MCP73861/2/3/4
先进的单或双电池，完全集成的锂离子/
锂聚合物充电管理控制器
特点
线性充电管理控制器
- 集成了晶体管
- 集成了电流检测
- 反向阻断保护
高精度预置电压调节： + 0.5 ％
四种预置电压调节选项：
- 4.1V, 4.2V –
MCP73861/3
- 8.2V, 8.4V –
MCP73862/4
可编程充电电流： 1.2A最大
可编程安全定时器充电
深度放电的电池预处理
自动结束的充电控制
可选的连续电池温度监视
充电状态输出可直接驱动LED
故障输出可直接驱动LED
自动断电
- 热调节
- 温度范围： -40 ° C至+ 85°C
封装： 16引脚， 4 ×4 QFN
16引脚SOIC
描述
MCP7386X系列器件是高级
线性充电管理控制器，适用于空间使用
有限的，成本敏感的应用。该设备的COM
茎高精确度，恒定电压和电流的稳压
LATION ，细胞预处理，电池温度监测，
高级安全定时器，自动充电终止，
内部电流检测，反向阻断保护，
在任何一个空间 - 充电状态和故障指示
节省16引脚， 4× 4 QFN封装或16引脚SOIC封装。该
MCP7386X提供了一个完整的，全功能，待机动
用最少的单独充电管理解决方案
外部元件的数目。
该MCP73861 / 3是用于利用应用
单节锂离子或锂聚合物电池
包，而MCP73862 / 4是用于双
串联锂离子或锂聚合物电池
包。该MCP73861 / 3有两个可选的电压 -
可调节选项（ 4.1V和4.2V ） ，使用
，焦炭或石墨阳极和与运营
输入电压范围为4.5V至12V的。该MCP73862 / 4
有两个可选的电压调节选项可用
能（ 8.2V和8.4V ） ，与焦炭或石墨用途
阳极，并与输入电压范围内工作
8.7V至12V 。
在MCP73861间/ 2唯一的区别和
MCP73863 / 4 ，分别是充电的功能
状态输出（ STAT1 ）当一个充电周期已经
完成。该MCP73861 / 2闪光输出，而
在MCP73863 / 4关闭输出。请参阅
5.2.1节
↓费
状态
输出
(STAT1,STAT2)”.
MCP7386X系列器件均工作
在-40 ° C至+ 85°C的环境温度范围。
应用
锂离子/锂聚合物电池充电器
个人数据助理（PDA ）
移动电话
手持式仪表
座式充电器
数码相机
MP3播放器
封装类型
STAT1
STAT2
V
SS2
16引脚QFN
16引脚SOIC
STAT2 1
STAT1 2
12 V
BAT3
11 V
BAT2
10 V
BAT1
9 V
SS3
16 EN
15 V
SS2
16
V
SET
1
V
DD1
2
V
DD2
3
V
SS1
4
5
PROG
15
14
EN
13
MCP73861
MCP73862
MCP73863
MCP73864
6
THREF
7
THERM
8
定时器
V
DD1
4
V
DD2
5
V
SS1
6
PROG 7
THREF 8
MCP73861
MCP73862
MCP73863
MCP73864
V
SET
3
14 V
BAT3
13 V
BAT2
12 V
BAT1
11 V
SS3
10 TIMER
9 THERM
2005年Microchip的科技公司
DS21893C第1页
MCP73861/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
V
DDN
..............................................................................13.5V
V
BATN
, V
SET
， EN ， STAT1 ， STAT2 w.r.t. V
SS
.................................................. ...............- 0.3至（Ⅴ
DD
+ 0.3)V
PROG ， THREF ， THERM ， TIMER w.r.t. V
SS
..............- 0.3 6V
最高结温，T
J
............内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
ESD保护所有引脚：
人体模型（ 1.5 kΩ的串联100 pF的） .... ≥ 4 kV的
机器模型（ 200 pF的，没有串联电阻） ........... 300V
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
电源输入
电源电压
电源电流
UVLO阈值开始
V
DD
I
SS
V
开始
4.5
8.7
—
—
4.25
8.45
UVLO停止阈值
V
停止
4.20
8.40
电压调节（恒压模式）
稳压输出电压
V
REG
4.079
4.179
8.159
8.358
4.1
4.2
8.2
8.4
4.121
4.221
