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MCR682
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为撬棍电路过电压保护。
特点
玻璃钝化结大中华区参数和稳定性
可靠性
中央门几何的均匀的电流扩散启用
大电流放电
小型坚固, Thermowatt包构建了低热
阻力和最大功率耗散和耐用性
高电容的放电电流, 300安培
无铅包装是可用*
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可控硅
12安培RMS
50伏
G
A
K
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
=
*40
至+ 125°C ,门打开)
MCR682
峰值放电电流(注2 )
开启状态RMS电流
( 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
平均通态电流
( 180 °导通角;吨
C
= 85°C)
峰值不重复浪涌电流
( 1/2周期,正弦波, 60赫兹,T
J
= 125°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
正向栅极峰值电流
(t
1.0
女士,
T
C
= 85°C)
正向峰值功率门
(t
1.0
女士,
T
C
= 85°C)
正向平均栅极电源
(T = 8.3毫秒,T
C
= 85°C)
工作结温范围
存储温度范围
安装力矩
符号
V
DRM ,
V
RRM
I
TM
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2
t
I
GM
P
GM
P
G( AV )
T
J
T
英镑
价值
50
300
12
8.0
100
40
2.0
20
0.5
-40到+125
-40到+150
8.0
A
A
A
A
1
A
2
s
A
W
W
°C
°C
英寸磅。
1
2
3
4
A
Y
WW
G
AKA
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
=二极管极性
2
3
TO220AB
案例221A -07
方式3
AY WW
MCR682G
AKA
单位
V
记号
引脚分配
阴极
阳极
阳极
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而,正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源,使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.等级申请吨
w
= 1毫秒。图1所示为我
TM
各种功能
的指数衰减电流波形,T时间
w
是德网络定义为
指数衰减的电流脉冲的5个时间常数。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
订购信息
设备
MCR682
MCR682G
TO220AB
TO220AB
(无铅)
航运
500单位/箱
500单位/箱
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2005年12月 - 第2版
出版订单号:
MCR68/D
MCR682
热特性
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大的铅焊接温度的目的1/8“案件从10秒
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
2.0
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
,门打开)
基本特征
正向峰值通态电压
(I
TM
= 24 A) (注3 )
(I
TM
= 300 A,T
w
= 1毫秒) (注4 )
门极触发电流(连续直流)
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
门极触发电压(连续直流)
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12伏,R
L
= 100
W,
T
J
= 125°C)
保持电流
(V
D
= 12 V ,起爆电流为200 mA时,门打开)
闭锁电流
(V
D
= 12 VDC,我
G
= 150 mA)的
栅控导通时间(注5 )
(V
D
=额定V
DRM
, I
G
= 150 mA)的
(I
TM
= 24 A峰值)
动态特性
爆击率-的高层断态电压
(V
D
=额定V
DRM
,门打开,指数波形,T
J
= 125°C)
爆击率-的高层通态电流
I
G
= 150毫安
T
J
= 125°C
dv / dt的
的di / dt
10
75
V / ms的
A / MS
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
I
H
I
L
t
gt
2.0
0.2
3.0
6.0
7.0
0.65
0.40
15
1.0
2.2
30
1.5
50
60
mA
V
V
mA
mA
ms
V
I
DRM
, I
RRM
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
2.0
mA
mA
符号
典型值
最大
单位
3.脉冲持续时间
p
300
女士,
占空比
p
2%.
4.等级申请吨
w
= 1毫秒。图1所示为我
TM
能力指数衰减的电流波形的不同时间。吨
w
是去定义网络
作为一个指数衰减电流脉冲5的时间常数。
5.栅极来控制导通时间在一个短路器电路将通过所述电路的电感的影响。
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2
MCR682
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
我TM ,峰值放电电流( AMPS )
标准化峰电流
1000
300
200
100
50
20
0.5
I
TM
t
w
t
w
= 5的时间常数
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
T
C
,外壳温度( ° C)
t
w
,脉冲电流持续时间(毫秒)
图1.峰值电容的放电电流
图2.峰值电容的放电电流
降额
P( AV ) ,平均功耗(瓦)
TC ,最大外壳温度(
°
C)
125
120
115
110
dc
20
18
14
半波
dc
105
100
95
90
85
80
75
1.0
2.0
5.0
8.0
10
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
半波
10
8.0
4.0
2.0
1.0
4.0 5.0
8.0
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
2.0
10
T
J
= 125°C
图3.电流降额
图4.最大功率耗散
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3
MCR682
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
2k 3k
5k
10 k
Z
QJC (T )
= R
QJC
R( t)的
吨,时间( ms)的
图5.热响应
归一门极触发电流
10
归一门极触发电压
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
1.4
V
D
± 12伏特
R
L
= 100
W
V
D
± 12伏特
R
L
= 100
W
1.2
1.0
0.8
0.5
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.门极触发电流
图7.门极触发电压
3.0
归一化保持电流
2.0
V
D
± 12伏特
I
TM
= 100毫安
1.0
0.8
0.5
0.3
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
T
J
,结温( ° C)
图8.保持电流
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4
MCR682
包装尺寸
TO220AB
案例221A -07
ISSUE AA
T
B
F
C
座位
飞机
T
S
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域,在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.014
0.022
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
0.080
阴极
阳极
阳极
MILLIMETERS
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.36
0.55
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
2.04
4
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
J
R
方式3 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
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运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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5
MCR68/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    MCR68-2G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23991909
联系人:林裕忠
地址:深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MCR68-2G
ON
24+
5
TO220
全新原装正品,热卖价优
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ON
21+
24600
TO220
全新原装正品/质量有保证
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联系人:王小姐
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24+
3968
原装正品,可含税供应。品质保障
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ON
21+
6000
原装国内现货
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MCR68-2G
ON
24+
19800
TO220
全新原装现货,量大从优,可开13%税票!
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电话:021-51872165/51872561
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MCR68-2G
ON Semiconductor
21+
26000
全新原装 货期两周
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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MCR68-2G
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2443+
23000
TO-2203LEADSTANDA
一级代理专营,原装现货,价格优势
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MCR68-2G
ON
24+
11758
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ONS
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8420
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10000
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