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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2742页 > MCR22-8
初步
SEMIWELL
半导体
MCR22-8
符号
2.门
○
○
敏感栅
可控硅整流器器
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 1.5 A )
◆
低通态电压（ 1.2V(Typ.)@I
TM
)
◆
▼
评级
600
○
3.阳极
1.阴极
TO-92
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序，其中
栅极电流的限制，例如小型电动机的控制，栅极驱动器
对于大型可控硅，传感和检测电路。
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
( T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
单位
V
A
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
参数
重复峰值断态电压
平均通态电流
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
对于融合
正向峰值门功耗
正向平均门功耗
正向栅极峰值电流
反向峰值电压门
工作结温
储存温度
半正弦波：T已
C
= 45 °C
所有的导通角
1/2周期， 60Hz的正弦波
不重复
T = 8.3ms的
T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
≤
1.0
T
A
= 25 ° C，T = 8.3ms的
1.0
1.5
15
0.9
0.5
0.1
0.2
5.0
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
十一月， 2003年修订版0
1/5
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司，保留所有权利。
MCR22-8
电气特性
符号
项
( T
C
= 25 ° C除非另有说明）
条件
V
AK
= V
DRM
或V
RRM ;
R
GK
= 1000
Ω
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
( I
TM
= 3 A，峰值）
V
AK
= 6 V ，R
L
=100
Ω
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
DRM
重复峰值断态
当前
峰值通态电压（ 1 ）
─
─
─
─
─
1.2
10
200
1.7
V
TM
V
I
GT
门极触发电流（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
D
= 7 V ，R
L
=100
Ω
─
─
─
─
200
500
V
GT
门极触发电压（ 2 ）
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
V
AK
= 12 V ，R
L
=100
Ω
T
C
= 125 °C
V
GM
= 0.67V
DRM
,
指数波形，R
GK
= 1000
Ω
T
J
= 125 °C
I
TM
= 3A ，免疫球蛋白= 10毫安
V
AK
= 12 V ，门打开
─
─
0.2
─
─
─
0.8
1.2
─
V
V
GD
非触发栅极电压（ 1 ）
兴起关闭状态的爆击率
电压
上升，对国家的爆击率
当前
V
dv / dt的
200
─
─
V/
的di / dt
50
A/
I
H
保持电流
T
C
= 25 °C
T
C
= - 40 °C
结到外壳
结到环境
─
─
─
─
2
─
─
─
5.0
10
50
160
mA
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
热阻抗
热阻抗
° C / W
° C / W
※
注意事项：
1.脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%
2.不包含R
GK
测量。
2/5
MCR22-8
图1.门特点
140
10
1
图2.最大外壳温度
马克斯。允许外壳温度[
o
C]
120
100
V
GM
(5V)
P
GM
(0.5W)
栅极电压[ V]的
θ
= 180
80
60
40
20
0
0.0
o
10
0
I
GM
(0.2A)
P
G（ AV ）
(0.1W)
25
℃
π
θ
360°
2
π
V
GD
(0.2V)
10
-1
θ
：导通角
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
门电流[mA ]
通态平均电流[ A]
图3.典型正向电压
100
10
0
图4.热响应
10
T
J
= 125 C
1
o
瞬态热阻抗[标准化]
瞬时通态电流[ A]
10
-1
0.1
T
J
= 25 C
o
0.01
0.4
10
-2
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
瞬时导通状态电压[ V]
时间（msec ）
图5.典型门极触发电压与
结温
1.5
2.0
图6.典型栅极触发电流 -
结温
1.2
1.5
V
GT
(25
o
C)
I
GT
(25 C)
V
GT
（T C ）
I
GT
（T C ）
o
o
o
0.9
1.0
0.6
0.5
0.3
-50
0
50
100
o
150
0.0
-50
0
50
100
o
150
结温[C]
结温[C]
3/5
MCR22-8
图7.典型的保持电流
10
9
8
7
6
图8.功耗
2.0
马克斯。平均功耗[ W]
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
θ
= 30
o
θ
= 60
o
θ
= 90
o
θ
= 120
o
θ
= 180
o
保持电流[mA ]
5
4
3
2
1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
