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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1052页 > MCR69-3
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
特点
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固， Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流， 750安培
无铅包可用*
http://onsemi.com
可控硅
25安培RMS
50通100伏
G
A
K
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
=
*40
至+ 125°C ，门打开）
MCR692
MCR693
峰值放电电流（注2 ）
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
平均通态电流
（ 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，T
J
= 125°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(t
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
正向峰值功率门
(t
≤
1.0
女士，
T
C
= 85°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
C
= 85°C)
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
符号
V
DRM ，
V
RRM
50
100
I
TM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
J
T
英镑
750
25
16
300
375
2.0
20
0.5
-40到+125
-40到+150
8.0
A
A
A
A
A
2
s
A
W
1
TO220AB
CASE 221A
方式3
2
3
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
MCR69 =器件代码
x
= 2或3的
AKA
=地点代码
AYWW
MCR69x
AKA
价值
单位
V
4
记号
图
引脚分配
W
°C
°C
英寸磅。
1
2
3
4
阴极
阳极
门
阳极
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.等级申请吨
w
= 1毫秒。图1所示为我
TM
各种功能
的指数衰减电流波形，T时间
w
是德网络定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
3.测试条件：我
G
= 150毫安， V
D
=额定V
DRM
, I
TM
=额定值，T
J
= 125°C.
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
订购信息
设备
MCR692
MCR692G
MCR693
MCR693G
包
TO220AB
TO220AB
（无铅）
TO220AB
TO220AB
（无铅）
航运
500/Box
500/Box
500/Box
500/Box
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2004年12月 - 第1版
出版订单号：
MCR69/D
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的从案例的1/8 ，持续10秒
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
I
DRM
, I
RRM
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
2.0
mA
mA
基本特征
正向峰值通态电压
(I
TM
= 50 A） （注4 ）
(I
TM
= 750 A，T
w
= 1毫秒） （注5）
门极触发电流（连续直流）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续直流）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 125°C)
保持电流
(V
D
= 12 V ，起爆电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
(V
D
= 12 VDC，我
G
= 150 mA）的
栅控导通时间（注6 ）
(V
D
=额定V
DRM
, I
G
= 150 mA）的
(I
TM
= 50 A峰）
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
I
L
t
gt
2.0
0.2
3.0
6.0
7.0
0.65
0.40
15
1.0
1.8
30
1.5
50
60
mA
V
V
mA
mA
ms
V
动态特性
爆击率-的高层断态电压
(V
D
=额定V
DRM
，门打开，指数波形，T
J
= 125°C)
爆击率-的高层通态电流
I
G
= 150毫安
T
J
= 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
100
V / ms的
A / MS
4，脉冲持续时间
p
300
女士，
占空比
p
2%.
5.等级申请吨
w
= 1毫秒。图1所示为我
TM
能力指数衰减的电流波形的不同时间。吨
w
是去定义网络
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
6.栅极来控制导通时间的一个短路器电路将通过所述电路的电感的影响。
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2
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
我TM ，峰值放电电流（ AMPS ）
标准化峰电流
1000
300
200
100
50
20
0.5
I
TM
t
w
t
w
= 5的时间常数
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
T
C
，外壳温度（ ° C）
t
w
，脉冲电流持续时间（毫秒）
图1.峰值电容的放电电流
图2.峰值电容的放电电流
降额
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
125
120
115
110
dc
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
32
半波
24
dc
105
100
95
90
85
80
75
4.0
8.0
12
16
半波
8.0
T
J
= 125°C
0
16
20
0
4.0
8.0
12
16
20
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图3.电流降额
图4.最大功率耗散
http://onsemi.com
3
MCR69-2 ， MCR69-3
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
2k 3k
5k
10 k
Z
QJC （T ）
= R
QJC
R（ t）的
吨，时间（ ms）的
图5.热响应
10
归一门极触发电流
归一门极触发电压
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
60
40
20
0
20
40
60
80 100
T
J
，结温（ ° C）
120
140
1.4
V
D
± 12伏特
R
L
= 100
W
V
D
± 12伏特
R
L
= 100
W
1.2
1.0
0.8
0.5
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
，结温（ ° C）
图6.门极触发电流
图7.门极触发电压
3.0
归一化保持电流
2.0
V
D
± 12伏特
I
TM
= 100毫安
1.0
0.8
0.5
0.3
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
，结温（ ° C）
图8.保持电流
http://onsemi.com
4
MCR69-2 ， MCR69-3
包装尺寸
TO220AB
案例221A -07
ISSUE AA
B
F
C
T
座位
飞机
4
T
A
Q
1 2 3
S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
H
K
Z
L
V
G
D
N
J
R
U
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
http://onsemi.com
