MCRF200

125千赫microID 无源RFID设备

特点

工厂编程和存储序列化

（ SQTP

SM

)

一次性接触编程（开发者

套件只）

编程后只读数据传输

96位或128位一次性可编程（ OTP ）

用户存储器（还支持48位和64位

协议）

典型工作频率： 100千赫， 400千赫

超低功耗工作（ 5

A

@ V

CC

= 2V)

调制选项：

- ASK ， FSK ， PSK

数据编码选项：

- NRZ直接，差分双相曼彻斯特

双相

模具，硅片， COB ， PDIP或SOIC封装选项

工厂编程选项

套餐类型

PDIP / SOIC

V

A

NC

I / O

RESET

1

2

3

4

8

7

6

5

V

B

NC

V

SS

V

CC

注意：

销3 ，4， 5和6是用于专用装置测试目的。

引脚1和8是天线的连接。

不要接地引脚5 。

描述

该MCRF200是无源射频Identifi-

阳离子（RFID）装置，用于低频应用

（ 100千赫， 400千赫） 。该装置是由电

整流来自读取器的输入RF信号。该

装置需要一个外部LC谐振电路，以

接收输入RF信号，并发送数据。该

设备发展为动作的足够的直流电压

当它的外部线圈的电压达到约10

V

PP

.

此设备具有总共128位用户可编程的

存储器和一个额外的12个比特在其构造

注册。用户可以手动编程的128位的

通过在使用非接触式编程器的用户内存

microID开发工具包，如DV103001或PG103001 。

然而，在生产量的MCRF200是

在工厂（ Microchip的SQTP编程 - 见

技术公告TB023 ） 。该装置是一次性

可编程（OTP）的集成电路，并作为

编程后的只读设备。

应用

低成本替代现有的低频

RFID设备

门禁和考勤

安全系统

动物标签

产品标识

工业标签

库存控制

RF

信号

读者

数据

MCRF200

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第1页

MCRF200

框图

调制

控制

数据

调制

电路

COIL

连接

时钟

发电机

V

CC

整流器器

V

SS

ROW

解码

内存

ARRAY

计数器

COLUMN

解码

配置寄存器包括用于commu-选项

讯协议（ ASK，FSK ， PSK）数据编码

方法，数据速率和数据length.These选项

按客户和工厂在指定的编程

装配。因为它的许多配置的选择

选项，该设备可以很容易地用来作为一种替代

或第二个源的大多数现有的低频率的

可今天无源RFID器件。

该装置具有在所述调制晶体管

两个天线连接（V

A

和V

B

） 。调制

晶体管衰减或undamps线圈电压，当它

发送数据。线圈电压所控制的变化

调制晶体管导致的扰动

电压在读写器的天线线圈。通过监测

改变阅读器线圈电压，数据传输

从设备可以重建。

该器件可在芯片，外延片，芯片上的电路板

（ COB ）模块， PDIP或SOIC封装。工厂

编程和存储序列化（ SQTP ）是

也可根据客人的要求。见TB023更多的

在联系人程序支持的信息。

该DV103001开发套件包括接触

编程器， ASK ， FSK ， PSK读者参考，而

参考设计指南。该参考设计指南

包括原理图，供读者和非接触式

程序员以及深入的文档进行天线

电路设计。

DS21219H第2页

2003 Microchip的技术公司

MCRF200

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

储存温度..............................................................................................................................- 65 ° C至+ 150°C

环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C

最大电流为线圈垫..............................................................................................................................50毫安