1.0
1.2
结温[
℃
]
通态平均电流[ A]
4/5
MCR22-8
TO- 92封装尺寸
mm
DIM 。
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
0.33
2.54
2.54
0.48
0.013
4.43
4.43
14.07
典型值。
4.2
3.7
4.83
14.87
0.4
4.83
0.45
0.174
0.174
0.554
马克斯。
分钟。
寸
典型值。
0.165
0.146
0.190
0.585
0.016
0.190
0.017
0.100
0.100
0.019
马克斯。
A
E
B
F
C
G
1
D
2
3
1.阴极
2.门
3.阳极
J
H
I
5/5
MCR22-6 ， MCR22-8
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计和测试所需的CD重复峰值运算
点火，燃料点火器，闪光电路，电机控制和低功耗
开关应用。
特点
http://onsemi.com
150 A 2
ms
安全区
高dv / dt
非常低正向“开”电压高电流
低成本TO- 226 （ TO- 92 ）
无铅包可用*
可控硅
1.5安培RMS
400通600伏
G
A
价值
单位
V
400
600
K
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(R
GK
= IK ，T
J
=
*40
至+ 110℃，正弦波，
50至60赫兹，门打开）
MCR226
MCR228
通态电流有效值
（ 180 °导通角，T
C
= 80°C)
峰值不重复浪涌电流，
@T
A
= 25 ° C， （1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
毫秒，
T
A
= 25°C)
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒，T
A
= 25°C)
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
A
= 25°C)
反向峰值电压门
（脉冲宽度
≤
1.0
女士，
T
A
= 25°C)
工作结温范围
@额定V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
符号
V
DRM ，
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J
T
英镑
1.5
15
0.9
0.5
0.1
0.2
5.0
-40到+110
-40到+150
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
1
TO-92 （TO- 226）
CASE 029
10风格
标记DIAGRAMS
MCR
22x
AYWW
G
G
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
无铅焊锡温度
（引线长度
q
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
50
160
+260
单位
° C / W
° C / W
°C
1
2
3
MCR22 -X =器件代码
X = 6或8
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
阴极
门
阳极
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压应
不能应用并发与在阳极上的负电位。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年7月 - 修订版5
出版订单号：
MCR226/D
MCR22-6 ， MCR22-8
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
; R
GK
= 1000
W)
基本特征
正向峰值通态电压（注2 ）
(I
TM
= 1 A峰值）
门极触发电流（连续DC） （注3 ）
(V
AK
= 6伏，R
L
= 100
W)
门极触发电压（连续DC ） （注3 ）
(V
AK
= 7伏，R
L
= 100
W)
门非触发电压（注2 ）
(V
AK
= 12伏，R
L
= 100
W)
保持电流
(V
AK
= 12 VDC，门打开）
启动电流= 200毫安
动态特性
断态电压临界上升率
(T
C
= 110°C)
2.脉冲宽度= 1.0毫秒，占空比
v
1%.
3. R
GK
目前不包括在测量。
dv / dt的
25
V / ms的
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 110°C
I
H
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
2.0
5.0
10
mA
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
0.1
1.2
30
1.7
200
500
0.8
1.2
V
mA
V
V
I
DRM
, I
RRM
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
10
200
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
（关断状态）
http://onsemi.com
2
MCR22-6 ， MCR22-8
电流降额
TA ，最大允许环境温度（
°
C)
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
140
140
120
100
80
60
40
20
0
0
dc
α
= 180°
α
=导通角
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
I
T（ AV ）
，平均通态电流（ AMP ）
100
60
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
α
