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光电晶体管光耦合器
MCT4
包装尺寸
0.230 (5.84)
0.209 (5.31)
0.195 (4.96)
0.178 (4.52)
0.210 (5.34)
0.170 (4.32)
0.560 (14.22)
0.500 (12.70)
0.100 （ 2.54 ）直径。
3
0.048 (1.22)
0.028 (0.71)
0.046 (1.16)
0.036 (0.92)
45°
4
1
0.019 (0.48)
4X
0.016 (0.41)
阴极3
概要
2
阳极1
2个集热器
4发射器
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
描述
该MCT4是一个标准的四引线TO- 18包含在一个GaAs红外发光二极管光耦合到一个NPN硅
平面光电晶体管。
特点
气密封装
高电流传输比;通常35 ％
高绝缘电阻; 10
11
欧姆在500伏
高电压隔离发射器检测器
2001年仙童半导体公司
DS300241
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1 6
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光电晶体管光耦合器
MCT4
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（流动）
辐射源
功耗在25 ° C环境
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 1 μs的脉冲， 300 ，PPS）
探测器
功耗25 ° C环境
集电极到发射极电压
发射极到集电极的电压
耦合器
总功耗
隔离电压
(3)
(2)
(1)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -F
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
V
首席执行官
V
ECO
P
D
等级
-55到+125
-65到+150
260 ，持续10秒
90
40
3
3.0
200
30
7
250
1000
单位
°C
°C
°C
mW
mA
V
A
mW
V
V
mW
VDC
电/光特性
参数
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极到发射极
发射极到集电极
漏电流
集电极到发射极
电容
集电极到发射极
注意：
1.减免电源线1.2毫瓦/°C， 25°C以上
2.减免电源线2.67毫瓦/°C， 25°C以上
3.减免电源线3.3毫瓦/°C， 25°C以上
V
CE
= 0
I
F
= 40毫安
V
R
= 3.0 V
V=0V
(T
A
=25°C)
单个组件特性
测试条件
符号
V
F
I
R
C
民
典型值
1.30
0.15
150
最大
1.50
10
单位
V
A
pF
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
E
= 100
A,
I
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
30
7
12
5
2
50
V
V
nA
pF
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DS300241
光电晶体管光耦合器
MCT4
传输特性
DC特性
再加
直流电流传输比（注1 ）
饱和电压
AC特性
电容的LED来检测
带宽（图5）
上升时间和下降时间（见工作原理图）
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
I
C
= 500
A,
I
F
= 10毫安
I
C
= 2毫安，我
F
= 50毫安
测试条件
注2
I
C
= 2毫安， V
CE
= 10 V ，注3
符号
CTR
V
CE （ SAT ）
符号
民
民
15
典型值
35
0.1
0.2
典型值
1.8
300
2
0.5
最大
最大
单位
%
V
单位
pF
千赫
s
隔离特性
特征
绝缘电阻
击穿电压
测试条件
V = 500 VDC
时间= 1秒
符号
R
ISO
民
10
11
1000
典型值
10
12
1500
最大
单位
!
VDC
注意：
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
在10伏。
2.频率在我
c
为3dB ，在1 kHz的价值下降。
3.上升时间（t
r
）是必需的集电极电流从它的最终值的10％提高到90 ％所需的时间。下降时间（T
f
）所需的时间
对于集电极电流从90％的初始值降低至10％。
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光电晶体管光耦合器
MCT4
图1.探测器输出特性
20
I
C
，集电极电流检测器（毫安）
25
I
F
= 60毫安
I
C
，集电极电流检测器（毫安）
图2.输入电流与输出电流
20
25
V
CE
= 10伏
20
15
20
I
F
= 40毫安
15
10
I
F
= 20毫安
I
F
= 10毫安
10
5
0
5
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
V
CE
，集电极电压检测器（ V）
I
F
，输入电流LED（毫安）
图3.暗电流与温度的关系
10
-4
10
-5
I
首席执行官，
暗电流（ A）
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
10
-10
10
-11
10
-12
-60
-40 -20
0
20
40
60 80 100 120 140
V
CE
= 10伏
CTR
,
归一化（％）
图4.电流输出与温度的关系
110
100
90
80
70
60
50
40
30
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
LED电流 - 10毫安
V
CE
= 10伏
独立式设备
T
A
，环境温度（ ° C）
T
A
，环境温度（ ° C）
图5.输出与频率的关系
2.0
1.8
1.6
R
L
=
图6.开关时间与集电极电流
V
CE
= 10伏
1.4
集电极电流（毫安）
1.2
1.0
0.8
R
L
=
V
CE
= 10伏
100
12
切换时间（ μS ）
10
8
6
4
2
R
L
=
470
R
L
= 1000
0.6
0.4
0.2
R
L
= 470
1000
R
L
= 100
1K
10K
频率（Hz）
100K
1
0.1
0.2
0.3 0.4
0.6 0.8 1
2
3
4
5 6 7 8 10
I
C
，集电极电流（毫安）
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813/01
DS300241
光电晶体管光耦合器
MCT4
调制
输入
1
F
47
不变
当前
输入
I
C
V
CC
= 10伏
脉冲
输入
47
I
C
V
CC
= 10伏
LED
λ
探测器
产量
LED
λ
探测器
脉冲
产量
R
L
= 100
I
F
R
L
= 100
I
F
图7.调制电路来获得输出与
频率图
图8.电路用于获取开关时间与
集电极电流剧情
DS300241
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