注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件

超出本规范的业务列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

表1-1：

AC和DC特性

所有参数均适用于

规定的工作范围，除非工业级（I ） ：T已

A

= -40 ° C至+ 85°C

另有说明。

参数

时钟频率

非接触式编程时间

数据保留

线圈电流（动态）

工作电流

导通电压（动态），用于

调制

输入电容

I

CD

I

DD

V

A

V

B

V

CC

C

IN

符号

F

CLK

T

WC

民

100

—

200

—

—

10

2

—

典型值

—

2

—

50

5

—

—

2

—

—

—

最大

400

—

—

单位

千赫

美国证券交易委员会

岁月

A

A

V

PP

V

DC

pF

V之间

A

和V

B

V

CC

= 2V

对于所有的128位阵列

在25℃下

条件

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第3页

MCRF200

2.0

功能说明

2.1.2

上电复位

该装置包括三个主要组成部分。他们

是RF前端，配置和控制逻辑，并

内存部分。该框图如图上

第1页。

该电路产生上电复位标记时，

首先进入读卡器字段。复位时释放

充足的电力开发的V

DD

稳压器

让正确的操作。

2.1

RF前端

2.1.3

时钟发生器

设备的RF前端包括用于电路

整改载体，V的

DD

（工作电压）和

高电压钳位。本节还包括一个

时钟发生器和调制电路。

此电路根据所述载体上的时钟

频率从读取器。这个时钟用于产生

在该装置中的所有时序，包括波特率和

调制速率。

2.1.4

2.1.1

整流器 - AC CLAMP

整流电路进行整流的RF电压上的外部

LC天线电路。在调整过高的电压

电路是由内部电路钳位到一个安全水平

为了防止损坏IC 。

调制电路

该装置由发送编码数据给读写器

AM调制横跨调谐LC的线圈电压

电路。调制晶体管放置的

两个天线线圈垫（V

A

和V

B

） 。晶体管导

开和关的基础上调制的信号。其结果，

天线线圈电压的振幅的变化

调制信号。参见图2-1了解详细信息。

图2-1：

调制信号和调制信号

MCRF200

V

A

调制

信号

L

C

V

B

调制

晶体管

振幅

调制信号

调制的射频信号

（跨V

A

和V

B

)

t

DS21219H第4页

2003 Microchip的技术公司

MCRF200

2.2

配置寄存器和

控制逻辑

2.2.3

调制选

CB8和CB9确定的调制协议

编码数据。可用的选项包括：

ASK

FSK

PSK_1

PSK_2

配置寄存器决定操作

该装置的参数。配置寄存器

不能被无接触地编程;这是

晶圆探针时在Microchip编程

工厂。 CB11始终为零; CB12设定时

成功的接触或者非接触的编程

数据阵列已经完成。一旦CB12被设置，

器件编程和擦除被禁用。表2-4

包含的控制位功能的说明

注册。

当ASK（直接）选项被选择，编码数据

被送入不改变调制晶体管。

当被选择的FSK选项，该编码数据是

式表示：

a)

10射频载波周期集（第5次循环

→

更高的幅度，最后5个循环

→

低

振幅）为逻辑“高”电平。

8个RF载波周期集（第4个周期

→

更高的幅度，最后4个周期

→

低

振幅）为逻辑“低”电平。

4台用于数据'1'， 10射频载波周期。

5套的数据“0” 8 RF载波周期。

2.2.1

波特率时序的选择

该芯片将在所确定的波特率访问数据

位CB2 ， CB3和配置寄存器的CB4 。

例如， MOD32 （ CB2 =

0,

CB3 =

1,

CB4 =

1)

有

每32位RF周期。这给出了4千赫的数据速率

为128千赫兹的RF载波频率。

默认时序为MOD128 （F

CLK

/ 128） ，与此

模式用于接触式和非接触编程

明。一旦阵列被成功地编程，则

锁位CB12设置。当锁定位被置位，编程

明和擦除的设备变为永久

禁用。配置寄存器有没有影响

器件的时序，直到EEPROM数据阵列

编程（ CB12 =

1).

b)

例如，频移键控信号进行MOD40表示：

a)

b)

请参考图2-2为FSK信号MOD40

选项。

该PSK_1代表变化的阶段

调制信号的编码数据的变化。

例如，相位变化时的编码

数据从“1”变为“0”，或从“0”到“1”。

该PSK_2表示变化的相位在

更改'1'。例如，相位变化时

编码的数据是从“0”改为“1” ，或者从“1”

为'1' 。

2.2.2

数据编码选项

这个逻辑作用于从被读出的串行数据

EEPROM 。根据逻辑编码的数据

配置位CB6和CB7 。 CB6 CB7和

确定的数据编码方法。可用

选项包括：

非归零级（ NRZ_L ）

双相差异，双相曼彻斯特

倒曼彻斯特

图2-2：

编码数据和FSK输出信号MOD40选项

经编码的数据“1”

5个周期（ HI ）

5个周期（ LO）的

编码数据“0”