5
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固， Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流， 750安培
器件标识：标识，设备类型，例如， MCR69-2 ，日期代码
http://onsemi.com
可控硅
25安培RMS
50通100伏
G
A
K
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = 40 + 125°C ，门打开）
MCR69–2
MCR69–3
符号
VDRM ，
VRRM
50
100
ITM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
750
25
16
300
安培
安培
安培
价值
单位
伏
*
4
峰值放电电流（ 2 ）
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
平均通态电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，
TJ = 125°C ）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向峰值功率门
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TC = 85°C ）
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
1
安培
2
3
I2t
IGM
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
—
375
2.0
20
0.5
- 40
+125
- 40
+150
8.0
A2s
安培
1
瓦
瓦
°C
2
3
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
°C
英寸磅。
设备
MCR69–2
MCR69–3
包
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为各种ITM能力
指数衰减的电流波形的持续时间，总重量被定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
（ 3 ）测试条件： IG = 150 mA时， VD =额定VDRM ， ITM =额定值时，
TJ = 125°C 。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MCR69/D
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
IDRM ， IRRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
—
—
—
—
10
2.0
A
mA
基本特征
正向峰值通态电压
（ ITM = 50 A） （ 1 ）
（ ITM = 750 ， TW = 1毫秒） （ 2 ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
GATE非触发电压
（ VD = 12 VDC， RL = 100
,
TJ = 125°C ）
保持电流
（ VD = 12V，启动电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
（ VD = 12 VDC， IG = 150 mA）的
栅控导通时间（ 3 ）
（ VD =额定VDRM ， IG = 150 mA）的
（ ITM = 50 A峰）
VTM
—
—
IGT
VGT
VGD
IH
IL
TGT
2.0
—
0.2
3.0
—
—
—
6.0
7.0
0.65
0.40
15
—
1.0
1.8
—
30
1.5
—
50
60
—
mA
伏
伏
mA
mA
s
伏
动态特性
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，门打开，指数波形， TJ = 125°C ）
爆击率-的高层通态电流
IG = 150毫安
TJ = 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
—
—
—
—
100
V / μs的
A / μs的
（1）脉冲持续时间
300
s,
占空比
2%.
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为一个指数衰减电流波形的不同时间ITM能力。 TW定义
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
（3）栅极的短路器电路来控制导通时间由电路的电感的影响。
p
p
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2
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
VTM
在国家
IRRM在VRRM
IH
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
IDRM在VDRM
正向阻断区
（关断状态）
我TM ，峰值放电电流（ AMPS ）
标准化峰电流
1000
300
200
100
50
20
0.5
ITM
tw
TW = 5的时间常数
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
TC ，外壳温度（ ° C）
TW ，脉冲电流持续时间（毫秒）
图1.峰值电容的放电电流
图2.峰值电容的放电电流
降额
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
125
120
115
110
dc
32
半波
24
105
100
95
90
85
80
75
4.0
8.0
12
dc
16
半波
8.0
TJ = 125°C
0
0
4.0
8.0
12
16
20
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
16
20
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
图3.电流降额
图4.最大功率耗散
http://onsemi.com
3
MCR69-2 ， MCR69-3
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
2k 3k
5k
10 k
Z
θJC （T ）
= R
θJC
R（ t）的
吨，时间（ ms）的
图5.热响应
10
归一门极触发电流
归一门极触发电压
1.4
VD = 12伏
RL = 100
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
–60
–40
–20
0
20
40
60
80 100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
VD = 12伏
RL = 100
1.2
1.0
0.8
0.5
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TJ ，结温（ ° C）
图6.门极触发电流
图7.门极触发电压
3.0
归一化保持电流
2.0
VD = 12伏
ITM =百毫安
1.0
0.8
0.5
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TJ ，结温（ ° C）
图8.保持电流
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4
MCR69-2 ， MCR69-3
包装尺寸
TO–220AB
案例221A -07
ISSUE
–T–
B
F
C
座位
飞机
T
S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
4
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
J
R
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
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5
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固， Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流， 750安培
器件标识：标识，设备类型，例如， MCR69-2 ，日期代码
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可控硅
25安培RMS
50通100伏
G
A
K
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = 40 + 125°C ，门打开）