8.241
8.442
V
V
V
V
MCP73861/3,
V
SET
= V
SS
MCP73861/3,
V
SET
= V
DD
MCP73862/4,
V
SET
= V
SS
MCP73862/4,
V
SET
= V
DD
V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V ]
I
OUT
= 10毫安
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
线路调整
负载调整率
电源纹波衰减
|(ΔV
BAT
/V
BAT
)
| /ΔV
DD
|ΔV
BAT
/V
BAT
|
PSRR
—
—
—
—
—
输出反向泄漏
当前
快速充电电流
规
I
放电
—
0.025
0.01
60
42
28
0.23
0.25
0.25
—
—
—
1
%/V V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V ]至12V
I
OUT
= 10毫安
%
dB
dB
dB
A
I
OUT
= 10 mA至150毫安
V
DD
= [V
REG
(typ.)+1V]
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹至1千赫
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹到
10千赫
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹到1 MHz
V
DD
＆ LT ; V
BAT
= V
REG
（典型值）。
—
—
0.17
0.53
4.5
8.8
4.4
8.7
12
12
4
4
4.65
9.05
4.55
8.95
V
V
A
mA
V
V
V
V
MCP73861/3
MCP73862/4
残
操作
MCP73861/3
MCP73862/4
V
DD
低到高
MCP73861/3
MCP73862/4
V
DD
HIGH到LOW
符号
民
典型值
最大
单位
s
条件
电流调节（快速充电恒流模式）
I
REG
85
1020
425
100
1200
500
115
1380
575
mA
mA
mA
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
2005年Microchip的科技公司
DS21893C第3页
MCP73861/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
符号
民
典型值
最大
单位
s
条件
预充电流调节（涓流充电恒流模式）
前提电流
规
I
PREG
5
60
25
阈值的前提条件
电压
V
PTH
2.70
2.75
5.40
5.50
充电终止
充电终止
当前
I
TERM
6
70
32
自动充值
再充电阈值
电压
V
RTH
V
REG
-
300毫伏
V
REG
-
600毫伏
热敏电阻参考
热敏电阻参考
输出电压
热敏电阻参考
源出电流
热敏电阻的参考线
规
热敏电阻参考负载
规
热敏电阻比较
高门槛之旅
上跳变点迟滞
较低的阈值之旅
低跳变点迟滞
输入偏置电流
灌电流
低输出电压
输入漏电流
使能输入
输入高电压电平
输入低电平
输入漏电流
V
IH
V
IL
I
LK
1.4
—
—
—
—
0.01
—
0.8
1
V
V
μA
V
启用
= 12V
V
T1
V
T1HYS
V
T2
V
T2HYS
I
BIAS
I
SINK
V
OL
I
LK
1.18
—
0.59
—
—
4
—
—
1.25
-50
0.62
80
—
8
200
0.01
1.32
—
0.66
—
2
12
400
1
V
mV
V
mV
μA
mA
mV
μA
I
SINK
= 1毫安
I
SINK
= 0 mA时，V
STAT1,2
= 12V
V
THREF
2.475
2.55
2.625
V
T
A
= 25°C,
V
DD
= V
REG
（典型值） + 1V ，
I
THREF
= 0毫安
V
REG
-
200毫伏
V
REG
-
400毫伏
V
REG
100mV的
V
REG
-
200毫伏
V
V
MCP73861/3
MCP73862/4
V
BAT
HIGH到LOW
8.5
90
41
11
120
50
mA
mA
mA
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
10
120
50
2.80
2.85
5.60
5.70
15
180
75
2.90
2.95
5.80
5.90
mA
mA
mA
V
V
V
V
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
MCP73861/3,
V
SET
= V
SS
MCP73861/3,
V
SET
