MCP98243
内存模块温度传感器瓦特/ EEPROM的SPD
特点
符合JEDEC规范JC42.4 - TSE2002B3
温度传感器+ 2 Kbit的串行EEPROM
EEPROM的串行存在检测（ SPD ）
2线I
2
C / SMBus接口
可用的软件包：
- DFN - 8 ， TDFN - 8 ， UDFN - 8 ， TSSOP- 8
描述
Microchip的MCP98243数字
温度传感器在-40°C的温度转换
和+ 125°C到的数字字。这种传感器符合
JEDEC JC42.4规范， TSE2002B3平台
内存模块温度传感器组件。它
提供± 0.2 ℃/ ±1 ℃的精度（典型/
最大）从+ 75 ° C至+ 95°C 。另外，该
器件内部有一个256字节的EEPROM，可以
被用于存储存储器模块和供应商
信息。
该MCP98243数字温度传感器自带
用户可编程寄存器提供灵活
DIMM温度检测应用。寄存器
允许用户选择的设置，如关机或
低功耗模式和规范
温度事件的边界。当温度
超出规定的事件边界限制的变化，
在MCP98243输出的事件引脚警报信号。
用户具有设定温度的选择
事件输出信号的极性，要么是低电平有效或
高电平有效比较器输出用于恒温器操作，
或温度事件中断输出
基于微处理器的系统。
在EEPROM中的DRAM专
的DIMM（双列直插式内存模块）串行存在
检测（SPD） 。低128字节（地址0x00至
0x7F的）可以永久写保护（ PWP ）或
可逆软件写保护（ SWP ） 。这
允许DRAM供应商和产品信息是
存储和写保护。高128字节
（地址0x80至0xFF的）可被用于一般的
目的数据的存储。这些地址都不会写
受保护的。
该传感器具有业界标准的2线，
I
2
C兼容型串行接口，允许多达8
设备在一条串行总线进行控制。
温度传感器特点
温度 - 数字转换器
传感器精度（ B级） ：
-
± 0.2 ℃/ ± 1 ° C（典型值/最大值）
→
+ 75 ° C至+ 95°C
- ± 0.5 ℃/ ± 2 ° C（典型值/最大值）
→
+ 40 ° C至+ 125°C
- ± 1 ° C / ± 3 ° C（典型值/最大值）
→
-20 ° C至+ 125°C
指定V
DD
范围： 3.0V至3.6V
工作电流： 200 μA （典型值）
= V操作
DD
范围： 2.7V至5.5V
串行EEPROM功能
指定V
DD
范围： 1.8V至5.5V
工作电流：
- 写
→
1.1毫安（典型值）为3.5毫秒（典型值）
- 阅读
→
100 μA （典型值）
永久及可逆软件写保护
软件写保护下1千位
组织为1块256 ×8位（ 2千位）
典型应用
DIMM模块用于服务器，个人电脑和笔记本电脑
通用温度数据记录
DIMM模块
封装类型
8引脚2×3 DFN / TDFN / UDFN *
A0 1
A1 2
A2 3
GND 4
EP
9
8 V
DD
7事件
6 SCL
5 SDA
8引脚TSSOP
A0 1
A1 2
A2 3
8 V
DD
7事件
6 SCL
5 SDA
GND 4
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
MCP98243
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MCP98243
传感器的典型精度性能
50%
40%
出现
30%
20%
10%
0%
-0.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
0.8
100千赫
V
IL_MAX
= 0.8V, V
IH_MIN
= 2.1V
8V至12V
—
0.5V
0x2001
T
A
= +85°C
1063478单位
63批次产品
统计：
平均= 0.003 ℃，
圣开发= 0.13 ℃，
± 3西格玛= ± 0.4 ℃，
0.0
0.2
0.4
0.6
温度精度（ ℃）
注意：
从生产系统这样的精度数据代表的典型精度性能
MCP98242内存模块温度传感器。 MCP98242的生产方法也可用于
该MCP98243来实现相同的典型精度性能。
MCP98243 VS. MCP98242
特征
事件输出在关断模式
I
2
I2C通信超时范围
I
2
C最大总线频率
I
2
SCL & SDA V
IL
/V
IH
电压等级
V
HV A0
范围
I
2
穗压抑
I
2
C输入滞后
设备/版本ID寄存器
MCP98243
事件输出去断言
t
OUT
= 25毫秒到35毫秒
400千赫
V
IL_MAX
=0.3*V
DD
, V
IH_MIN
=0.7*V
DD
7V至12V
50纳秒
0.05V
DD
0x2101 （十六进制）
MCP98242
事件输出保持有效
t
OUT
= 20毫秒到35毫秒
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1.0
MCP98243
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