4个周期（ HI ）

4个周期（ LO）的

40 RF周期

40 RF周期

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第5页

MCRF200

125千赫microID 无源RFID设备

特点

工厂编程和存储序列化

（ SQTP

SM

)

一次性接触编程（开发者

套件只）

编程后只读数据传输

96位或128位一次性可编程（ OTP ）

用户存储器（还支持48位和64位

协议）

典型工作频率： 100千赫， 400千赫

超低功耗工作（ 5

A

@ V

CC

= 2V)

调制选项：

- ASK ， FSK ， PSK

数据编码选项：

- NRZ直接，差分双相曼彻斯特

双相

模具，硅片， COB ， PDIP或SOIC封装选项

工厂编程选项

套餐类型

PDIP / SOIC

V

A

NC

I / O

RESET

1

2

3

4

8

7

6

5

V

B

NC

V

SS

V

CC

注意：

销3 ，4， 5和6是用于专用装置测试目的。

引脚1和8是天线的连接。

不要接地引脚5 。

描述

该MCRF200是无源射频Identifi-

阳离子（RFID）装置，用于低频应用

（ 100千赫， 400千赫） 。该装置是由电

整流来自读取器的输入RF信号。该

装置需要一个外部LC谐振电路，以

接收输入RF信号，并发送数据。该

设备发展为动作的足够的直流电压

当它的外部线圈的电压达到约10

V

PP

.

此设备具有总共128位用户可编程的

存储器和一个额外的12个比特在其构造

注册。用户可以手动编程的128位的

通过在使用非接触式编程器的用户内存

microID开发工具包，如DV103001或PG103001 。

然而，在生产量的MCRF200是

在工厂（ Microchip的SQTP编程 - 见

技术公告TB023 ） 。该装置是一次性

可编程（OTP）的集成电路，并作为

编程后的只读设备。

应用

低成本替代现有的低频

RFID设备

门禁和考勤

安全系统

动物标签

产品标识

工业标签

库存控制

RF

信号

读者

数据

MCRF200

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第1页

MCRF200

框图

调制

控制

数据

调制

电路

COIL

连接

时钟

发电机

V

CC

整流器器

V

SS

ROW

解码

内存

ARRAY

计数器

COLUMN

解码

配置寄存器包括用于commu-选项

讯协议（ ASK，FSK ， PSK）数据编码

方法，数据速率和数据length.These选项

按客户和工厂在指定的编程

装配。因为它的许多配置的选择

选项，该设备可以很容易地用来作为一种替代

或第二个源的大多数现有的低频率的

可今天无源RFID器件。

该装置具有在所述调制晶体管

两个天线连接（V

A

和V

B

） 。调制

晶体管衰减或undamps线圈电压，当它

发送数据。线圈电压所控制的变化

调制晶体管导致的扰动

电压在读写器的天线线圈。通过监测

改变阅读器线圈电压，数据传输

从设备可以重建。

该器件可在芯片，外延片，芯片上的电路板

（ COB ）模块， PDIP或SOIC封装。工厂

编程和存储序列化（ SQTP ）是

也可根据客人的要求。见TB023更多的

在联系人程序支持的信息。

该DV103001开发套件包括接触

编程器， ASK ， FSK ， PSK读者参考，而

参考设计指南。该参考设计指南

包括原理图，供读者和非接触式

程序员以及深入的文档进行天线

电路设计。

DS21219H第2页

2003 Microchip的技术公司

MCRF200

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

储存温度..............................................................................................................................- 65 ° C至+ 150°C

环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C

最大电流为线圈垫..............................................................................................................................50毫安