= V
DD
MCP73862/4,
V
SET
= V
SS
MCP73862/4,
V
SET
= V
DD
V
BAT
低到高
I
THREF
|(ΔV
THREF
/V
T
HREF
)|/
ΔV
DD
|ΔV
THREF
/V
T
HREF |
200
—
—
0.1
—
0.25
A
%/V V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V]至
12V
%
I
THREF
= 0 mA至0.20毫安
0.01
0.10
状态指示灯 - STAT1 ， STAT2
DS21893C第4页
2005年Microchip的科技公司
MCP73861/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
热关断
模温机
模温机
迟滞
T
SD
T
SDHYS
—
—
155
10
—
—
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
s
条件
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
UVLO启动延时
电流调节
过渡时间的
预处理
电流上升时间的
预处理
快速充电安全定时器
期
预充电流调节
预充电安全
定时器周期
充电终止
经过时间终止
期
状态指示灯
状态输出关断
状态输出开启
t
关闭
t
ON
—
—
—
—
200
200
s
s
I
SINK
= 1 mA至0毫安
I
SINK
= 0 mA至1毫安
t
TERM
2.2
3
3.8
小时
C
定时器
= 0.1 F
t
PRECON
45
60
75
分钟
C
定时器
= 0.1 F
t
延迟
t
上升
t
快
—
—
1.1
—
—
1.5
1
1
1.9
ms
ms
小时
V
BAT
＆ LT ; V
PTH
到V
BAT
＆ GT ; V
PTH
I
OUT
上升到90％的余
REG
C
定时器
= 0.1 F
符号
t
开始
民
—
典型值
—
最大
5
单位
ms
条件
V
DD
低到高
温度参数
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V 。
典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 16引脚，
4毫米×4mm的QFN
热阻， 16引脚SOIC
θ
JA
θ
JA
—
—
37
74
—
—
° C / W
° C / W
4层JC51-7标准板，
自然对流
4层JC51-7标准板，
自然对流
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2005年Microchip的科技公司
DS21893C第5页
MCP73861/2/3/4
先进的单或双电池，完全集成的锂离子/
锂聚合物充电管理控制器
特点
线性充电管理控制器
- 集成了晶体管
- 集成了电流检测
- 反向阻断保护
高精度预置电压调节： + 0.5 ％
四种预置电压调节选项：
- 4.1V, 4.2V –
MCP73861/3
- 8.2V, 8.4V –
MCP73862/4
可编程充电电流： 1.2A最大
可编程安全定时器充电
深度放电的电池预处理
自动结束的充电控制
可选的连续电池温度监视
充电状态输出可直接驱动LED
故障输出可直接驱动LED
自动断电
- 热调节
- 温度范围： -40 ° C至+ 85°C
封装： 16引脚， 4 ×4 QFN
16引脚SOIC
描述
MCP7386X系列器件是高级
线性充电管理控制器，适用于空间使用
有限的，成本敏感的应用。该器件
结合高精确度，恒定的电压和电流
调节，电池预充，电池温度
监控，高级安全定时器，自动充电
终止时，内部电流检测，反向阻断
保护，充电状态和故障指示在任何一个
采用节省空间的16引脚， 4× 4 QFN封装或16引脚SOIC
封装。 MCP7386X提供了一个完整的， fully-
功能齐全，独立充电管理解决方案
与外部元件的最小数量。
该MCP73861 / 3是用于利用应用
单节锂离子或锂聚合物电池
包，而MCP73862 / 4是用于双
串联锂离子或锂聚合物电池
包。该MCP73861 / 3有两个可选的电压 -
可调节选项（ 4.1V和4.2V ） ，使用
，焦炭或石墨阳极和与运营
输入电压范围为4.5V至12V的。该MCP73862 / 4
有两个可选的电压调节选项
可用（ 8.2V和8.4V ） ，与焦炭或石墨用途
阳极，并与输入电压范围内工作
8.7V至12V 。
在MCP73861间/ 2唯一的区别和
MCP73863 / 4 ，分别是充电的功能
状态输出（ STAT1 ）当一个充电周期已经
完成。该MCP73861 / 2闪光输出，而
在MCP73863 / 4关闭输出。请参阅
第5.2.1节“充电状态输出（ STAT1 ，
STAT2)”.
