MCRF202
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
()
储存温度..............................................................................................................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C
最大电流为线圈垫..............................................................................................................................50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
在本规范的操作列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
AC和DC特性
所有参数均适用于
特定网络编辑的工作范围
工业级（I ） ：T已
A
= -40 ° C至+ 85°C
除非另有说明。
参数
时钟频率
数据保留
线圈电流（动态）
工作电流没有V
CC
负载
工作电流与V
CC
负载
I
CD
I
DD
I
DL
符号
F
CLK
民
100
200
—
—
—
典型值
—
—
50
5
10
最大
400
—
—
—
—
单位
千赫
岁月
A
A
A
V
CC
= 2V
空载到V
CC
PAD
V
CC
= 2V
V
CC
通过负载开关
到传感器
25°C
条件
导通电压（动态），用于
调制
输入电容
传感器下拉
传感器触发阈值
V
A
V
B
V
CC
C
IN
R
S
V
S
10
2
—
400
0.5
—
—
2
800
1.0
—
—
—
1200
1.5
V
PP
V
DC
pF
k
V
V之间
A
和V
B
2003 Microchip的技术公司
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MCRF202
2.2
配置寄存器和
控制逻辑
2.2.3
调制选
CB8和CB9确定的调制协议
编码数据。可用的选项包括：
ASK
FSK
PSK_1
PSK_2
配置寄存器决定操作
该装置的参数。它直接控制逻辑
块，产生波特率，内存大小，
编码数据，调制协议等CB11是
始终为零。一旦该阵列是成功的亲
编程在出厂时，锁位CB12设置。当
锁定位设置，编程和擦除设备
成为终身的残疾。表2-1中包含
控制的描述寄存器位功能。
当ASK（直接）选项被选择，编码数据
被送入不改变调制晶体管。
当被选择的FSK选项，该编码数据是REP-
怨恨者：
a)
10射频载波周期集（第5次循环
→
更高的幅度，最后5个循环
→
低
振幅）为逻辑“高”电平。
8个RF载波周期集（第4个周期
→
更高的幅度，最后4个周期
→
低
振幅）为逻辑“低”电平。
4台用于数据'1'， 10射频载波周期。
5套的数据“0” 8 RF载波周期。
2.2.1
波特率时序的选择
该芯片将在所确定的波特率访问数据
位CB2 ， CB3 ， CB4和配置寄存器的。
例如， MOD32 （ CB2 =
0,
CB3 =
1,
CB4 =
1)
有
每32位RF周期。这给出了4千赫的数据速率
为128千赫兹的RF载波频率。
b)
2.2.2
数据编码选项
例如，频移键控信号进行MOD40表示：
a)
b)
这个逻辑作用于从被读出的串行数据
EEPROM 。根据逻辑编码的数据
配置位CB6和CB7 。 CB6 CB7和阻止 -
矿中的数据编码方法。可用的选择
主要有：
非返回到零电平（ NRZ_L ）
Biphase_S （差分）
Biphase_L （曼彻斯特）
倒曼彻斯特
请参考图2-2为FSK信号MOD40
选项。
该PSK_1代表变化的阶段
调制信号的编码数据的变化。
例如，相位变化时的编码
数据从“1”变为“0”，或从“0”到“1”。
该PSK_2表示变化的相位在
更改'1'。例如，相位变化时
编码的数据是从“0”改为“1” ，或者从“1”
为'1' 。
图2-2：
编码数据和FSK输出信号MOD40选项
经编码的数据“1”
5个周期（ HI ）
5个周期（ LO）的
编码数据“0”
4个周期（ HI ）
4个周期（ LO）的
40 RF周期
40 RF周期
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