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MCR12DCM , MCR12DCN
首选设备
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
设计用于高容量,低成本,工业和消费
应用,例如马达控制;过程控制;温度,光
和速度控制。
特点
http://onsemi.com
小型
钝化死的可靠性和一致性
低电平触发和保持特性
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125
ESD额定值:人体模型, 3B
u
8000 V
机器型号,C
u
400 V
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(注1 )
(T
J
= -40 125 ℃,正弦波, 50到60赫兹,
门打开)
MCR12DCM
MCR12DCN
开启状态RMS电流
( 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
平均通态电流
( 180 °导通角;吨
C
= 90°C)
峰值不重复浪涌电流
( 1/2周期,正弦波60赫兹,T
J
= 125°C)
电路熔断思考( T = 8.3毫秒)
正向峰值功率门
(脉冲宽度
1.0
毫秒,
T
C
= 90°C)
正向平均栅极电源
(T = 8.3毫秒,T
C
= 90°C)
正向栅极峰值电流
(脉冲宽度
1.0
毫秒,
T
C
= 90°C)
工作结温范围
存储温度范围
符号
V
DRM ,
V
RRM
600
800
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G( AV )
I
GM
T
J
T
英镑
12
7.8
100
41
5.0
0.5
2.0
-40至125
-40至150
A
A
A
A
2
美国证券交易委员会
W
W
A
°C
°C
价值
单位
V
可控硅
12安培RMS
600 - 800伏
G
A
K
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
方式4
标记图
YWW
R1
2DCxG
Y
WW
R12DCx
G
=年
=工作周
=器件代码
X = M或N
= Pb-Free包装
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. V
DRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零
或负栅极电压;正栅极电压不得用于并发
与在阳极上的负电位。阻断电压不应被测试
用恒定电流源,使得该装置的额定电压是
超标。
引脚分配
1
2
3
4
阴极
阳极
阳极
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年2月 - 修订版5
出版订单号:
MCR12DCM/D
MCR12DCM , MCR12DCN
热特性
特征
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境(注2 )
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
最大
2.2
88
80
260
单位
° C / W
最大的铅焊接温度的目的(注3 )
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流
(V
AK
=额定V
DRM
或V
RRM
,门打开)
基本特征
正向峰值通态电压(注4 ) (我
TM
= 20 A)
门极触发电流(连续直流)
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
门极触发电压(连续直流)
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
GATE非触发电压
(V
D
= 12 V ,R
L
= 100
W)
保持电流
(V
D
= 12 V ,起爆电流为200 mA时,门打开)
闭锁电流
(V
D
= 12 V,I
G
能力= 20 mA ,T
J
= 25°C)
(V
D
= 12 V,I
G
= 40毫安,T
J
= 40°C)
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,门打开,T
J
= 125°C)
dv / dt的
50
200
V / ms的
T
J
= 25°C
T
J
=
*40°C
V
GT
T
J
= 25°C
T
J
=
*40°C
V
GD
T
J
= 125°C
I
H
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
I
L
4.0
22
40
80
4.0
22
40
80
mA
mA
0.5
0.2
0.65
1.0
2.0
V
V
TM
I
GT
2.0
7.0
20
40
V
1.3
1.9
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
DRM ,
I
RRM
mA
0.01
5.0
符号
典型值
最大
单位
2.这些评价适用面安装在推荐的最小焊盘尺寸时。
3. 1/8“从壳体10秒。
4.脉冲测试:脉冲宽度
2.0毫秒,占空比
2%.