注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件

超出本规范的业务列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

表1-1：

AC和DC特性

所有参数均适用于

规定的工作范围，除非工业级（I ） ：T已

A

= -40 ° C至+ 85°C

另有说明。

参数

时钟频率

非接触式编程时间

数据保留

线圈电流（动态）

工作电流

导通电压（动态），用于

调制

输入电容

I

CD

I

DD

V

A

V

B

V

CC

C

IN

符号

F

CLK

T

WC

民

100

—

200

—

—

10

2

—

典型值

—

2

—

50

5

—

—

2

—

—

—

最大

400

—

—

单位

千赫

美国证券交易委员会

岁月

A

A

V

PP

V

DC

pF

V之间

A

和V

B

V

CC

= 2V

对于所有的128位阵列

在25℃下

条件

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第3页

MCRF200

2.0

功能说明

2.1.2

上电复位

该装置包括三个主要组成部分。他们

是RF前端，配置和控制逻辑，并

内存部分。该框图如图上

第1页。

该电路产生上电复位标记时，

首先进入读卡器字段。复位时释放

充足的电力开发的V

DD

稳压器

让正确的操作。

2.1

RF前端

2.1.3

时钟发生器

设备的RF前端包括用于电路

整改载体，V的

DD

（工作电压）和

高电压钳位。本节还包括一个

时钟发生器和调制电路。

此电路根据所述载体上的时钟

频率从读取器。这个时钟用于产生

在该装置中的所有时序，包括波特率和

调制速率。

2.1.4

2.1.1

整流器 - AC CLAMP

整流电路进行整流的RF电压上的外部

LC天线电路。在调整过高的电压

电路是由内部电路钳位到一个安全水平

为了防止损坏IC 。

调制电路

该装置由发送编码数据给读写器

AM调制横跨调谐LC的线圈电压

电路。调制晶体管放置的

两个天线线圈垫（V

A

和V

B

） 。晶体管导

开和关的基础上调制的信号。其结果，

天线线圈电压的振幅的变化

调制信号。参见图2-1了解详细信息。

图2-1：

调制信号和调制信号

MCRF200

V

A

调制

信号

L

C

V

B

调制

晶体管

振幅

调制信号

调制的射频信号

（跨V

A

和V

B

)

t

DS21219H第4页

2003 Microchip的技术公司

MCRF200

2.2

配置寄存器和

控制逻辑

2.2.3

调制选

CB8和CB9确定的调制协议

编码数据。可用的选项包括：

ASK

FSK

PSK_1

PSK_2

配置寄存器决定操作

该装置的参数。配置寄存器

不能被无接触地编程;这是

晶圆探针时在Microchip编程

工厂。 CB11始终为零; CB12设定时

成功的接触或者非接触的编程

数据阵列已经完成。一旦CB12被设置，

器件编程和擦除被禁用。表2-4

包含的控制位功能的说明

注册。

当ASK（直接）选项被选择，编码数据

被送入不改变调制晶体管。

当被选择的FSK选项，该编码数据是

式表示：

a)

10射频载波周期集（第5次循环

→

更高的幅度，最后5个循环

→

低

振幅）为逻辑“高”电平。

8个RF载波周期集（第4个周期

→

更高的幅度，最后4个周期

→

低

振幅）为逻辑“低”电平。

4台用于数据'1'， 10射频载波周期。

5套的数据“0” 8 RF载波周期。

2.2.1

波特率时序的选择

该芯片将在所确定的波特率访问数据

位CB2 ， CB3和配置寄存器的CB4 。

例如， MOD32 （ CB2 =

0,

CB3 =

1,

CB4 =

1)

有

每32位RF周期。这给出了4千赫的数据速率

为128千赫兹的RF载波频率。

默认时序为MOD128 （F

CLK

/ 128） ，与此

模式用于接触式和非接触编程

明。一旦阵列被成功地编程，则

锁位CB12设置。当锁定位被置位，编程

明和擦除的设备变为永久

禁用。配置寄存器有没有影响

器件的时序，直到EEPROM数据阵列

编程（ CB12 =

1).

b)

例如，频移键控信号进行MOD40表示：

a)

b)

请参考图2-2为FSK信号MOD40

选项。

该PSK_1代表变化的阶段

调制信号的编码数据的变化。

例如，相位变化时的编码

数据从“1”变为“0”，或从“0”到“1”。

该PSK_2表示变化的相位在

更改'1'。例如，相位变化时

编码的数据是从“0”改为“1” ，或者从“1”

为'1' 。

2.2.2

数据编码选项

这个逻辑作用于从被读出的串行数据

EEPROM 。根据逻辑编码的数据

配置位CB6和CB7 。 CB6 CB7和

确定的数据编码方法。可用

选项包括：

非归零级（ NRZ_L ）

双相差异，双相曼彻斯特

倒曼彻斯特

图2-2：

编码数据和FSK输出信号MOD40选项

经编码的数据“1”

5个周期（ HI ）

5个周期（ LO）的

编码数据“0”

