MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M - 光电晶体管光耦合器
2008年2月
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M
光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ，第2卷）
■
IEC60747-5-2认可（文件＃ 102497 ）
描述
该MCT2XXM系列光隔离器由一个镓
砷化镓红外发光二极管驱动硅
光电晶体管采用6引脚双列直插式封装。
- 添加选项V（例如， MCT2VM ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
概要
阳极1
6基地
6
1
6
1
6
1
阴极2
5收藏家
无连接3
4发射器
2005仙童半导体公司
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M - 光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
I
C
V
首席执行官
P
D
集电极电流
储存温度
参数
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
60
3
3
120
1.41
50
30
150
1.76
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
集电极 - 发射极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
2005仙童半导体公司
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
2
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M - 光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 20mA下
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
所有
MCT210M
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
所有
所有
所有
8
70
120
V
30
100
V
1.25
1.50
V
参数
测试条件
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
T
A
= 0 ℃ 70℃下，我
F
= 40毫安
I
R
反向漏
当前
V
R
= 3.0V
1.33
0.001
10
A
T
A
= 0 ° C 70 ° C，V
R
= 6.0V
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
T
A
= 0°C–70°C
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
T
A
= 0°C–70°C
BV
ECO
发射极 - 集电极
击穿电压
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
30
7
10
V
T
A
= 0°C–70°C
I
首席执行官
I
CBO
C
CE
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 基极暗
当前
电容
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 5V ，T
A
= 0°C–70°C
V
CB
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
6
10
1
50
30
20
nA
A
nA
pF
*所有典型的牛逼
A
= 25°C
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
参数
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
民
7500
10
11
典型*
最大
单位
VAC （ PK）
0.2
2
pF
*所有标准结构在T
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
3
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M - 光电晶体管光耦合器
电气特性
（续）
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
传输特性
符号
CTR
参数
输出集电极
当前
测试条件
T
A
= 0°C–70°C
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
设备
MCT210M
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
MCT210M
分钟。
150
20
45
50
TYP 。 *
马克斯。
单位
%
DC特性
90
I
F
= 3.2毫安到32毫安，
V
CE
= 0.4V ，T
A
= 0°C–70°C
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 2毫安，我
F
= 16毫安
0.4
V
I
C
= 16毫安，我
F
= 32毫安，
T
A
= 0°C–70°C
AC特性
t
on
AC饱和特性
启动时间从5V到0.8V
I
F
= 15毫安，V
CC
= 5V,
R
L
= 2k
, R
B
=打开（图11）
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5 V,
R
L
= 2k
, R
B
= 100k
）（图11）
t
关闭
饱和关断时间从
SAT至2.0 V
I
F
= 15毫安，V
CC
= 5V,
R
L
= 2k
, R
B
=打开（图11）
I
F
= 20mA时， V
CC
= 5V,
R
L
= 2k
, R
B
= 100k
（图11）
t
on
t
关闭
t
r
t
f
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
饱和导通时间
饱和的关断时间
（近似于典型
TTL接口）
饱和导通时间
饱和的关断时间
（近似于典型
低功耗TTL接口）
饱和的上升时间
饱和下降时间
饱和传播
延迟 - 高到低
饱和传播
延迟 - 从低到高
非饱和的上升时间
非饱和的下降时间
非饱和导通时间
不饱和关断时间
I
C
= 2毫安，V
CC
= 5V,
R
L
= 100Ω （图11）
I
C
= 2毫安，V
CC
= 5V,
R
L
= 100Ω （图20）
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
I
F
= 16毫安，R
L
= 1.9k,
V
CC
= 5V （图11）
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT2M
MCT2EM
MCT271M
1.1
1.3
50
20
2
2
2
1.5
1.0
48
s
s
s
s
s
s
s
s
t
on
t
关闭
I
F
= 16毫安，R
L
= 4.7k,
V
CC
