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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1249页 > MCR8S
MCR8SD , MCR8SM , MCR8SN
首选设备
敏感栅硅
控制整流器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中,如
马达控制,加热控制和电源;或地方
半波,需要硅栅极控制的设备。
特点
http://onsemi.com
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的8安培RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 80安培
坚固耐用,经济TO- 220AB封装
玻璃钝化结可靠性和一致性
IGT , VGT和IH指定的最小值和最大值
易于设计
抗dv / dt的 - 5 V /毫秒最低在110℃
无铅包可用*
1
可控硅
8 RMS安培
400通800伏
G
A
K
记号
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
= -40 110℃ ,正弦波,
50至60赫兹,门打开)
MCR8SD
MCR8SM
MCR8SN
开启状态RMS电流
( 180 °导通角;吨
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流
( 1/2周期,正弦波, 60赫兹,T
J
= 110°C)
电路熔断思考( T = 8.33毫秒)
正向峰值功率门
(脉冲宽度
1.0
女士,
T
C
= 80°C)
正向平均栅极电源
(T = 8.3毫秒,T
C
= 80°C)
正向栅极峰值电流
(脉冲宽度
1.0
女士,
T
C
= 80°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
400
600
800
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
T
J
T
英镑
8.0
80
26.5
5.0
0.5
2.0
-40至110
-40至150
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
°C
°C
MCR8SD
MCR8SDG
MCR8SM
MCR8SMG
MCR8SN
MCR8SNG
1
2
3
4
价值
单位
V
2
3
AY WW
MCR8SxG
AKA
TO220AB
CASE 221A -09
方式3
A
Y
WW
x
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
= D,M或N
= Pb-Free包装
=二极管极性
引脚分配
阴极
阳极
阳极
订购信息
设备
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
TO220AB
TO220AB
(无铅)
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;正栅极电压应不
施加的同时使用在阳极上的负电位。阻断电压
不得与恒流源进行测试,使得电压额定值
该设备被超过。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第3版
出版订单号:
MCR8S/D
MCR8SD , MCR8SM , MCR8SN
热特性
特征
热阻,
结到外壳
结到环境
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
价值
2.2
62.5
260
单位
° C / W
°C
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流(注3 )
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW )
基本特征
正向峰值通态电压(注2 )
(I
TM
= 16 A)
门极触发电流(连续DC) (注4 )
(V
D
= 12 V ;
L
= 100
W)
保持电流(注4 )
(V
D
= 12 V ,门打开,启动电流= 200 mA)的
闩锁电流(注4 )
(V
D
= 12 V,I
G
= 200
毫安)
门极触发电压(连续DC ) (注4 )
(V
D
= 12 V ;
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
= 67% V
DRM
, R
GK
= 1千瓦,C
GK
= 0.1
MF,
T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
IPK = 50 A, PW = 40
毫秒,
DIG / DT = 1 /毫秒,糖耐量低减= 10毫安
2.指示脉冲测试:脉冲宽度
v
2.0毫秒,占空比
v
2%.
3. R
GK
包括测量= 1000欧姆。
4.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
5.0
15
100
V / ms的
A / MS
T
J
= 25°C
T
J
=
*40°C
T
J
= 110°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
V
GD
5.0
0.3
0.2
25
0.5
0.6
0.65
1.8
200
6.0
8.0
1.0
1.5
V
mA
mA
mA
V
V
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM
,
I
RRM
mA
10
500
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MCR8SD , MCR8SM , MCR8SN
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
P( AV ) ,平均功耗(瓦)
110
TC ,外壳温度(
°
C)
105
100
95
90
85
80
30°
75
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
T( RMS )
, RMS通态电流( AMPS )
60°
90° 120° 180°
dc
15
dc
12
9
90°
6
30°
3
0
0
1
2
3
4
60°
120°
180°
5
6
7
8
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
图1.典型的RMS电流降额
IT,瞬时通态电流( AMPS )
图2.开启状态功耗
100
典型@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
