MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固， Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流， 750安培
器件标识：标识，设备类型，例如， MCR69-2 ，日期代码
http://onsemi.com
可控硅
25安培RMS
50通100伏
G
A
K
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = 40 + 125°C ，门打开）
MCR69–2
MCR69–3
符号
VDRM ，
VRRM
50
100
ITM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
750
25
16
300
安培
安培
安培
价值
单位
伏
*
4
峰值放电电流（ 2 ）
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
平均通态电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，
TJ = 125°C ）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向峰值功率门
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TC = 85°C ）
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
1
安培
2
3
I2t
IGM
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
—
375
2.0
20
0.5
- 40
+125
- 40
+150
8.0
A2s
安培
1
瓦
瓦
°C
2
3
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
°C
英寸磅。
设备
MCR69–2
MCR69–3
包
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为各种ITM能力
指数衰减的电流波形的持续时间，总重量被定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
（ 3 ）测试条件： IG = 150 mA时， VD =额定VDRM ， ITM =额定值时，
TJ = 125°C 。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MCR69/D
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
IDRM ， IRRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
—
—
—
—
10
2.0
A
mA
基本特征
正向峰值通态电压
（ ITM = 50 A） （ 1 ）
（ ITM = 750 ， TW = 1毫秒） （ 2 ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
GATE非触发电压
（ VD = 12 VDC， RL = 100
,
TJ = 125°C ）
保持电流
（ VD = 12V，启动电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
（ VD = 12 VDC， IG = 150 mA）的
栅控导通时间（ 3 ）
（ VD =额定VDRM ， IG = 150 mA）的
（ ITM = 50 A峰）
VTM
—
—
IGT
VGT
VGD
IH
IL
TGT
2.0
—
0.2
3.0
—
—
—
6.0
7.0
0.65
0.40
15
—
1.0
1.8
—
30
1.5
—
50
60
—
mA
伏
伏
mA
mA
s
伏
动态特性
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，门打开，指数波形， TJ = 125°C ）
爆击率-的高层通态电流
IG = 150毫安
TJ = 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
—
—
—
—
100
V / μs的
A / μs的
（1）脉冲持续时间
300
s,
占空比
2%.
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为一个指数衰减电流波形的不同时间ITM能力。 TW定义
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
（3）栅极的短路器电路来控制导通时间由电路的电感的影响。
p
p
http://onsemi.com
2
MCR69-2 ， MCR69-3
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固， Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流， 750安培
器件标识：标识，设备类型，例如， MCR69-2 ，日期代码
http://onsemi.com
可控硅
25安培RMS
50通100伏
G
A
K
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（ 1 ）
（ TJ = 40 + 125°C ，门打开）
MCR69–2
MCR69–3
符号
VDRM ，
VRRM
50
100
ITM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
ITSM
750
25
16
300
安培
安培
安培
价值
单位
伏
*
4
峰值放电电流（ 2 ）
开启状态RMS电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
平均通态电流
（ 180 °导通角; TC = 85°C ）
峰值不重复浪涌电流
（ 1/2周期，正弦波， 60赫兹，
TJ = 125°C ）
电路熔断注意事项
（T = 8.3毫秒）
正向栅极峰值电流
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向峰值功率门
(t
≤
1.0
s,
TC = 85°C ）
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TC = 85°C ）
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
1
安培
2
3
I2t
IGM
PGM
PG （AV）
TJ
TSTG
—
375
2.0
20
0.5
- 40
+125
- 40
+150
8.0
A2s
安培
1
瓦
瓦
°C
2
3
4
TO–220AB
CASE 221A
方式3
引脚分配
阴极
阳极
门
阳极
订购信息
°C
英寸磅。
设备
MCR69–2
MCR69–3
包
TO220AB
TO220AB
航运
500/Box
500/Box
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为各种ITM能力
指数衰减的电流波形的持续时间，总重量被定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
（ 3 ）测试条件： IG = 150 mA时， VD =额定VDRM ， ITM =额定值时，
TJ = 125°C 。
半导体元件工业有限责任公司1999年
1
2000年2月 - 修订版0
出版订单号：
MCR69/D
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ，门打开）
IDRM ， IRRM
TJ = 25°C
TJ = 125°C
—
—
—
—
10
2.0
A
mA
基本特征
正向峰值通态电压
（ ITM = 50 A） （ 1 ）
（ ITM = 750 ， TW = 1毫秒） （ 2 ）
门极触发电流（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
门极触发电压（连续直流）
（ VD = 12V， RL = 100
)
GATE非触发电压
（ VD = 12 VDC， RL = 100
,
TJ = 125°C ）
保持电流
（ VD = 12V，启动电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
（ VD = 12 VDC， IG = 150 mA）的
栅控导通时间（ 3 ）
（ VD =额定VDRM ， IG = 150 mA）的
（ ITM = 50 A峰）
VTM
—
—
IGT
VGT
VGD
IH
IL
TGT
2.0
—
0.2
3.0
—
—
—
6.0
7.0
0.65
0.40
15
—
1.0
1.8
—
30
1.5
—
50
60
—
mA
伏
伏
mA
mA
s
伏
动态特性
爆击率-的高层断态电压
（ VD =额定VDRM ，门打开，指数波形， TJ = 125°C ）
爆击率-的高层通态电流
IG = 150毫安
TJ = 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
—
—
—
—
100
V / μs的
A / μs的
（1）脉冲持续时间
300
s,
占空比
2%.
（ 2 ）等级申请TW = 1毫秒。图1所示为一个指数衰减电流波形的不同时间ITM能力。 TW定义
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
（3）栅极的短路器电路来控制导通时间由电路的电感的影响。
p
p
http://onsemi.com
2
MCR69-2 ， MCR69-3
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大的铅焊接温度的目的从案例的1/8 ，持续10秒
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
1.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
，门打开）
I
DRM
, I
RRM
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
2.0
mA
mA
基本特征
正向峰值通态电压
(I
TM
= 50 A） （注4 ）
(I
TM
= 750 A，T
w
= 1毫秒） （注5）
门极触发电流（连续直流）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续直流）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12伏，R
L
= 100
W,
T
J
= 125°C)
保持电流
(V
D
= 12 V ，起爆电流为200 mA时，门打开）
闭锁电流
(V
D
= 12 VDC，我
G
= 150 mA）的
栅控导通时间（注6 ）
(V
D
=额定V
DRM
, I
G
= 150 mA）的
(I
TM
= 50 A峰）
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
I
L
t
gt
2.0
0.2
3.0
6.0
7.0
0.65
0.40
15
1.0
1.8
30
1.5
50
60
mA
V
V
mA
mA
ms
V
动态特性
爆击率-的高层断态电压
(V
D
=额定V
DRM
，门打开，指数波形，T
J
= 125°C)
爆击率-的高层通态电流
I
G
= 150毫安
T
J
= 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
100
V / ms的
A / MS
4，脉冲持续时间
p
300
女士，
占空比
p
2%.
5.等级申请吨
w
= 1毫秒。图1所示为我
TM
能力指数衰减的电流波形的不同时间。吨
w
是去定义网络
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
6.栅极来控制导通时间的一个短路器电路将通过所述电路的电感的影响。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
