MCR100系列
首选设备
敏感栅
可控硅整流器器
反向阻断晶闸管
专为高容量，线路供电的消费PNPN设备
应用，如继电器和灯驱动器，小型电动机的控制，栅极
驱动较大的晶闸管，以及传感和检测电路。
提供以廉价的塑料TO- 226AA包是
容易适应于自动插入设备中使用。
特点
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可控硅
0.8 A RMS
100通600 V
G
A
K
敏感栅允许由微控制器和其他触发
逻辑电路
阻断电压为600 V
通态电流额定值的0.8 A RMS在80℃
高浪涌电流能力 - 10 A
IGT ， VGT和IH指定最小值和最大值
为了便于设计
免疫力的dV / dt - 20 V /毫秒最低在110℃
玻璃钝化表面的可靠性和一致性
无铅包可用*
TO92
CASE 29
10风格
12
1
2
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记图
MCR
100x
AYWWG
G
x
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚分配
1
2
3
阴极
门
阳极
订购信息
查看详细的订购和发货信息第5页
此数据表。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年3月 - 启示录7
出版订单号：
MCR100/D
MCR100系列
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1及2 ）
(T
J
=
*40
至110℃ ，正弦波， 50到60赫兹;门打开）
MCR1003
MCR1004
MCR1006
MCR1008
开启状态RMS电流， （T
C
= 80 ℃）， 180 °导通角
峰值不重复浪涌电流， （1/2周期，正弦波， 60赫兹，T
J
= 25°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
正向峰值功率门控， （T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
正向平均栅极电源， （T
A
= 25 ℃， t为8.3毫秒）
正向栅极峰值电流， （T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
反向峰值栅极电压（T
A
= 25 ° C，脉冲宽度
v
1.0
m
s)
工作结温范围@速度V
RRM
和V
DRM
存储温度范围
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GRM
T
J
T
英镑
符号
V
DRM ，
V
RRM
100
200
400
600
0.8
10
0.415
0.1
0.10
1.0
5.0
-40至110
-40至150
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
价值
单位
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。评级申请零或负栅极电压;然而，正栅极
电压不应被施加一致与在阳极上的负电位。阻断电压不得以恒定电流测试
源，使得器件的电压额定值被超过。
2.请参阅详细的设备号选项的订购信息。
热特性
特征
热阻，结到外壳
结到环境
无铅焊锡温度
（ T1 / 16 “的情况下， 10秒最大）
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
I
DRM
, I
RRM
10
100
民
典型值
最大
单位
mA
开关特性
峰值重复正向或反向阻断电流（注2 ）
T
C
= 25°C
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1 KW ）
T
C
= 110°C
基本特征
正向峰值通态电压
*
(I
TM
= 1.0 A峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流（连续DC） （注3 ）
(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
保持电流
(2)
(V
AK
= 7.0伏，启动电流= 20 mA）的
闩锁电流
(V
AK
= 7.0 V，免疫球蛋白= 200
毫安）
门极触发电压（连续DC ） （注3 ）
T
C
= 40°C
(V
AK
= 7.0伏，R
L
= 100
W)
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 40°C
T
C
= 25°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
40
0.5
0.6
0.62
1.7
200
5.0
10
10
15
0.8
1.2
V
mA
mA
mA
V
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，R
GK
= 1000
W，T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
毫秒;
DIG / DT = 1 /毫秒，糖耐量低减= 20 mA）的
*表示脉冲测试：脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
1%.
3. R
GK
= 1000
W
包括测量。
4.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
的di / dt
20
35
50
V / ms的
A / MS
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2
MCR100系列
1000
1000
100
擎住电流（
m
A)
95
110
保持电流（
m
A)
100
10
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
，结温（ ° C）
10
40 25 10
5
20 35 50 65 80
T
J
，结温（ ° C）
95
110
图3.典型的保持电流与
结温
图4.典型的闭锁电流对
结温
TC ，最大允许外壳温度（ C）
°
120
110
100
90
DC
80
70
60
50
40
0
30°
60°
90°
120°
0.5
180°
I T ，瞬时通态电流（ AMPS ）
10
最大@ T
J
= 25°C
最大@ T
J
= 110°C
1
0.1
0.2
0.3
0.4
I
T（ RMS ）
， RMS通态电流（ AMPS ）
0.1
0.5 0.8 1.1 1.4 1.7 2.0 2.3 2.6 2.9 3.2 3.5
V
T
，瞬时导通电压（伏）
图5.典型RMS电流降额
图6.典型通态特性
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4
MCR100系列
订购信息
设备
MCR100003
MCR100004
MCR100006
MCR100008
MCR1003RL
MCR1006RL
MCR1006RLRA
MCR1006RLRM
MCR1006ZL1
MCR1008RL
MCR1003G
MCR1004G
MCR1006G
MCR1008G
MCR1003RLG
MCR1006RLG
MCR1006RLRAG
MCR1006RLRMG
MCR1006ZL1G
MCR1008RLG
2000 /磁带&弹药包
2000 /磁带&卷轴
TO-92 （TO- 226）
（无铅）
5000单位/箱
2000 /磁带&弹药包
2000 /磁带&卷轴
TO-92 （TO- 226）
2000 /磁带&卷轴
5000单位/箱
封装代码
航运
2000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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