= 180°
α
=传导
角
dc
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
5.0
3.0
2.0
T
J
= 110°C
25°C
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
T
，瞬时导通电压（伏）
图3.典型正向电压
http://onsemi.com
3
MCR22-6 ， MCR22-8
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1000
2000
5000
10000
图4.热响应
典型特征
0.8
VGT ，门极触发电压（伏）
0.7
V
AK
= 7.0 V
R
L
= 100
100
我GT栅极触发电流（
μ
A)
100 110
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
40
20
0
20
40
60
80
100 110
0.6
0.5
0.4
0.3
75
50
25
0
25
50
75
T
J
，结温（ ° C）
T
J
结温（ ° C）
图5.典型栅极触发电压
P（ AV）最大平均功耗（瓦）
图6.典型栅极触发电流
10
I H ，保持电流（毫安）
2.0
1.8
30°
60°
90°
120
°
180°
V
AK
= 12 V
R
L
= 100
W
5.0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
dc
2.0
1.0
40
20
0
20
40
60
80
100 110
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T
J
，结温（ ° C）
I
T（ AV ）
，通态平均电流（安培）
图7.典型的保持电流
图8.功耗
http://onsemi.com
4
MCR22-6 ， MCR22-8
TO- 92 EIA径向TAPE风扇褶皱盒或卷上
H2A
H2A
H2B
H2B
H
W2
H4 H5
L1
L
F1
P2
P1
P
H1
W1 W
T
T2
F2
P2
D
T1
磁带上图9.设备定位
规范
英寸
项
胶带给料孔直径
元件引线厚度尺寸
元器件引线间距
组件的底部，以飞机座位
给料孔位置
偏转左或右
偏转前或后
给料孔，以组件的底部
给料孔，以飞机座位
有缺陷的修剪的产品尺寸
引线盒
给料孔间距
给料孔中心至中心导线
第一引线间距尺寸
胶带厚度
总体编带封装厚度
载板厚度
载板宽
胶带宽度
胶带的位置
符号
D
D2
F1, F2
H
H1
H2A
H2B
H4
H5
L
L1
P
P1
P2
T
T1
T2
W
W1
W2
民
0.1496
0.015
0.0945
.059
0.3346
0
0
0.7086
0.610
0.3346
0.09842
0.4921
0.2342
0.1397
0.06
0.014
0.6889
0.2165
.0059
毫米
最大
0.1653
0.020
0.110
.156
0.3741
0.039
0.051
0.768
0.649
0.433
0.5079
0.2658
0.1556
0.08
0.0567
0.027
0.7481
0.2841
0.01968
民
3.8
0.38
2.4
1.5
8.5
0
0
18
15.5
8.5
2.5
12.5
5.95
3.55
0.15
0.35
17.5
5.5
.15
最大
4.2
0.51
2.8
4.0
9.5
1.0
1.0
19.5
16.5
11
12.9
6.75
3.95
0.20
1.44
0.65
19
6.3
0.5
注意事项：
之间的连线1.最大对齐偏差不得大于0.2毫米。
2.感光元件必须从载体带被剪切，使得剩余的突起部（L）的不超过一个最大为11毫米。
3.组件导致胶带附着力必须符合拉力测试要求。
胶带输送孔之间4.最大非累积变化不得超过1毫米的20球场。
5.抑制计时带不超出载带的边缘（ S）和不得有暴露的粘合剂。
6.不超过1连续遗漏的部件是允许的。
7，一种带挂车和龙头，具有至少三个进料孔之前，在第一和最后一个组分后是必需的。
8.拼接件不会干扰链轮输送孔。
http://onsemi.com
5
MCR22-6 ， MCR22-8
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计和测试所需的CD重复峰值运算
点火，燃料点火器，闪光电路，电机控制和低功耗
开关应用。
150安培2
s
安全区
高dv / dt
非常低正向“开”电压高电流
低成本TO- 226AA （ TO- 92 ）
器件标识：设备类型，例如， MCR22-6 ，日期代码
最大额定值
（ TJ = 25° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压
（ RGK = IK ， TJ = 40 + 110 ° C，
正弦波， 50到60赫兹，门打开）
MCR22–6
MCR22–8
符号
VDRM ，
VRRM
400
600
IT （ RMS ）
ITSM
1.5
15
安培
安培
1
价值
单位
伏
http://onsemi.com
可控硅
1.5安培RMS
400通600伏
G
A
K
*
通态电流有效值
（ 180 °导通角， TC = 80 ° C）
峰值不重复浪涌电流，
TA = 25°C
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门
（脉冲宽度
≤
1.0
m
秒， TA = 25°C ）
正向平均栅极电源
（T = 8.3毫秒， TA = 25 ° C）
正向栅极峰值电流
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TA = 25 ° C）
反向峰值电压门
（脉冲宽度
≤
1.0
s,
TA = 25 ° C）
工作结温范围
@额定VRRM和VDRM
存储温度范围
2
3
I2t
PGM
PG （AV）
IFGM
VRGM
TJ
TSTG
0.9
0.5
0.1
0.2
5.0
-40
+110
-40
+150
A2s
瓦
瓦
1
AMP
伏
°C
°C
2
3
TO-92 （TO- 226AA ）
CASE 029
10风格
引脚分配
