【低输入电流光电晶体管光耦合器MCT5200描述该MCT52XX系列由高英法fi效率的AlGaAs红外】,IC型号MCT5200,MCT5200 PDF资料,MCT5200经销商,ic,电子元器件-51电子网

低输入电流

光电晶体管光耦合器

MCT5200

描述

该MCT52XX系列由高英法fi效率的AlGaAs红外发光的

二极管，加上一个NPN晶体管的6脚双列直插式封装。

MCT5201

MCT5210

MCT5211

该MCT52XX非常适合的CMOS到LSTT / TTL接口，将提供

250 ％的点击率

CE （ SAT ）

随着LED的输入电流为1 mA 。当LED输入

1.6毫安的电流被提供的数据传输速率，以20K比特/秒是可能的。

该MCT52XX可以方便地连接到LSTTL LSTTL / TTL ，以及使用的

外部基极到发射极的100K比特电阻器的数据传输速率/ s的可以实现的。

特点

高点击率

CE （ SAT ）

堪比达林顿

CTR保证0 ℃ 70℃

高共模瞬变抑制的5kV / μs的

数据传输速率高达150千比特/秒（ NRZ ）

美国保险商实验室（ UL）的认可（网络文件＃ E90700 ）

VDE认可（网络文件＃ 94766 ）

- 添加选项300 （例如， MCT5211.300 ）

概要

阳极1

6基地

应用

CMOS到CMOS / LSTTL逻辑隔离

LSTTL和CMOS / LSTTL逻辑隔离

RS - 232线路接收器

电话铃声探测器

AC线电压感测

开关电源

参数

设备总

储存温度

工作温度

无铅焊锡温度

器件总功耗@ 25°C （LED加检测器）

线性降额从25℃

辐射源

连续正向电流

反向输入电压

正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）

LED功耗

线性降额从25℃

探测器

连续集电极电流

探测器功耗

线性降额从25℃

2003仙童半导体公司

阴极2

5 COL

4发射器

符号

设备

价值

单位

英镑

OPR

SOL

所有

-55到+150

-55到+100

260 ，持续10秒

260

3.5

3.0

1.0

150

2.0

°C

毫瓦/°C的

（ PK）

所有

分页： 11 1

6/10/03

低输入电流

光电晶体管光耦合器

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

单个组件特性

参数

辐射源

输入正向电压

正向电压温度。

COEF网络cient

反向电压

结电容

探测器

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极暗电流

电容

集电极到发射极

收藏家基地

发射器基

= 1.0毫安，我

= 0)

= 10 μA ，我

= 0)

= 10 μA ，我

= 0)

= 10V ，我

= 0, R

= 1M

)

= 0中，f = 1 MHz）的

首席执行官

CBO

EBO

CER

所有

100

120

100

= 5 mA）的

= 2 mA）的

= 10 A)

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

所有

1.25

-1.75

1.5

毫伏/

°C

测试条件

符号

设备

民

典型**

最大

单位

隔离特性

特征

输入输出隔离

电压

(10)

绝缘电阻

(10)

隔离电容

(9)

共模瞬变

拒绝 - 输出高

共模瞬变

拒绝 - 输出低

**所有典型的牛逼

=25°C

测试条件

中（f = 60Hz的，吨= 1分钟）

我-O

= 500 VDC ，T

= 25°C

我-O

= 0中，f = 1 MHz的

= 50 V

P-P1

, R

= 750

, I

= 0

= 50 V

P-P

, R

= 1K

, I

= 0

= 50 V

P-P1

, R

= 750

, I

=1.6mA

= 50 V

P-P1

, R

= 1K

, I

= 5毫安

符号

ISO

设备

所有

MCT5210/11

MCT5200/01

MCT5210/11

MCT5200/01

民

5300

0.7

5000

典型**最大

单位

VAC （ RMS）

V / μs的

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低输入电流

光电晶体管光耦合器

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

传输特性

= 0 ° C至70 ° C除非另有规定编）

DC特性

测试条件

符号

设备

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

MCT5210

CTR

（ CE）

MCT5211

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

设备

MCT5210

民

典型值

1.6

0.4

2.5

0.5

1.1

1.3

2.5

民

120

100

150

110

0.2

0.28

0.2

0.3

0.25

0.4

最大

典型**

最大

单位

= 10 mA时， V

= 0.4 V

= 5毫安， V

= 0.4 V

饱和电流

(1)

= 3.0毫安， V

= 0.4 V

传输比

（集电极到发射极）

= 1.6毫安， V

= 0.4 V

= 1.0毫安， V

= 0.4 V

= 3.0毫安， V

= 5.0 V

电流传输比

我= 1.6毫安， V

= 5.0 V

（集电极到发射极）

(1) F

= 1.0毫安， V

= 5.0 V

= 10 mA时， V

= 4.3 V

= 5毫安， V

= 4.3 V

电流传输比

= 3.0毫安， V

= 4.3 V

集电极基（ 2 ）

= 1.6毫安， V

= 4.3 V

= 1.0毫安， V

= 4.3 V

= 10 mA时，我

= 7.5毫安

= 5毫安，我

= 6毫安

饱和电压

= 3.0毫安，我

= 1.8毫安

= 1.6毫安，我

= 1.6毫安

AC特性

测试条件

= 330

∞

= 3.3千欧，R

= 39 k

= 750

∞

= 4.7千欧，R

= 91 k

= 1.5千欧，R

∞

= 10千欧，R

= 160 k

= 0.4V, V

= 5V,

=科幻克。 13，R

= 330 k

= 330

∞

= 3.3千欧，R

= 39 k

= 750

∞

= 4.7千欧，R

= 91 k

= 1.5千欧，R

∞

= 10千欧，R

= 160 k

= 0.4V, V

= 5V,

=科幻克。 13，R

= 330 k

延迟时间

(5)

