90700
VDE批准IEC60747-5-2
应用
AC线/数字逻辑 - 隔离高电压瞬变
数字逻辑/数字逻辑 - 杜绝虚假理由
数字逻辑/ AC可控硅控制 - 隔离高电压
瞬变
双绞线接收器 - 消除接地环路
穿心
电话/电报线路接收器 - 高隔离
电压瞬变
高频电源反馈控制 -
保持浮动的理由和瞬变
继电器触点监视器 - 隔离浮动场地和
瞬变
电源监视器 - 瞬态隔离
概要
包装纲要
阳极1
8收藏家
8
1
阴极2
7发射
阳极3
6收藏家
8
阴极4
5发射
8
1
1
等效电路
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MCT9001版本1.0.7
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MCT9001 - 双光电晶体光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件,并强调部分这些级别是不推荐的。
此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
储存温度
工作温度
等级
价值
-55到+150
-55到+100
260 ,持续10秒
400
4.83
60
3
5.0
100
1.1
30
150
1.67
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mA
mW
毫瓦/°C的
无铅焊锡温度
(请参阅重新溢流温度廓线)
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
发射器(每通道)
I
F
I
F
( PK)
V
R
P
D
正向电流 - 连续
正向电流 - 峰值( PW = 1μs的时间, 300pps )
反向电压
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25° C(总输入)
检测器(每个通道)
I
C
P
D
连续集电极电流 -
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
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MCT9001 - 双光电晶体光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
C
J
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
输入正向电压
反向电流
结电容
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
电容
I
F
= 10毫安
V
R
= 5V
V
F
= 0 V , F = 1mHz的
I
C
= 0.5毫安,我
F
= 0
I
E
= 100μA ,我
F
= 0
V
CE
= 24V ,我
F
= 0
V
CE
= 24V ,T
A
= 85°C
V
CE
= 0V , F = 1MHz的
8
55
7
5
100
50
50
1.0
1.3
10
V
A
pF
V
V
nA
A
pF
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
探测器
传输特性
符号
非饱和
t
on
t
关闭
t
r
t
f
饱和的
t
on
t
关闭
CTR
CTR
(SAT)
V
CE ( SAT )
开启时间
打开-O FF时间
电流传输比,
集电极 - 发射极
饱和电压
I
F
= 5毫安,V
CE
= 5V
I
F
= 8毫安,V
CE
= 0.4V
I
F
= 8毫安,我
C
= 2.4毫安
50
30
0.40
I
F
= 16毫安,R
L
= 1.9k
, V
CE
= 5V
2.4
25.0
600
s
s
%
%
V
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
R
L
= 100
, I
C
= 2毫安,V
CC
= 10V
3
3
2.4
2.4
s
s
s
s
参数
测试条件
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
开关时间( AC)
DC特性
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
I
我-O
10μA ,T = 1分。
V
我-O
= 500V直流
F = 1MHz的
分钟。
5000
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
VAC ( RMS)
0.5
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
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MCT9001 - 双光电晶体光耦合器
典型性能曲线
图。 1归CTR与正向电流
1.4
1.2
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25
°
C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与环境温度
1.6
1.4
归一化CTR
归一化CTR
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
I
F
- 正向电流(mA )
20
I
F
= 5毫安
1.2
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25
°
C
I
F
= 20mA下
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
T
A
- 环境温度( ° C)
125
图。 3暗电流与环境温度
I
首席执行官
- 集电极 - 发射极暗电流( μA )
图。 4开关速度与负载电阻
1000
I
F
= 10毫安
V
CC
= 10V
T
A
= 25
°
C
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
V
CE
= 10V
开关速度(微秒)
100
T
关闭
10
T
f
T
on
1
T
r
10
-6
0
25
50
75
100
125
0.1
0.1
1
10
的R - 负载电阻值(kΩ )
100
T
A
- 环境温度( ° C)
图。 5 LED正向电压与正向电流
1.8
1.7
100
图。 6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
T
A
= 25
°
C
V
F
- 前VOLTATGE ( V)
V
CE (SAT)
- 集电极 - 发射极
饱和电压( V)
1.6
1.5
1.4
1.3
T
A
= 25
°
C
10
1
I
F
= 2.5毫安
T
A
= 55
°
C
0.1
1.2
1.1
T
A
= 100
°
C
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 10毫安
1.0
1
10
I
F
- LED正向电流(mA )
100
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流(毫安)
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MCT9001 - 双光电晶体光耦合器
包装尺寸
通孔
表面贴装
9.18~10.18
9.18~10.18
(0.405)
销1
销1
(0.405)
6.00~7.00
6.00~7.00
3.00~4.00
1.15~1.35
3.00~4.00
1.15~1.35
4.50
(典型值)。
0.35
典型值。
0.75~1.25
(双方
8.15 (典型值)。
9.86~10.46
0.26 (典型值)。
0.26 (典型值) 。
1.00
(典型值)。
2.30~3.30
0.40~0.60
2.29~2.79
7.62 (典型值)。
15°
( MAX 。 )
3.85
典型值。
2.29~2.79
0.40~0.60
0.4"引脚节距
9.18~10.18
(0.405)
推荐焊盘布局面
山Leadform
(1.50)
(2.54)
销1
6.00~7.00
(1.30)
(10.50)
(7.90)
3.00~4.00
1.15~1.35
4.60
(典型值)。
1.10
(典型值)。
2.30~3.30
2.29~2.79
0.40~0.60
15°
( MAX 。 )
10.16 (典型值)。
0.26 (典型值)。
(1.04)
注意:
所有尺寸以毫米为单位。
封装图纸是作为提供给客户的考虑飞兆半导体产品的服务。图纸可以以任何方式改变
恕不另行通知。请注意,修改和/或日期的图纸上,并联系飞兆半导体代表核实或
获得最新的版本。包装特定网络阳离子不超出飞兆公司全球范围内的条款和条件的规定,
具体来说指保修,保修涉及飞兆半导体的产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页,可以获得最新的封装图:
http://www.fairchildsemi.com/packaging/
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
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联系人:马小姐
地址:福田区振华路深纺大厦A座1708室
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只做原装正品,提供一站式BOM配单服务
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原装现货专业光耦
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地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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