MCP7940N
低成本我
2
C实时时钟/日历
与SRAM和电池切换
器件选型表
产品型号
MCP7940N
SRAM
（字节）
64
描述：
该MCP7940N系列低功耗实时时钟
（ RTC），使用一个准确的数字定时补偿
时钟/日历，可编程输出控制
多功能性，电源检测电路，可以自动
切换到备用电源。使用低成本32.768
kHz晶振，它使用几个内部跟踪的时间
寄存器。对于通讯， MCP7940N使用
I
2
C总线。
时钟/日历自动适应个月
少于31天，其中更正
闰年。该时钟可以工作在24小时
或12小时格式，带AM / PM指示和
可设置报警（多个）向第二，分钟，小时，天
周，日或月。使用可编程
32.768 ， 8.192和4.096 CLKOUT ，频率
千赫和1赫兹可以从外部生成
水晶。
该设备是通过串行完全无障碍
接口，而V
CC
是1.8V和5.5V之间，但可
向下运行至1.3V的计时和SRAM
保留而已。
该RTC系列设备是在标准中可用的
8引脚SOIC ， TSSOP ， MSOP和2x3 TDFN封装。
产品特点：
实时时钟/日历（RTCC ） ，电池
支持：
- 小时，分钟，秒，星期，日日，
月和年
- 单输出双报警
片上数字微调/校准：
- 范围-127到+127 ppm的
- 分辨率为1ppm
可编程的漏极开路输出控制：
- CLKOUT具有4个可选频率
- 报警输出
64字节SRAM ，电池供电
自动V
CC
切换到V
BAT
BACKUP
供应
电源故障时间标记的电池切换
低功耗CMOS技术：
- 动态电流： 400
A
最大读
- 电池备用电流： <700nA @ 1.8V
100 kHz和400 kHz的兼容性
ESD保护>4,000V
套餐包括8引脚SOIC ， TSSOP ， 2×3
TDFN封装， MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围：
- 工业级（I ） ： -40°C至+ 85°C
- 扩展（ E） ： -40°C至+ 125°C
封装类型
MSOP
X1
X2
V
BAT
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC ， TSSOP
X1
X2
V
BAT
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
多功能一体机
SCL
SDA
V
CC
多功能一体机
SCL
SDA
X1 1
X2 2
V
BAT
3
V
SS
4
TDFN
8 V
CC
7 MFP
6 SCL
5 SDA
2011-2013 Microchip的科技公司
DS25010E第1页
MCP7940N
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
..........................................................................................................-0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗applied................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
电气特性：
工业级（I ） ：
V
CC
= + 1.8V至5.5V
扩展（ E） ：
V
CC
= + 1.8V至5.5V
特征
SCL ， SDA引脚
高电平输入电压
低电平输入电压
分钟。
—
0.7 V
CC
—
典型值。
马克斯。
—
—
0.3 V
CC
0.2 V
CC
—
单位
—
V
V
V
—
—
V
CC
= 2.5V至5.5V
（注
1)
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
条件
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
符号。
—
V
IH
V
IL
V
HYS
施密特时触发0.05 V滞后
CC
蒙古包输入
（ SDA ， SCL引脚）
低电平输出电压
（ MFP ， SDA ）
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（ SDA ， SCL和MFP）
工作电流
SRAM
待机电流
—
—
—
—
—
—
—
D4
D5
D6
D7
D8
D9
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
0.40
±1
±1
10
300
400
1
5
V
A
A
pF
A
A
A
A
nA
A
V
s
s
V
pF
I
OL
= 3.0毫安V
CC
= 4.5V
I
OL
= 2.1毫安V
CC
= 2.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.0V
（注
1)
T
A
= 25 ° C，F = 400千赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V ， SCL ，SDA = = V
CC
（工业级温度）
V
CC
= 5.5V ， SCL ，SDA = = V
CC
（ E-温度）
V
BAT
= 1.8V @ 25 ° C，
图2-1
V
CC
= 3.6V @ 25 ° C，
图2-2
（注
2)
典型值为1.5V在T
AMB
= 25°C
从V
旅
（MAX）到V
旅
（分钟）
从V
旅
（分钟）至V
旅
（最大）
—
（注
1)
D10
IBAT
IV
CC
工作电流
—
—
700
5
—
—
1.7
—
—
5.5
D11
D12
D13
D14
D15
注1 ：
2:
VTRIP
VCCFT
VCCRT
V
BAT
COSC
V
BAT
改过来
V
CC
下降时间
（注
1)
V
CC
上升时间
（注
1)
V
BAT
电压范围
（注
1)
振荡器引脚
电容
1.3
300
0
1.3
—
3
—
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
备振荡器运行。
2011-2013 Microchip的科技公司
DS25010E第3页
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