4个周期（ HI ）

4个周期（ LO）的

40 RF周期

40 RF周期

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第5页

MCRF200

125千赫microID 无源RFID设备

特点

工厂编程和存储序列化

（ SQTP

SM

)

一次性接触编程（开发者

套件只）

编程后只读数据传输

96位或128位一次性可编程（ OTP ）

用户存储器（还支持48位和64位

协议）

典型工作频率： 100千赫， 400千赫

超低功耗工作（ 5

A

@ V

CC

= 2V)

调制选项：

- ASK ， FSK ， PSK

数据编码选项：

- NRZ直接，差分双相曼彻斯特

双相

模具，硅片， COB ， PDIP或SOIC封装选项

工厂编程选项

套餐类型

PDIP / SOIC

V

A

NC

I / O

RESET

1

2

3

4

8

7

6

5

V

B

NC

V

SS

V

CC

注意：

销3 ，4， 5和6是用于专用装置测试目的。

引脚1和8是天线的连接。

不要接地引脚5 。

描述

该MCRF200是无源射频Identifi-

阳离子（RFID）装置，用于低频应用

（ 100千赫， 400千赫） 。该装置是由电

整流来自读取器的输入RF信号。该

装置需要一个外部LC谐振电路，以

接收输入RF信号，并发送数据。该

设备发展为动作的足够的直流电压

当它的外部线圈的电压达到约10

V

PP

.

此设备具有总共128位用户可编程的

存储器和一个额外的12个比特在其构造

注册。用户可以手动编程的128位的

通过在使用非接触式编程器的用户内存

microID开发工具包，如DV103001或PG103001 。

然而，在生产量的MCRF200是

在工厂（ Microchip的SQTP编程 - 见

技术公告TB023 ） 。该装置是一次性

可编程（OTP）的集成电路，并作为

编程后的只读设备。

应用

低成本替代现有的低频

RFID设备

门禁和考勤

安全系统

动物标签

产品标识

工业标签

库存控制

RF

信号

读者

数据

MCRF200

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第1页

MCRF200

框图

调制

控制

数据

调制

电路

COIL

连接

时钟

发电机

V

CC

整流器器

V

SS

ROW

解码

内存

ARRAY

计数器

COLUMN

解码

配置寄存器包括用于commu-选项

讯协议（ ASK，FSK ， PSK）数据编码

方法，数据速率和数据length.These选项

按客户和工厂在指定的编程

装配。因为它的许多配置的选择

选项，该设备可以很容易地用来作为一种替代

或第二个源的大多数现有的低频率的

可今天无源RFID器件。

该装置具有在所述调制晶体管

两个天线连接（V

A

和V

B

） 。调制

晶体管衰减或undamps线圈电压，当它

发送数据。线圈电压所控制的变化

调制晶体管导致的扰动

电压在读写器的天线线圈。通过监测

改变阅读器线圈电压，数据传输

从设备可以重建。

该器件可在芯片，外延片，芯片上的电路板

（ COB ）模块， PDIP或SOIC封装。工厂

编程和存储序列化（ SQTP ）是

也可根据客人的要求。见TB023更多的

在联系人程序支持的信息。

该DV103001开发套件包括接触

编程器， ASK ， FSK ， PSK读者参考，而

参考设计指南。该参考设计指南

包括原理图，供读者和非接触式

程序员以及深入的文档进行天线

电路设计。

DS21219H第2页

2003 Microchip的技术公司

MCRF200

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

储存温度..............................................................................................................................- 65 ° C至+ 150°C

环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C

最大电流为线圈垫..............................................................................................................................50毫安

