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MCR703A系列
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
PNPN器件专为大批量,低成本的消费
应用,如温度,光照和速度控制;过程和
远程控制;和警报系统,其中运行的可靠性是
关键的。
特点
http://onsemi.com
小型
钝化模具表面的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
建议更换电气为C106
表面贴装封装 - 案例369C
获得“ DPAK ”中直引线型(装运套) :
加“1”后缀设备号,即MCR706A1
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值:人体模型, 3B
u
8000 V
机器型号,C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
C
= -40+ 110℃,正弦波, 50到60赫兹,
门打开)
MCR703A
MCR706A
MCR708A
峰值不重复断态电压
(正弦波, 50到60赫兹,门打开,
T
C
= -40+ 110 ℃)的
MCR703A
MCR706A
MCR708A
开启状态RMS电流
( 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
平均通态电流( 180 °导
角)
T
C
= -40+ 90℃的
T
C
= +100°C
非重复浪涌电流
(1/2正弦波, 60赫兹,T
J
= 110°C)
(1/2正弦波, 1.5毫秒,T
J
= 110°C)
电路熔断(T = 8.3毫秒)
正向峰值功率门
(脉冲宽度
1.0
毫秒,
T
C
= 90°C)
正向平均栅极电源
(T = 8.3毫秒,T
C
= 90°C)
正向栅极峰值电流
(脉冲宽度
1.0
毫秒,
T
C
= 90°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
100
400
600
V
RSM
150
450
650
I
T( RMS )
I
T( AV )
2.6
1.6
I
TSM
25
35
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
T
J
T
英镑
2.6
0.5
0.1
0.2
-40到+110
-40到+150
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
1
2
3
4
4.0
A
A
V
1
2
3
最大
单位
V
1 2
3
可控硅
4.0安培RMS
100 - 600伏
G
A
K
记号
图表
4
DPAK
CASE 369C
方式2
YWW
CR
70xAG
4
DPAK3
CASE 369D
方式2
YWW
CR
70xAG
Y
=年
WW =工作周
70xA =器件代码
X = 3,6或8个
G
= Pb-Free包装
引脚分配
阳极
阴极
阳极
订购信息
A
°C
°C
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而,正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源,使得器件的电压额定值被超过。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2007年11月 - 修订版7
出版订单号:
MCR703A/D
MCR703A系列
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境(注2 )
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
表面安装在推荐的最小焊盘尺寸时2.案例369C 。
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
8.33
80
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
; R
GK
= 1 KW )
基本特征
峰值正向“开”电压
(I
TM
= 8.2 A峰值,脉冲宽度= 1 2毫秒, 2 %占空比)
门极触发电流(连续DC) (注3 )(V
AK
= 12伏,R
L
= 24
W)
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
门极触发电压(连续DC ) (注3 )
(V
AK
= 12伏,R
L
= 24
W)
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
V
RGM
I
RGM
t
gt
10
12.5
2.0
5.0
10
18
1.2
V
mA
ms
0.2
25
75
300
0.8
1.0
V
V
mA
2.2
V
mA
I
DRM
, I
RRM
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
10
200
mA
符号
典型值
最大
单位
栅极非触发电压(注3) (Ⅴ
AK
= 12伏,R
L
= 100
W,
T
C
= 110°C)
保持电流
(V
AK
= 12 VDC,门开)T
C
= 25°C
(启动电流= 200毫安)T
C
= 40°C
峰值反向门阻断电压(I
GR
= 10
毫安)
峰值反向栅极阻断电流(V
GR
= 10 V)
总的导通时间(源极电压= 12 V ,R
S
= 6千瓦)
(I
TM
= 8.2 A,I
GT
= 2毫安,额定V
DRM
) (上升时间= 20 ns的脉冲宽度= 10
女士)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
, R
GK
= 1千瓦,指数波形,T
C
= 110°C)
通态电流上升的重复率的关键
( CF = 60Hz时,我
PK
= 30 A, PW = 100
女士,
DIG / DT = 1 A / MS )
3. R
GK
目前不包括在测量。
dv / dt的
的di / dt
10
100
V / ms的
A / MS
订购信息
设备
MCR703AT4
MCR703AT4G
MCR706AT4
MCR706AT4G
MCR708A
MCR708AG
MCR708A1
MCR708A1G
MCR708AT4
MCR708AT4G
套餐类型
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK
DPAK3
DPAK3
DPAK
DPAK
369C
369C
(无铅)
369C
369C
(无铅)
369C
369C
(无铅)
369D
369D
(无铅)
369C
369C
(无铅)
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MCR703A系列
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值断态正向电压
峰值正向阻断电流
重复峰值断态反向电压
峰值反向电流阻断
峰值通态电压
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
TC ,最大允许外壳温度( C)
°
P( AV ) ,平均功耗(瓦)
110
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
30°C
60°C
90°C
120°C
180°C
DC
30°C
105
60°C
90°C
120°C
180°C
DC
100
95
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
图1.平均电流降额
图2.开启状态功耗
IT,瞬时通态电流( AMPS )
典型@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
R(T ) ,过渡电阻(标准化)
100
1.0
10
Z
QJC (T )
= R
QJC (T )
R(T )
最大@ T
J
= 25°C
0.1
1.0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10,000
V
T
,瞬时导通电压(伏)
吨,时间( ms)的
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
http://onsemi.com
3
MCR703A系列
35
I GT ,门极触发电流(
m
A)
1.0
VGT ,门极触发电压(伏)
20
0
20
40
60
80
100 110
30
25
0.5
20
15
40
0
40
20
0
20
40
60
80
100 110
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图5.典型栅极触发电流与
结温
图6.典型栅极触发电压与
结温
2.0
2.0
IH ,保持电流(毫安)
1.5
IL ,擎住电流(毫安)
20
0
20
40
60
80
100 110
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
40
0
40
20
0
20
40
60
80
100 110
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图7.典型的保持电流与
结温
图8.典型的闭锁电流对
结温
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4
MCR703A系列
包装尺寸
DPAK
CASE 369C
发行
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
M
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
方式2 :
PIN 1. GATE
2.漏
3.源
4.漏
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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5
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封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCR708AG
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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ON
2024
21925
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原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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