阴极
门
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
（1）在VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级
适用于零或负的栅极电压;然而，正栅极电压
不应被施加一致与在阳极上的负电位。
阻断电压不得用恒定电流源，例如测试
该器件的电压额定值被超过。
半导体元件工业有限责任公司， 2000
1
2000年5月 - 第3版
出版订单号：
MCR22–6/D
MCR22-6 ， MCR22-8
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
无铅焊锡温度
（引线长度
1/16“的情况下， 10秒最大）
符号
R
θJC
R
θJA
TL
最大
50
160
+260
单位
° C / W
° C / W
°C
q
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ; RGK = 1000欧姆）
IDRM ， IRRM
TC = 25°C
TC = 110℃
—
—
—
—
10
200
A
A
基本特征
正向峰值通态电压（ 1 ）
（ ITM = 1 A峰值）
门极触发电流（连续直流） （ 2 ）
（ VAK = 6伏， RL = 100欧姆）
门极触发电压（连续DC ） （ 2 ）
（ VAK = 7伏， RL = 100欧姆）
门非触发电压（ 1 ）
（ VAK = 12 VDC， RL = 100欧姆）
保持电流
（ VAK = 12 VDC，门打开）
启动电流= 200毫安
TC = 25°C
TC = -40°C
TC = 25°C
TC = -40°C
TC = 110℃
IH
TC = 25°C
TC = -40°C
—
—
2.0
—
5.0
10
mA
VTM
IGT
VGT
VGD
—
—
—
—
—
0.1
1.2
30
—
—
—
—
1.7
200
500
0.8
1.2
—
伏
A
伏
伏
动态特性
断态电压临界上升率
（TC = 110℃）
（ 1 ）脉冲宽度= 1.0毫秒，占空比1 ％ 。
（2） RGK电流不包括在测量。
dv / dt的
—
25
—
V / μs的
v
http://onsemi.com
2
MCR22-6 ， MCR22-8
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
VTM
在国家
IRRM在VRRM
IH
符号
VDRM
IDRM
VRRM
IRRM
VTM
IH
参数
重复峰值关闭状态正向电压
峰值正向阻断电流
峰值重复关闭状态反向电压
峰值反向电流阻断
山顶上的电压状态
保持电流
反向隔离区
（关断状态）
反向雪崩区
阳极 -
+电压
IDRM在VDRM
正向阻断区
（关断状态）
电流降额
TA ，最大允许环境温度（
°
C)
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
140
140
120
100
80
60
40
20
0
0
dc
α
= 180°
α
=导通角
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
100
α
= 180°
α
=传导
角
dc
60
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
图1.最大外壳温度
图2.最高环境温度
http://onsemi.com
3
MCR22-6 ， MCR22-8
5.0
3.0
2.0
TJ = 110℃
25°C
1.0
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
室速，瞬时导通电压（伏）
图3.典型正向电压
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1000
2000
5000
10000
图4.热响应
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4
MCR22-6 ， MCR22-8
典型特征
0.8
VGT ，门极触发电压（伏）
我GT栅极触发电流（
A)
100 110
VAK = 7.0 V
RL = 100
100
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
–40
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
–75
–50
–25
0
25
50
75
–20
0
20
40
60
80
100 110
TJ ，结温（ ° C）
TJ结温（ ° C）
图5.典型栅极触发电压
图6.典型栅极触发电流
10
I H ，保持电流（毫安）
P（ AV）最大平均功耗（瓦）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
dc
30°
60°
90°
120
°
180°
VAK = 12 V
RL = 100
5.0
2.0
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
1.0
–40
–20
0
20
40
60
80
100 110
TJ ，结温（ ° C）
图7.典型的保持电流
图8.功耗
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5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MCR22-2 / D
可控硅整流器器
。 。 。设计和测试所需的CD点火，燃油重复峰值运算
点火器，闪光电路，电机控制和低功耗的开关应用。
150安培2
s
安全区
高dv / dt
非常低正向“开”电压高电流
低成本TO- 226AA （ TO- 92 ）
MCR22 2
THRU
MCR22 8
可控硅
1.5安培RMS
50通600伏
G
A
K
K
G
A
CASE 29-04
(TO-226AA)
10风格
最大额定值
（ TJ = 25 ° C除非另有说明。 ）
等级
重复峰值正向和反向阻断电压
（ RGK = IK ， TJ = 25 125°C ）