注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件

超出本规范的业务列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

表1-1：

AC和DC特性

所有参数均适用于

规定的工作范围，除非工业级（I ） ：T已

A

= -40 ° C至+ 85°C

另有说明。

参数

时钟频率

非接触式编程时间

数据保留

线圈电流（动态）

工作电流

导通电压（动态），用于

调制

输入电容

I

CD

I

DD

V

A

V

B

V

CC

C

IN

符号

F

CLK

T

WC

民

100

—

200

—

—

10

2

—

典型值

—

2

—

50

5

—

—

2

—

—

—

最大

400

—

—

单位

千赫

美国证券交易委员会

岁月

A

A

V

PP

V

DC

pF

V之间

A

和V

B

V

CC

= 2V

对于所有的128位阵列

在25℃下

条件

2003 Microchip的技术公司

DS21219H第3页

MCRF200

2.0

功能说明

2.1.2

上电复位

该装置包括三个主要组成部分。他们

是RF前端，配置和控制逻辑，并

内存部分。该框图如图上

第1页。

该电路产生上电复位标记时，

首先进入读卡器字段。复位时释放

充足的电力开发的V

DD

稳压器

让正确的操作。

2.1

RF前端

2.1.3

时钟发生器

设备的RF前端包括用于电路

整改载体，V的

DD

（工作电压）和

高电压钳位。本节还包括一个

时钟发生器和调制电路。

此电路根据所述载体上的时钟

频率从读取器。这个时钟用于产生

在该装置中的所有时序，包括波特率和

调制速率。

2.1.4

2.1.1

整流器 - AC CLAMP

整流电路进行整流的RF电压上的外部

LC天线电路。在调整过高的电压

电路是由内部电路钳位到一个安全水平

为了防止损坏IC 。

调制电路

该装置由发送编码数据给读写器

AM调制横跨调谐LC的线圈电压

电路。调制晶体管放置的

两个天线线圈垫（V

A

和V

B

） 。晶体管导

开和关的基础上调制的信号。其结果，

天线线圈电压的振幅的变化

调制信号。参见图2-1了解详细信息。

图2-1：

调制信号和调制信号

MCRF200

V

A

调制

信号

L

C

V

B

调制

晶体管

振幅

调制信号

调制的射频信号

（跨V

A

和V

B

)

t

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2003 Microchip的技术公司

MCRF200

2.2

配置寄存器和

控制逻辑

2.2.3

调制选

CB8和CB9确定的调制协议

编码数据。可用的选项包括：

ASK

FSK

PSK_1

PSK_2

配置寄存器决定操作

该装置的参数。配置寄存器

不能被无接触地编程;这是

晶圆探针时在Microchip编程

工厂。 CB11始终为零; CB12设定时

成功的接触或者非接触的编程

数据阵列已经完成。一旦CB12被设置，

器件编程和擦除被禁用。表2-4

包含的控制位功能的说明

注册。

当ASK（直接）选项被选择，编码数据

被送入不改变调制晶体管。

当被选择的FSK选项，该编码数据是

式表示：

a)

10射频载波周期集（第5次循环

→

更高的幅度，最后5个循环

→

低

振幅）为逻辑“高”电平。

8个RF载波周期集（第4个周期

→

更高的幅度，最后4个周期

→

低

振幅）为逻辑“低”电平。

4台用于数据'1'， 10射频载波周期。

5套的数据“0” 8 RF载波周期。

2.2.1

波特率时序的选择

该芯片将在所确定的波特率访问数据

位CB2 ， CB3和配置寄存器的CB4 。

例如， MOD32 （ CB2 =

0,

CB3 =

1,

CB4 =

1)

有

每32位RF周期。这给出了4千赫的数据速率

为128千赫兹的RF载波频率。

默认时序为MOD128 （F

CLK

/ 128） ，与此

模式用于接触式和非接触编程

明。一旦阵列被成功地编程，则

锁位CB12设置。当锁定位被置位，编程

明和擦除的设备变为永久

禁用。配置寄存器有没有影响

器件的时序，直到EEPROM数据阵列

编程（ CB12 =

1).

b)

例如，频移键控信号进行MOD40表示：

a)

b)

请参考图2-2为FSK信号MOD40

选项。

该PSK_1代表变化的阶段

调制信号的编码数据的变化。

例如，相位变化时的编码

数据从“1”变为“0”，或从“0”到“1”。

该PSK_2表示变化的相位在

更改'1'。例如，相位变化时

编码的数据是从“0”改为“1” ，或者从“1”

为'1' 。

2.2.2

数据编码选项

这个逻辑作用于从被读出的串行数据

EEPROM 。根据逻辑编码的数据

配置位CB6和CB7 。 CB6 CB7和

确定的数据编码方法。可用

选项包括：

非归零级（ NRZ_L ）

双相差异，双相曼彻斯特

倒曼彻斯特

图2-2：

编码数据和FSK输出信号MOD40选项

经编码的数据“1”

5个周期（ HI ）

5个周期（ LO）的

编码数据“0”