MCR69–2
MCR69–3
符号
VDRM ，
VRRM
50
100
ITM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
750
25
16
300
安培
安培
安培
价值
单位
伏
*
4
峰值放电电流（ 2 ）
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
平均通态电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，
TJ = 125°C ）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向峰值功率门
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TC = 85°C ）
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
1
安培
2
3
I2t
IGM
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
—
375
2.0
20
0.5
- 40
+125
- 40
+150
8.0
A2s
安培
1
瓦
瓦
°C
2
3
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
°C
英寸磅。
设备
MCR69–2
MCR69–3
包
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为各种ITM能力
指数衰减的电流波形的持续时间，总重量被定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
（ 3 ）测试条件： IG = 150 mA时， VD =额定VDRM ， ITM =额定值时，
TJ = 125°C 。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MCR69/D
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
IDRM ， IRRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
—
—
—
—
10
2.0
A
mA
基本特征
正向峰值通态电压
（ ITM = 50 A） （ 1 ）
（ ITM = 750 ， TW = 1毫秒） （ 2 ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
GATE非触发电压
（ VD = 12 VDC， RL = 100
,
TJ = 125°C ）
保持电流
（ VD = 12V，启动电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
（ VD = 12 VDC， IG = 150 mA）的
栅控导通时间（ 3 ）
（ VD =额定VDRM ， IG = 150 mA）的
（ ITM = 50 A峰）
VTM
—
—
IGT
VGT
VGD
IH
IL
TGT
2.0
—
0.2
3.0
—
—
—
6.0
7.0
0.65
0.40
15
—
1.0
1.8
—
30
1.5
—
50
60
—
mA
伏
伏
mA
mA
s
伏
动态特性
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，门打开，指数波形， TJ = 125°C ）
爆击率-的高层通态电流
IG = 150毫安
TJ = 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
—
—
—
—
100
V / μs的
A / μs的
（1）脉冲持续时间
300
s,
占空比
2%.
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为一个指数衰减电流波形的不同时间ITM能力。 TW定义
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
（3）栅极的短路器电路来控制导通时间由电路的电感的影响。
p
p
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2
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
VTM
在国家
IRRM在VRRM
IH
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
IDRM在VDRM
正向阻断区
（关断状态）
我TM ，峰值放电电流（ AMPS ）
标准化峰电流
1000
300
200
100
50
20
0.5
ITM
tw
TW = 5的时间常数
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
TC ，外壳温度（ ° C）
TW ，脉冲电流持续时间（毫秒）
图1.峰值电容的放电电流
图2.峰值电容的放电电流
降额
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
P（ AV ） ，平均功耗（瓦）
125
120
115
110
dc
32
半波
24
105
100
95
90
85
80
75
4.0
8.0
12
dc
16
半波
8.0
TJ = 125°C
0
0
4.0
8.0
12
16
20
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
16
20
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
图3.电流降额
图4.最大功率耗散
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3
MCR69-2 ， MCR69-3
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
2k 3k
5k
10 k
Z
θJC （T ）
= R
θJC
R（ t）的
吨，时间（ ms）的
图5.热响应
10
归一门极触发电流
归一门极触发电压
1.4
VD = 12伏
RL = 100
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
–60
–40
–20
0
20
40
60
80 100
TJ ，结温（ ° C）
120
140
VD = 12伏
RL = 100
1.2
1.0
0.8
0.5
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TJ ，结温（ ° C）
图6.门极触发电流
图7.门极触发电压
3.0
归一化保持电流
2.0
VD = 12伏
ITM =百毫安
1.0
0.8
0.5
0.3
–60
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
TJ ，结温（ ° C）
图8.保持电流
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4
MCR69-2 ， MCR69-3
包装尺寸
TO–220AB
案例221A -07
ISSUE
–T–
B
F
C
座位
飞机
T
S
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
阴极
阳极
门
阳极
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
4
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
J
R
方式3 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
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M38C80E3-XXXFP
MMZ1005B121C
MPS750RLRAG
MC74HC85
MI-P2KK-IXZ
MAX4617EPE
MRSE-3-6CUGXPC
MRSE-3-4CSKGX
MAX6806XR23-T
M38500M4-XXXSS
M37471M8-619SP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCR69-3
    -
    -
    -
    -
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联系人：陈泽强
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MCR69-3
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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