MCP7386X系列器件均工作
在-40 ° C至+ 85°C的环境温度范围。
应用
锂离子/锂聚合物电池充电器
个人数据助理（PDA ）
移动电话
手持式仪表
座式充电器
数码相机
MP3播放器
封装类型
STAT1
V
SS2
16引脚QFN
STAT2
16引脚SOIC
EN
STAT2
1
STAT1
2
V
SET
3
V
DD1
4
V
DD2
5
V
SS1
6
PROG
7
THREF
8
16
EN
15
V
SS2
14
V
BAT3
13
V
BAT2
12
V
BAT1
11
V
SS3
10
定时器
9
THERM
16 15 14 13
V
SET
1
V
DD2
2
V
DD2
3
V
SS1
4
5
PROG
6
THREF
7
THERM
8
定时器
EP
17
12 V
BAT3
11 V
BAT2
10 V
BAT1
9 V
SS3
2008 Microchip的技术公司
DS21893D第1页
MCP73861/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
V
DDN
..............................................................................13.5V
V
BATN
, V
SET
， EN ， STAT1 ， STAT2 w.r.t. V
SS
.................................................. ...............- 0.3至（Ⅴ
DD
+ 0.3)V
PROG ， THREF ， THERM ， TIMER w.r.t. V
SS
..............- 0.3 6V
最高结温，T
J
............内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
ESD保护所有引脚：
人体模型（ 1.5 kΩ的串联100 pF的） .... ≥ 4 kV的
机器模型（ 200 pF的，没有串联电阻） ........... 300V
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
电源输入
电源电压
电源电流
UVLO阈值开始
V
DD
I
SS
V
开始
4.5
8.7
—
—
4.25
8.45
UVLO停止阈值
V
停止
4.20
8.40
电压调节（恒压模式）
稳压输出电压
V
REG
4.079
4.179
8.159
8.358
4.1
4.2
8.2
8.4
4.121
4.221
8.241
8.442
V
V
V
V
MCP73861/3,
V
SET
= V
SS
MCP73861/3,V
SET
= V
DD
MCP73862/4,
V
SET
= V
SS
MCP73862/4,
V
SET
= V
DD
V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V ]
I
OUT
= 10毫安
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
线路调整
负载调整率
电源纹波衰减
|(ΔV
BAT
/
V
BAT
)| /ΔV
DD
|ΔV
BAT
/V
BAT
|
PSRR
—
—
—
—
—
输出反向泄漏
当前
快速充电电流
规
I
放电
—
0.025
0.01
60
42
28
0.23
0.25
0.25
—
—
—
1
%/V V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V ]至12V
I
OUT
= 10毫安
%
dB
dB
dB
A
I
OUT
= 10 mA至150毫安
V
DD
= [V
REG
(typ.)+1V]
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹至1千赫
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹到
10千赫
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹到1 MHz
V
DD
＆ LT ; V
BAT
= V
REG
（典型值）。
—
—
0.17
0.53
4.5
8.8
4.4
8.7
12
12
4
4
4.65
9.05
4.55
8.95
V
V
A
mA
V
V
V
V
MCP73861/3
MCP73862/4
残
操作
MCP73861/3
MCP73862/4
V
DD
低到高
MCP73861/3
MCP73862/4
V
DD
HIGH到LOW
符号
民
典型值
最大
单位
s
条件