MCR22-2
MCR22-3
MCR22-4
MCR22-6
MCR22-8
通态电流有效值
（所有的导通角）
峰值不重复浪涌电流， TA = 25℃
（1/2周期，正弦波， 60赫兹）
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门控， TA = 25℃
平均栅极电源， TA = 25℃
峰值正向栅电流， TA = 25℃
(300
s,
120 PPS ）
峰值反向栅极电压
工作结温范围@额定VRRM和VDRM
存储温度范围
无铅焊锡温度
（引线长度
1/16
I
从情况下， 10秒以内）
IT （ RMS ）
ITSM
I2t
PGM
PG （AV）
IFGM
VRGM
TJ
TSTG
—
符号
VDRM ，
VRRM
50
100
200
400
600
1.5
15
0.9
0.5
0.1
0.2
5
-40到+125
-40到+150
+230
安培
安培
A2s
瓦
瓦
AMP
伏
°C
°C
°C
价值
单位
伏
q
1. VDRM和VRRM所有类型可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
摩托罗拉晶闸管设备数据
摩托罗拉公司1995年
1
MCR22 2到MCR22 8
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
最大
50
160
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 RGK = 1000欧姆）。
特征
峰值正向或反向阻断电流
（ VAK =额定VDRM或VRRM ）
转发“ ON”电压
（ ITM = 1 A峰值）
门极触发电流（连续直流） （ 1 ）
（阳极电压= 6伏， RL = 100欧姆）
门极触发电压（连续直流）
（阳极电压= 7伏， RL = 100欧姆）
（阳极电压=额定VDRM ， RL = 100欧姆）
保持电流
（阳极电压= 12伏）
正向电压的应用率
（ TC = 125°C ）
1. RGK目前不包含测量。
TC = 25°C
TC = -40°C
TC = 25°C
TC = -40°C
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = -40°C
TC = 25°C
TC = 125°C
VTM
IGT
VGT
VGD
IH
dv / dt的
符号
IDRM ， IRRM
—
—
—
—
—
—
—
0.1
—
—
—
—
—
1.2
30
—
—
—
—
2
—
25
10
200
1.7
200
500
0.8
1.2
—
5
10
—
民
典型值
最大
单位
A
A
伏
A
伏
mA
V / μs的
电流降额
TA ，最大允许环境温度（
°
C)
TC ，最大允许外壳温度（
°
C)
图1 - 最大外壳温度
图2 - 最高环境温度
140
140
120
100
80
60
40
20
0
0
α
= 180°
α
=导通角
0.2
0.4
0.6
dc
100
α
= 180°
α
=传导
角
dc
60
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
0.8
1.0
IT （ AV ） ，平均通态电流（ AMP ）
2
摩托罗拉晶闸管设备数据
MCR22 2到MCR22 8
图3 - 典型正向电压为
5.0
3.0
2.0
TJ = 125°C
25°C
1.0
I T ，瞬时通态电流（ AMP ）
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
室速，瞬时导通电压（伏）
图4 - 热响应
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1000
2000
5000
10000
摩托罗拉晶闸管设备数据
3
MCR22 2到MCR22 8
典型特征
图5 - 栅极触发电压
VG ，门极触发电压（伏）
0.8
我GT栅极触发电流（
A)
0.7
VAK = 7.0 V
RL = 100
100
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
图6 - 典型栅极触发电流
0.6
0.5
0.4
0.3
–75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
1.0
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ ，结温（ ° C）
TJ结温（ ° C）
图7 - 维持电流
10
I H ，保持电流（毫安）
P（ AV）最大平均功耗（瓦）
图8 - 功耗
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT （ AV ）通态平均电流（安培）
dc
30°
60°
90°
120° 180°
5.0
VAK = 12 V
RL = 100
2.0
1.0
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ ，结温（ ° C）
4
摩托罗拉晶闸管设备数据
MCR22 2到MCR22 8
包装尺寸
A
R
P
座位
飞机
B
风格10 ：
PIN 1阴极
2.门
3.阳极
F
L
K
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
CASE 29-04
(TO–226AA)
摩托罗拉晶闸管设备数据
5
查看更多MCR22-8PDF信息
推荐型号
MAX6318LHUK32DW-T
MSD7342-273MLD
MCP9509
MTAN4123-21C
MX29F040PI-55G
M5-512/68-7AC
MIC49150-1.2BR
MAX3033EEUE
MI-QC2LN-MVY
M87C257-45XF1TR
MAX717CSE
MC78M12BDTRKG
MI-PC2XY-IV
MI-QC6VZ-MVY
M38C36E2AXXXFP
M74HCT27
MX565AKQ
MIC5245
MAX6381XR20D1-T
MB93423
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