4个周期（ HI ）

4个周期（ LO）的

40 RF周期

40 RF周期

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MCRF200

125千赫microID 无源RFID设备

特点

工厂编程和存储序列化

（ SQTP

SM

)

一次性接触编程（开发者

套件只）

编程后只读数据传输

96位或128位一次性可编程（ OTP ）

用户存储器（还支持48位和64位

协议）

典型工作频率： 100千赫， 400千赫

超低功耗工作（ 5

A

@ V

CC

= 2V)

调制选项：

- ASK ， FSK ， PSK

数据编码选项：

- NRZ直接，差分双相曼彻斯特

双相

模具，硅片， COB ， PDIP或SOIC封装选项

工厂编程选项

套餐类型

PDIP / SOIC

V

A

NC

I / O

RESET

1

2

3

4

8

7

6

5

V

B

NC

V

SS

V

CC

注意：

销3 ，4， 5和6是用于专用装置测试目的。

引脚1和8是天线的连接。

不要接地引脚5 。

描述

该MCRF200是无源射频Identifi-

阳离子（RFID）装置，用于低频应用

（ 100千赫， 400千赫） 。该装置是由电

整流来自读取器的输入RF信号。该

装置需要一个外部LC谐振电路，以

接收输入RF信号，并发送数据。该

设备发展为动作的足够的直流电压

当它的外部线圈的电压达到约10

V

PP

.

此设备具有总共128位用户可编程的

存储器和一个额外的12个比特在其构造

注册。用户可以手动编程的128位的

通过在使用非接触式编程器的用户内存

microID开发工具包，如DV103001或PG103001 。

然而，在生产量的MCRF200是

在工厂（ Microchip的SQTP编程 - 见

技术公告TB023 ） 。该装置是一次性

可编程（OTP）的集成电路，并作为

编程后的只读设备。

应用

低成本替代现有的低频

RFID设备

门禁和考勤

安全系统

动物标签

产品标识

工业标签

库存控制

RF

信号

读者

数据

MCRF200

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MCRF200

框图

调制

控制

数据

调制

电路

COIL

连接

时钟

发电机

V

CC

整流器器

V

SS

ROW

解码

内存

ARRAY

计数器

COLUMN

解码

配置寄存器包括用于commu-选项

讯协议（ ASK，FSK ， PSK）数据编码

方法，数据速率和数据length.These选项

按客户和工厂在指定的编程

装配。因为它的许多配置的选择

选项，该设备可以很容易地用来作为一种替代

或第二个源的大多数现有的低频率的

可今天无源RFID器件。

该装置具有在所述调制晶体管

两个天线连接（V

A

和V

B

） 。调制

晶体管衰减或undamps线圈电压，当它

发送数据。线圈电压所控制的变化

调制晶体管导致的扰动

电压在读写器的天线线圈。通过监测

改变阅读器线圈电压，数据传输

从设备可以重建。

该器件可在芯片，外延片，芯片上的电路板

（ COB ）模块， PDIP或SOIC封装。工厂

编程和存储序列化（ SQTP ）是

也可根据客人的要求。见TB023更多的

在联系人程序支持的信息。

该DV103001开发套件包括接触

编程器， ASK ， FSK ， PSK读者参考，而

参考设计指南。该参考设计指南

包括原理图，供读者和非接触式

程序员以及深入的文档进行天线

电路设计。

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MCRF200

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

储存温度..............................................................................................................................- 65 ° C至+ 150°C

环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C

最大电流为线圈垫..............................................................................................................................50毫安