.................................................................................. 6.0V
电压在所有输入/输出引脚GND ............... - 0.3V至6.0V
引脚A0 ................................................ ... GND - 0.3V至12.5V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 40 ° C至+ 125°C
结温（T
J
) .......................................... +150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ： MM ） ................. （ 4千伏： 300V ）
闩锁电流在每个管脚（ 25 ° C） ....................... ± 200毫安
温度传感器DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= 3.0V至3.6V ， GND =接地，
和T
A
= -20 ° C至+ 125°C 。
参数
温度传感器精度
+ 75°C <牛逼
A
≤
+95°C
+ 40°C <牛逼
A
≤
+125°C
-20℃ <牛逼
A
≤
+125°C
T
A
=
-40°C
温度转换时间
0.25°C/bit
电源
额定电压范围
工作电压范围
工作电流
关断电流
上电复位（ POR ）
电源抑制，
T
A
= +25°C
高级电流（泄漏）
低电平电压
低电平电流（泄漏）
高电平电压
I
OH
V
OL
I
OL
V
OH
V
DD
V
DD
I
DD_TS
I
SHDN
V
POR_TS
Δ ° C / ΔV
DD
3.0
2.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
200
1
2.2
±0.3
±0.15
—
—
—
—
3.6
5.5
500
3
—
—
—
1
0.4
1
V
DD
-0.5
V
V
A
A
V
° C / V
°C
A
V
A
V
JC42.4指定的电压范围
注1
EEPROM无效
EEPROM无效，我
2
C总线无效
阈值下降V
DD
电压
V
DD
= 2.7V至5.5V
V
DD
= 3.3V + 150毫伏
PP交流
（0到1 MHz ）
V
OH
= V
DD
（低电平有效，上拉电阻）
I
OL
= 3 MA（低电平有效，上拉电阻）
V
OL
= V
SS
（高电平有效，下拉
电阻器）
I
OH
= 3 MA（高电平有效，下拉
电阻器）
时间到63％ （ 89 ℃）下
t
CONV
—
65
125
ms
15秒/秒（典型值） （见
第5.2.4节）
T
ACY
-1.0
-2.0
-3.0
—
±0.2
±0.5
±1
-1
+1.0
+2.0
+3.0
—
°C
°C
°C
°C
JC42.4 - TSE2002B3
B级精度规格
符号
民
典型值
最大
单位
条件
事件输出（漏极开路输出，外接上拉或需要下拉电阻） ，请参见第5.2.3
热响应，从+ 25°C （空气）至+ 125°C （油浴）
DFN/UDFN/TDFN-8
TSSOP-8
注1 ：
t
水库
—
—
0.7
1.4
—
—
s
s
特性值，但未经生产测试。另请参阅
第2.0节“典型性能曲线” 。
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MCP98243
EEPROM直流特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= 1.8V至5.5V ， GND =接地，
和T
A
= -20 ° C至+ 125°C 。
参数
电源
工作电压范围
目前， EEPROM写
目前， EEPROM读
上电复位（ POR ）
写周期（字节/页）
耐力牛逼
A
= +25°C
EEPROM写温度
EEPROM读取温度
写保护电压
SWP和CWP电压
PWP电压
注1 ：
2:
3:
V
HV
7
—
—
V
DD
12
—
V
V
在A0引脚施加
（注3）
V
DD
I
DD_EE
I
DD_EE
V
POR_EE
t
WC
—
EE
写
EE
读
1.8
—
—
—
—
—
0
-40
—
1100
100
1.6
3
1M
—
—
5.5
2000
500
—
5
—
85
125
V
A
A
V
ms
写周期，V周期数
DD
= 5V
（注2 ）
°C
°C
传感器在关断模式（在t
WC
),
（注
1)
传感器在关断模式（注
1)
EEPROM
符号
民
典型值
最大
单位
条件
对于V
DD
1.8V的范围内的温度传感器V-
POR_TS
中，温度传感器变为局部偏置和反对
sumes 80 μA （典型值） ，直到传感器POR复位并承认一个shutdown命令。看