= 5伏（图20）
MCT271M
1.0
98
s
s
t
r
t
f
T
PD （HL）
T
PD （ LH ）
t
r
t
f
t
on
t
关闭
I
F
= 16毫安，R
L
= 560,
V
CC
= 5V ）（图11，图12 ）
I
F
= 16毫安，R
L
= 2.7k
（图11，图12 ）
MCT210M
1.0
11
1.0
50
s
s
s
s
s
s
7
7
s
s
MCT210M
MCT210M
MCT271M
2
2
2
2
*所有标准结构在T
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
4
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M - 光电晶体管光耦合器
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
1.4
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.2
归一化CTR
1.5
1.0
1.4
T
A
= 55C
1.3
T
A
= 25C
1.2
T
A
= 100C
0.8
0.6
0.4
1.1
0.2
1.0
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
I
F
= 20毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25C
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
0.2
10
100
1000
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
图。 6集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
2005仙童半导体公司
MCT2M ， MCT2EM ， MCT210M ， MCT271M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
5
光电晶体管光耦合器
MCT2
MCT2200
MCT2E
MCT2201
MCT210
MCT2202
MCT271
白色包装（ -M后缀）
BLACK PACKAGE （ NO -M后缀）
6
1
6
1
6
1
6
1
6
1
6
1
描述
该MCT2XXX系列光隔离器由一个砷化镓红外发光二极管驱动硅光电晶体管，采用6引脚
双列直插式封装。
特点
UL认证（文件号E90700 ）
VDE认可（文件号： 94766 ）
- 添加选项V白色包（例如， MCT2V -M ）
- 添加选项300黑包（如， MCT2.300 ）
MCT2和MCT2E也是白色的封装，通过指定-M SUF网络连接X，如。 MCT2 -M
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
概要
1
6
2
5
3
NC
4
PIN 1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
2005仙童半导体公司
分页： 15 1
6/15/05
光电晶体管光耦合器
MCT2
MCT2200
MCT2E
MCT2201
MCT210
MCT2202
MCT271
绝对最大额定值
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
P
D
减免上述25℃
辐射源
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
集电极电流
集电极 - 发射极电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
P
D
I
C
V
首席执行官
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
设备
所有
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
-M
非-M
所有
所有
-M
非-M
-M
非-M
所有
所有
所有
-M
非-M
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
260
2.94
3.3
60
100
3
3
120
150
1.41
2.0
50
30
150
1.76
2.0
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
mA
V
mW
毫瓦/°C的
2005仙童半导体公司
分页： 15 2
6/15/05
光电晶体管光耦合器
MCT2
MCT2200
MCT2E
MCT2201
MCT210
MCT2202
MCT271
传输特性
（续）
AC特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
（近似于典型
TTL接口）
饱和导通时间
饱和的关断时间
（近似于典型
低功耗TTL接口）
饱和的上升时间
饱和下降时间
饱和传播
延迟 - 高到低
饱和传播
延迟 - 从低到高
非饱和
启动时间
非饱和
关闭时间
非饱和的上升时间
非饱和的下降时间
非饱和
开启时间
非饱和
打开-O FF时间
在T **典型值
A
= 25°C
(I
F
= 16毫安，R
L
= 4.7kΩ上，V
CC
= 5 V)
（图20）
(I
F
= 16毫安，R
L
= 560, V
CC
= 5 V)
（图20，图21 ）
(I
F
= 16毫安，R
L
= 1.9kΩ ，V
CC
= 5 V)
（图20）
测试条件
符号
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
t
r
t
f
T
PD （HL）
(I
F
= 16毫安，R
L
= 2.7kΩ ）（图20，图21 ）
T
PD （ LH ）
T
ON
T
关闭
t
r
t
f
t
on
MCT271
t
关闭
2
7
MCT2200
MCT2201
MCT2202
MCT210
50
2
2
2
2
2
7
10
10
MCT210
MCT271
设备
民
典型**
1.0
48
1.0
98
1.0
11
1.0
s
最大
单位
(I
C
= 2毫安， V
CC
= 10 V ，R
L
= 100
（图20）
(I
C
= 2毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 100)
（图20）
(I
C
= 2毫安， V
CC
= 5 V ，R
L
= 100)
（图20）
隔离特性
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
记
*在T典型值
A
= 25°C
测试条件符号
（非' -M '，黑色包）（ F = 60Hz时， T = 1分）
（' -M ' ，白色包装） （ F = 60Hz时， T = 1秒）
(V
我-O
= 500 VDC）
(V
我-O
= & ， F = 1兆赫）
（' -M '白包）
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
5300
7500
10
11
0.5
0.2
2
典型*
最大
单位
VAC （ RMS）
VAC （ PK）
pF
pF
2005仙童半导体公司
第15个5
6/15/05
QQ：2880707522 复制