注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件

超出本规范的业务列表显示不暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

表1-1：

AC和DC特性

所有参数均适用于

规定的工作范围，除非工业级（I ） ：T已

A

= -40 ° C至+ 85°C

另有说明。

参数

时钟频率

非接触式编程时间

数据保留

线圈电流（动态）

工作电流

导通电压（动态），用于

调制

输入电容

I

CD

I

DD

V

A

V

B

V

CC

C

IN

符号

F

CLK

T

WC

民

100

—

200

—

—

10

2

—

典型值

—

2

—

50

5

—

—

2

—

—

—

最大

400

—

—

单位

千赫

美国证券交易委员会

岁月

A

A

V

PP

V

DC

pF

V之间

A

和V

B

V

CC

= 2V

对于所有的128位阵列

在25℃下

条件

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MCRF200

2.0

功能说明

2.1.2

上电复位

该装置包括三个主要组成部分。他们

是RF前端，配置和控制逻辑，并

内存部分。该框图如图上

第1页。

该电路产生上电复位标记时，

首先进入读卡器字段。复位时释放

充足的电力开发的V

DD

稳压器

让正确的操作。

2.1

RF前端

2.1.3

时钟发生器

设备的RF前端包括用于电路

整改载体，V的

DD

（工作电压）和

高电压钳位。本节还包括一个

时钟发生器和调制电路。

此电路根据所述载体上的时钟

频率从读取器。这个时钟用于产生

在该装置中的所有时序，包括波特率和

调制速率。

2.1.4

2.1.1

整流器 - AC CLAMP

整流电路进行整流的RF电压上的外部

LC天线电路。在调整过高的电压

电路是由内部电路钳位到一个安全水平

为了防止损坏IC 。

调制电路

该装置由发送编码数据给读写器

AM调制横跨调谐LC的线圈电压

电路。调制晶体管放置的

两个天线线圈垫（V

A

和V

B

） 。晶体管导

开和关的基础上调制的信号。其结果，

天线线圈电压的振幅的变化

调制信号。参见图2-1了解详细信息。

图2-1：

调制信号和调制信号

MCRF200

V

A

调制

信号

L

C

V

B

调制

晶体管

振幅

调制信号

调制的射频信号

（跨V

A

和V

B

)

t

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MCRF200

2.2

配置寄存器和

控制逻辑

2.2.3

调制选

CB8和CB9确定的调制协议

编码数据。可用的选项包括：

ASK

FSK

PSK_1

PSK_2

配置寄存器决定操作

该装置的参数。配置寄存器

不能被无接触地编程;这是

晶圆探针时在Microchip编程

工厂。 CB11始终为零; CB12设定时

成功的接触或者非接触的编程

数据阵列已经完成。一旦CB12被设置，

器件编程和擦除被禁用。表2-4

包含的控制位功能的说明

注册。

当ASK（直接）选项被选择，编码数据

被送入不改变调制晶体管。

当被选择的FSK选项，该编码数据是

式表示：

a)

10射频载波周期集（第5次循环

→

更高的幅度，最后5个循环

→

低

振幅）为逻辑“高”电平。

8个RF载波周期集（第4个周期

→

更高的幅度，最后4个周期

→

低

振幅）为逻辑“低”电平。

4台用于数据'1'， 10射频载波周期。

5套的数据“0” 8 RF载波周期。

2.2.1

波特率时序的选择

该芯片将在所确定的波特率访问数据

位CB2 ， CB3和配置寄存器的CB4 。

例如， MOD32 （ CB2 =

0,

CB3 =

1,

CB4 =

1)

有

每32位RF周期。这给出了4千赫的数据速率

为128千赫兹的RF载波频率。

默认时序为MOD128 （F

CLK

/ 128） ，与此

模式用于接触式和非接触编程

明。一旦阵列被成功地编程，则

锁位CB12设置。当锁定位被置位，编程

明和擦除的设备变为永久

禁用。配置寄存器有没有影响

器件的时序，直到EEPROM数据阵列

编程（ CB12 =

1).

b)

例如，频移键控信号进行MOD40表示：

a)

b)

请参考图2-2为FSK信号MOD40

选项。

该PSK_1代表变化的阶段

调制信号的编码数据的变化。

例如，相位变化时的编码

数据从“1”变为“0”，或从“0”到“1”。

该PSK_2表示变化的相位在

更改'1'。例如，相位变化时

编码的数据是从“0”改为“1” ，或者从“1”

为'1' 。

2.2.2

数据编码选项

这个逻辑作用于从被读出的串行数据

EEPROM 。根据逻辑编码的数据

配置位CB6和CB7 。 CB6 CB7和

确定的数据编码方法。可用

选项包括：

非归零级（ NRZ_L ）

双相差异，双相曼彻斯特

倒曼彻斯特

图2-2：

编码数据和FSK输出信号MOD40选项

经编码的数据“1”

5个周期（ HI ）

5个周期（ LO）的

编码数据“0”

4个周期（ HI ）

4个周期（ LO）的

40 RF周期

40 RF周期

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