10
最大@ T
J
= 25°C
100
栅极触发电流(
m
A)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95 110
1
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
T
,瞬时导通电压(伏)
T
J
,结温( ° C)
图3.典型通态特性
图4.典型栅极触发电流与
结温
http://onsemi.com
3
MCR8SD , MCR8SM , MCR8SN
VGT ,门极触发电压(伏)
5
20
35
50
65
80
95
110
1000
IH ,保持电流(
m
A)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95 110
100
10
1
40 25 10
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图5.典型的保持电流对战
结温
图6.典型栅极触发电压与
结温
1000
IL ,擎住电流(
m
A)
100
10
1
40 25 10
5
20
35
50
65
80
95
110
T
J
,结温( ° C)
图7.典型的闭锁电流对
结温
http://onsemi.com
4
MCR8SD , MCR8SM , MCR8SN
包装尺寸
TO220AB
CASE 221A -09
ISSUE AA
T
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
阳极
MILLIMETERS
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
MCR8S/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCR8S / D
超前信息
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
主要设计用于半波交流控制应用中,如马达
控制,热控制和电源;或是其他地方,半波,硅
需要门控设备。
阻断电压为800伏特
通态电流额定值的8安培RMS
高浪涌电流能力 - 90安培
工业标准TO- 220AB封装,便于设计
玻璃钝化结可靠性和一致性
低触发电流, 200
A最大从集成电路直接驱动
*摩托罗拉的首选设备
MCR8S
系列*
可控硅
8 RMS安培
400通800
A
K
A
G
CASE 221A -06
(TO-220AB)
方式3
最大额定值
( TJ = 25° C除非另有说明)
参数
重复峰值断态电压( 1 )
反向重复峰值电压
( TJ = -40 110 ℃; RGK = 1.0 KΩ )
符号
VDRM
VRRM
MCR8SD
MCR8SM
MCR8SN
IT ( RMS )
ITSM
I2t
PGM
PG (AV)
IGM
TJ
TSTG
400
600
800
8
90
34
5.0
0.5
2.0
- 40 + 110
- 40 + 150
A
A
A2sec
A
°C
°C
价值
单位
开启状态RMS电流
(所有的导通角)
峰值不重复浪涌电流
(半个周期, 60赫兹, TJ = 125°C )
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
峰值功率门控(脉冲宽度
1.0
s,
TC = 80 ° C)
平均栅极电源( T = 8.3毫秒, TC = 80 ° C)
栅极峰值电流(脉冲宽度
1.0
s,
TC = 80 ° C)
工作结温范围
存储温度范围
热特性
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
R
θJC
R
θJA
2.2
62.5
° C / W
TL
260
°C
(1)在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;应正栅极电压
不能应用并发与在阳极上的负电位。阻断电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉晶闸管设备数据
1
MCR8S系列
电气特性
( TJ = 25°C ; RGK = 1.0 KΩ除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
峰值正向阻断电流
峰值反向电流阻断
( VAK =额定VDRM或VRRM ,门开) ( 1 )
TJ = 25°C
TJ = 110℃
IDRM
IRRM
10
500
A
基本特征
峰值通态电压( ITM = 16 A) ( 2 )
门极触发电流(连续直流) ( VD = 12V, RL = 100
)
(3)
门极触发电压(连续DC ) ( VD = 12V, RL = 100
)
保持电流(阳极电压= 12V)
VTM
IGT
VGT
IH
5.0
0.5
0.5
1.4
20
0.65
1.0
1.8
200
1.0
6.0
A
mA
动态特性
断态电压临界上升率
(VD =额定VDRM ,指数波形,TJ的67 %= 110℃)
( dv / dt的)
2.0
10
V / μs的
(1)装置不得有一个正栅极电压的同时在阳极上的负电压。设备不应与一个常数测试
电流源,用于前向和反向阻断能力,使得施加的电压超过额定阻断电压。
( 2 )脉冲测试: P.W.
为2ms ,占空比
2%.
( 3 )不包括RGK电流。
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
MILLIMETERS
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
阴极
阳极
阳极
CASE 221A -06
(TO-220AB)
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
文学配送中心:
美国:摩托罗拉文学分布; P.O. 20912盒;凤凰城,亚利桑那州85036 。
欧洲:摩托罗拉有限公司;欧洲文献中心; 88制革驱动, Blakelands ,米尔顿凯恩斯, MK14 5BP ,英国。
日本:日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ,西五反田,品川区,东京141 ,日本。
亚太地区:摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街,大埔工业村,大埔,新界,香港。
2
*MCR8S/D*
摩托罗拉晶闸管设备数据
MCR8S/D
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCR8S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MCR8S
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