图2-15 。
特性值，但未经生产测试。对于一个特定的应用中估计耐用性，请查阅Total
可从Microchip网站www.microchip.com获得Endurance模型。
电压加在A0引脚永久的范围写保护为GND到V
DD
+ 1V 。看
图2-13
和
第5.3.3节“写保护” 。
输入/输出引脚的直流特性（注1 ）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= 1.8V至5.5V ， GND =接地和
T
A
= -20 ° C至+ 125°C 。
参数
输入
高电平电压
低电平电压
输入电流
输入阻抗（ A0，A1， A2）的
输入阻抗（ A0，A1， A2）的
输出（ SDA只）
低电平电压
高级电流（泄漏）
低电平电流
电容
SDA和SCL输入
迟滞
秒杀压抑
V
HYST
T
SP
—
—
—
0.05V
DD
0.1V
DD
—
—
—
50
V
V
ns
V
DD
＆ GT ; 2V
V
DD
＆ LT ; 2V
V
OL
I
OH
I
OL
C
IN
—
—
6
—
—
—
—
5
0.4
1
—
—
V
A
mA
pF
I
OL
= 3毫安
V
OH
= V
DD
V
OL
= 0.6V
V
IH
V
IL
I
IN
Z
IN
Z
IN
0.7V
DD
—
—
—
—
—
—
—
1
200
—
0.3V
DD
±5
—
—
V
V
A
MΩ
kΩ
SDA和SCL只
V
IN
＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ LT ; V
IL
符号
民
典型值
最大
单位
条件
串行输入/输出（ SCL，SDA ， A0，A1， A2）， （注2）
注1 ：
2:
这些规范适用于温度传感器和EEPROM 。
对于V
DD
1.8V的范围内的温度传感器V-
POR_TS
中，温度传感器成为部分
偏见并消耗80 μA （典型值） ，直到传感器POR复位并承认关闭
命令。看
图2-15 。
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传感器和EEPROM串行接口时序规范
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，GND =接地，T
A
= -20 ° C至+ 125°C ，而C
L
= 80 pF的
（注
1, 5).
V
DD
= 1.8V至5.5V V
DD
= 2.2V至5.5V
参数
2线I
2
C接口
串口频率
低时钟
高时钟
上升时间
下降时间
数据建立时间
数据保持时间
数据输出保持时间
启动条件建立时间
START条件保持时间
停止条件的建立时间
总线空闲
超时（传感器专用）
总线电容负载
注1 ：
2:
3:
f
SCL
t
低
t
高
t
R
t
F
t
苏： DI
t
高清： DI
t
高清： DO
t
SU ： STA
t
高清： STA
t
苏： STO
t
B：免费
t
OUT
C
b
10
4700
4000
—
20
250
0
200
4700
4000
4000
4700
—
—
100
—
—
1000
300
—
—
900
—
—
—
—
—
—
10
1300
600
20
20
100
0
200
600
600
600
1300
25
—
400
—
—
300
300
—
—
900
—
—
—
—
35
400
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
pf
V
DD
= 3.0V至3.6V
注3
注6
注4
注2 ，4-
注2
注2
符号
民
最大
民
最大
单位
条件
4:
5:
6:
所有的值称为V
IL最大
和V
IH MIN
的水平。
如果T
低
＆ GT ;吨
OUT
或T
高
＆ GT ;吨
OUT
中，温度传感器我
2
C接口将超时。重复启动命令
所需的通信。
该装置也可在标准模式I中使用
2
C总线系统，但要求吨
苏： DAT
≥
250 ns的绝
得到满足。该器件不延长SCL低电平的时间。它输出一个数据位到内SDA线
t
R最大
+ t
苏： DI MIN
= 1000 NS + 250纳秒= 1250纳秒（根据标准模式我
2
C总线规范）
之前， SCL线被释放。
作为发送器，该器件提供内部最小延迟时间t
高清： DAT MIN
弥合未定义
的SCL吨下降沿的区域（最小300纳秒）
F最大
为避免产生意外的启动或停止的
条件。
对于V
DD
1.8V的范围内的温度传感器V-
POR_TS
中，温度传感器成为部分
偏见和消耗100 μA （典型值） ，直到传感器POR复位并承认一个shutdown命
命令。
作为接收器， SDA不应该在SCL的下降沿进行采样。 SDA可以变迁t
高清： DI
0纳秒后
SCL翻转为低电平。
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QQ：2880707522 复制