订购信息
设备
MCR12DCMT4
MCR12DCMT4G
MCR12DCNT4
MCR12DCNT4G
DPAK
DPAK
(无铅)
DPAK
DPAK
(无铅)
航运
2500 /磁带和卷轴
2500 /磁带和卷轴
2500 /磁带和卷轴
2500 /磁带和卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
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2
MCR12DCM , MCR12DCN
可控硅电压电流特性
+电流
阳极+
V
TM
在国家
I
RRM
在V
RRM
I
H
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值断态正向电压
峰值正向阻断电流
重复峰值断态反向电压
峰值反向电流阻断
峰值通态电压
保持电流
反向隔离区
(关断状态)
反向雪崩区
阳极 -
+电压
I
DRM
在V
DRM
正向阻断区
(关断状态)
TC ,最大允许外壳温度(
°
C)
P( AV ) ,平均功耗(瓦)
125
120
115
110
16
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
a
90°
60°
120°
180°
a
=传导
a
= 30°
dc
105
100
95
90
85
0
1.0
a
dc
a
=传导
a
= 30°
2.0
3.0
60°
4.0
90°
5.0
120°
6.0
180°
7.0
8.0
8.0
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
I
T( AV )
,通态平均电流(安培)
图1.平均电流降额
图2.开启状态功耗
I T ,瞬时通态电流( AMPS )
100
典型@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 125°C
10
R(T ) ,过渡电阻
(归一化)
1.0
0.1
Z
QJC (T )
= R
QJC (T )
SR (T )
最大@ T
J
= 25°C
1.0
0.1
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
T
,瞬时导通电压(伏)
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
10 K
吨,时间( ms)的
图3.通态特性
图4.瞬态热响应
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3
MCR12DCM , MCR12DCN
100
VGT ,门极触发电压(伏)
35
I GT ,门极触发电流(mA)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
5.0
20
50
65
80
95
110 125
40 25 10
5.0
20
35
50
65
80
95
110 125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
10
1.0
40 25 10
图5.典型栅极触发电流与
结温
图6.典型栅极触发电压与
结温
100
IH ,保持电流(毫安)
100
10
IL ,擎住电流(毫安)
5.0
20
35
50
65
80
95
110
125
10
1.0
40 25 10
1.0
40 25 10
5.0
20
35
50
65
80
95
110
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图7.典型的保持电流与
结温
图8.典型的闭锁电流对
结温
1000
V
D
= 800 V
T
J
= 125°C
静态的dv / dt (V /
m
s)
100
10
100
1000
10 K
R
GK
,门极 - 阴极电阻(欧姆)
图9.指数静态dv / dt的对比
门极 - 阴极电阻
http://onsemi.com
4
MCR12DCM , MCR12DCN
包装尺寸
DPAK
CASE 369C
发行
注意事项:
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.235 0.245
0.250 0.265
0.086 0.094
0.027 0.035
0.018 0.023
0.037 0.045
0.180 BSC
0.034 0.040
0.018 0.023
0.102 0.114
0.090 BSC
0.180 0.215
0.025 0.040
0.020
0.035 0.050
0.155
MILLIMETERS
最大
5.97
6.22
6.35
6.73
2.19
2.38
0.69
0.88
0.46
0.58
0.94
1.14
4.58 BSC
0.87
1.01
0.46
0.58
2.60
2.89
2.29 BSC
4.57
5.45
0.63
1.01
0.51
0.89
1.27
3.93
T
B
V
R
4
座位
飞机
C
E
A
S
1
2
3
Z
U
K
F
L
D
G
2 PL
J
H
0.13 (0.005)
T
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
M
方式4 :
PIN 1阴极
2.阳极
3.门
4.阳极
焊接足迹*
6.20
0.244
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
3.0
0.118
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
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MCR12DCM/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCR12DCMT4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:17876146278/15814081976
联系人:梁小姐
地址:华强广场B座7楼001室
MCR12DCMT4
ON
22+
2295
SOT252
原装正品 现货库存 价钱优势 联系电话:15814081976(同微信)梁小姐
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
MCR12DCMT4
ON Semiconductor
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
MCR12DCMT4
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DPAK-4
只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:867007660 复制

电话:0755-82799659/83220081/83223317
联系人:李
地址:福田区南光捷佳1727
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
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12600
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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