= 0.4V,

= 330 k,

= 1千欧，V

= 5V

= 0.4V,

= 330 k,

= 1千欧，V

= 5V

= 3.0毫安

= 5.0 V

= 1.6毫安

= 5.0V

= 1.0毫安

= 5.0V

= 10毫安

= 5毫安

= 3.0毫安

= 5.0 V

= 1.6毫安

= 5.0V

= 1.0毫安

= 5.0 V

= 10毫安

= 5毫安

= 10毫安

= 5毫安

= 10毫安

= 5毫安

CTR

CE （ SAT ）

CTR

（ CB ）

CE （ SAT ）

符号

单位

传播延迟

前高后低

(3)

PHL

MCT5211

MCT5200

MCT5201

MCT5210

传播延迟

从低到高

(4)

PLH

MCT5211

MCT5200

MCT5201

MCT5200

MCT5201

MCT5200

MCT5201

上升时间

(6)

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低输入电流

光电晶体管光耦合器

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

传输特性

= 0 ° C至70 ° C除非另有规定编）（续）

DC特性

贮存时间

(7)

测试条件

= 0.4V,

= 330 k,

= 1千欧，V

= 5V

= 0.4V,

= 330 k,

= 1千欧，V

= 5V

= 10毫安

= 5毫安

= 10毫安

= 5毫安

符号

设备

MCT5200

MCT5201

MCT5200

MCT5201

民

典型**

最大

单位

下降时间

(8)

**所有标准结构在T

= 25°C

笔记

1.直流电流传输比（ CTR

）是德网络定义为晶体管的集电极电流（I

）由输入的划分的LED电流（I

) x

100％时，在集电极和发射极之间一个特定的编电压（V

2.集电极基极电流传输比（ CTR

）是德网络定义为晶体管集电极基极的光电流（I

）由划分

输入LED电流（I

） 100％的时间。

3.参照图14的T

PHL

传播延迟是从所述数据输入脉冲的上升沿到的50％的点处测量

在输出脉冲的下降沿的1.3V点。

4.参照图14的T

PLH

传播延迟是从数据输入脉冲的下降沿的50％的点处测量

在输出脉冲的上升沿1.3V点。

5.延迟时间（t

）从LED电流的上升沿的50 ％开始，到90％武下降沿。

6.上升时间（t

）的测量是从90％到武下降沿的10％。

7.储存时间（t

）从LED电流的下降沿的50％的测到的武上升沿的10％。

8.下降时间（T

）的测量是从10 ％到90％的武上升沿。

9. C

ISO

是（引脚1 ，2，3连接的）的输入端之间的电容以及输出端，（引脚4 ，5，6连接）。

10.设备认为是一个双端器件：引脚1,2 ，和3短接在一起，并且销5 ，第6和第7短接在一起。

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低输入电流

光电晶体管光耦合器

MCT5200

MCT5201

MCT5210

MCT5211

典型性能图

图。 1 LED的正向电压与正向电流

2.0

- 正向电压（ V）

1.8

1.6

1.4

= -55°C

1.2

1.0

归一化CTR

0.8

0.6

0.4

0.2

图。 2归一化电流传输比主场迎战

正向电流

1.2

1.0

0.8

0.1

= 25°C

= 100°C

标准化为：

= 5毫安

= 5V

= 25°C

- LED正向电流（mA ）

100

0.1

- 正向电流（mA ）

100

图。 3归点击率与温度的关系

1.6

1.4

归一化CTR

1.2

1.0

0.8

= 1毫安

标准化为：

= 5毫安

= 5V

= 25°C

图。 4归集电极与

集电极 - 发射极电压

归一化我

- 集电极

- 发射极电流

= 10毫安

= 2毫安

= 5毫安

= 2毫安

= 5毫安

= 1毫安

- 0.5毫安

0.1

0.01

0.001

0.6

0.4

0.2

0.0

-60

-40

- 0.5毫安

- 0.2毫安

-20

100

0.0001

0.1

标准化为：

= 5毫安

= 5V

= 25°C

- 集电极 - 发射极电压 - V

- 环境温度 - C

图。 5归集电极基光电流

比与正向电流

100

归一化ICB - 集电极

基地光电流

归一化 - 集电极

基极电流

图。 6归集电极 -

基极电流与温度的关系

= 10毫安

= 5毫安

= 2毫安

0.1

= 1毫安

- 0.5毫安

0.1

标准化为：

= 5毫安

= 4.3V

= 25°C

0.01

标准化为：

= 5毫安

= 4.3V

= 25°C

- 0.2毫安

0.01

0.1

100

0.001

-60

-40

-20

100

- 正向电流 - 毫安

- 环境温度 - C

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