MCR8DCM ， MCR8DCN
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计用于高容量，低成本，工业和消费
应用，例如马达控制;过程控制;温度，光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小型
钝化死的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
可在表面贴装引线形式 - 案例369C
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值：
人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（注1 ） （T
J
= -40 125 ℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MCR8DCM
MCR8DCN
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 105°C)
平均通态电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 105°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
C
= 105°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 105°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
C
= 105°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
600
800
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
8.0
5.1
80
26
5.0
0.5
2.0
-40至125
-40至150
A
价值
单位
V
可控硅
8 RMS安培
600 - 800伏
G
A
K
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
方式4
标记图
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
°C
°C
1
2
3
4
Y
WW
CR8DCx
G
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
YWW
CR
8DCxG
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
, V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。等级适用
零或负的栅极电压;正栅极电压不应被施加
同时与在阳极上的负电位。阻断电压不得
用恒流源进行测试，使得所述的额定电压
设备被超过。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 第4版
出版订单号：
MCR8DCM/D
MCR8DCM ， MCR8DCN
热特性
特征
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注2 ）M
最大的铅焊接温度的目的（注3 ）
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
2.2
88
80
260
° C / W
符号
最大
单位
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向重复峰值电流阻断
T
J
= 25°C
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
T
J
= 125°C
基本特征
峰值通态电压（注4 ） （我
TM
= 16 A)
门极触发电流（连续直流）
(V
AK
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= 25°C)
(T
J
= 40°C)
门极触发电压（连续直流）
(V
AK
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
J
= 25°C)
(T
J
= 40°C)
(T
J
= 125°C)
保持电流
(V
AK
= 12 V ，起爆电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
(V
AK
= 12 V，I
G
= 15毫安，T
J
= 25°C)
(V
AK
= 12 V，I
G
= 30毫安，T
J
= 40°C)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
AK
=额定V
DRM
，指数波形，门打开，T
J
= 125°C)
2.表面安装在推荐的最小焊盘尺寸。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
dv / dt的
50
200
V / ms的
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
I
L
4.0
22
30
60
V
TM
I
GT
2.0
V
GT
0.5
0.2
I
H
4.0
22
30
60
mA
0.65
1.0
2.0
mA
7.0
15
30
V
1.4
1.8
V
mA
I
DRM
,
I
RRM
mA
0.01
5.0
符号
民
典型值
最大
单位
订购信息
设备
MCR8DCMT4
MCR8DCMT4G
MCR8DCNT4
MCR8DCNT4G
包
DPAK
DPAK
（无铅）
2500 /磁带&卷轴
DPAK
DPAK
（无铅）
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
MCR8DCM ， MCR8DCN
包装尺寸
DPAK
CASE 369C
发行
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
民
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
方式4 ：
PIN 1阴极
2.阳极
3.门
4.阳极
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
5
MCR8DCM/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCR8DCM / D
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
小型
钝化死的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
提供两种封装类型
表面贴装引线形式 - 案例369A
微型塑料包装 - 直导线 - 案例369
G
订购信息
获得“ DPAK ”表面贴装Leadform （案例369A ）
运袖 - 没有后缀，即MCR8DCN
运16毫米磁带和卷轴 - 添加“ T4 ”后缀设备号，
即MCR8DCNT4
获得“ DPAK ”中直引线型（案例369 ）出货袖 -
加上“ -1”为后缀的设备数量，即MCR8DCN - 1
A
MCR8DCM
MCR8DCN
摩托罗拉的首选设备
设计用于高容量，低成本，工业和消费应用
如电机控制;过程控制;温度，光照和速度控制。
可控硅
8.0安培RMS
600 THRU 800伏
A
K
K
A
G
CASE 369A - 13
方式4
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
反向重复峰值电压
（ TJ = -40至125°C ）
开启状态RMS电流
（所有的导通角; TC = 105 ° C）
平均通态电流（所有的导通角; TC = 105 ° C）
峰值不重复浪涌电流
（半个周期， 60赫兹， TJ = 125°C ）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
m
秒， TC = 105 ° C）
平均功耗门
（T = 8.3毫秒， TC = 105 ° C）
栅极峰值电流（脉冲宽度
≤
10
m
秒， TC = 105 ° C）
工作结温范围
存储温度范围
符号
VDRM
VRRM
MCR8DCM
MCR8DCN
IT （ RMS ）
8.0
IT （ AV ）
ITSM
80
I2t
PGM
5.0
PG （AV）
0.5
IGM
TJ
TSTG
2.0
-40至125
-40至150
安培
°C
26
A2sec
瓦
5.1
600
800
安培
价值
单位
伏
热特性
特征
热阻 - 结到管壳
热阻
- 结到环境
热阻
- 结到环境（ 2 ）
最大的铅焊接温度的目的（ 3 ）
符号
R
q
JC
R
q
JA
R
q
JA
最大
2.2
88
80
单位
° C / W
TL
260
°C
（1）在VDRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;正栅极电压应不
施加的同时使用在阳极上的负电位。阻断电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）表面安装在最小建议焊盘尺寸。
（3） 1/8“的情况下，从10秒。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MCR8DCM MCR8DCN
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
峰值正向阻断电流
峰值反向电流阻断
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 16 A）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
W
， TJ = 25 ° C）
（ VD = 12V， RL = 100
W
， TJ = -40°C ）
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
W
， TJ = 25 ° C）
（ VD = 12V， RL = 100
W
， TJ = -40°C ）
（ VD = 12V， RL = 100
W
， TJ = 125°C ）
保持电流
（ VD = 12 V ， IT = 200 mA时， TJ = 25 ° C）
（ VD = 12 V ， IT = 200 mA时， TJ = -40°C ）
闭锁电流
（ VD = 12V， IG = 15 mA时， TJ = 25 ° C）
（ VD = 12V， IG = 30 mA时， TJ = -40°C ）
符号
IDRM
IRRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
VTM
—
IGT
2.0
—
VGT
0.5
—
0.2
IH
4.0
—
IL
4.0
—
22
—
30
60
22
—
30
60
mA
0.65
—
—
1.0
2.0
—
mA
7.0
—
15
30
伏
1.4
1.8
mA
—
—
—
—
0.01
5.0
伏
民
典型值
最大
单位
mA
动态特性
特征
断态电压临界上升率
（ VD =额定VDRM ，指数波形，门打开， TJ = 125°C ）
（ 1 ）脉冲测试;脉冲宽度
≤
2.0毫秒，占空比
≤
2%.
符号
dv / dt的
50
200
—
民
典型值
最大
单位
V/
m
s
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
QQ：2880707522 复制