电流调节（快速充电恒流模式）
I
REG
85
1020
425
100
1200
500
115
1380
575
mA
mA
mA
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
2008 Microchip的技术公司
DS21893D第3页
MCP73861/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
符号
民
典型值
最大
单位
s
mA
mA
mA
V
V
V
V
条件
预充电流调节（涓流充电恒流模式）
前提电流
规
I
PREG
5
60
25
阈值的前提条件
电压
V
PTH
2.70
2.75
5.40
5.50
充电终止
充电终止
当前
I
TERM
6
70
32
自动充值
再充电阈值
电压
V
RTH
V
REG
-
300毫伏
V
REG
-
600毫伏
热敏电阻参考
热敏电阻参考
输出电压
热敏电阻参考
源出电流
热敏电阻的参考线
规
热敏电阻参考负载
规
热敏电阻比较
高门槛之旅
上跳变点迟滞
较低的阈值之旅
低跳变点迟滞
输入偏置电流
灌电流
低输出电压
输入漏电流
使能输入
输入高电压电平
输入低电平
输入漏电流
V
IH
V
IL
I
LK
1.4
—
—
—
—
0.01
—
0.8
1
V
V
A
V
启用
= 12V
V
T1
V
T1HYS
V
T2
V
T2HYS
I
BIAS
I
SINK
V
OL
I
LK
1.18
—
0.59
—
—
4
—
—
1.25
-50
0.62
80
—
8
200
0.01
1.32
—
0.66
—
2
12
400
1
V
mV
V
mV
A
mA
mV
A
I
SINK
= 1毫安
I
SINK
= 0 mA时，V
STAT1,2
= 12V
V
THREF
2.475
2.55
2.625
V
T
A
= 25°C,
V
DD
= V
REG
（典型值） + 1V ，
I
THREF
= 0毫安
V
REG
-
200毫伏
V
REG
-
400毫伏
V
REG
100mV的
V
REG
-
200毫伏
V
V
MCP73861/3
MCP73862/4
V
BAT
HIGH到LOW
8.5
90
41
11
120
50
mA
mA
mA
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
10
120
50
2.80
2.85
5.60
5.70
15
180
75
2.90
2.95
5.80
5.90
PROG = OPEN
PROG = V
SS
PROG = 1.6千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
MCP73861/3,
V
SET
= V
SS
MCP73861/3,
V
SET
= V
DD
MCP73862/4,
V
SET
= V
SS
MCP73862/4,
V
SET
= V
DD
V
BAT
低到高
I
THREF
|(ΔV
THREF
/
V
THREF
)|/
ΔV
DD
|ΔV
THREF
/
V
THREF |
200
—
—
0.1
—
0.25
A
%/V V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1V]至
12V
%
I
THREF
= 0 mA至0.20毫安
0.01
0.10
状态指示灯 - STAT1 ， STAT2
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2008 Microchip的技术公司
MCP73861/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
热关断
模温机
模温机
迟滞
T
SD
T
SDHYS
—
—
155
10
—
—
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
s
条件
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
UVLO启动延时
电流调节
过渡时间的
预处理
电流上升时间的
预处理
快速充电安全定时器
期
预充电流调节
预充电安全
定时器周期
充电终止
经过时间终止
期
状态指示灯
状态输出关断
状态输出开启
t
关闭
t
ON
—
—
—
—
200
200
s
s
I
SINK
= 1 mA至0毫安
I
SINK
= 0 mA至1毫安
t
TERM
2.2
3
3.8
小时
C
定时器
= 0.1 F
t
PRECON
45
60
75
分钟
C
定时器
= 0.1 F
t
延迟
t
上升
t
快
—
—
1.1
—
—
1.5
1
1
1.9
ms
ms
小时
V
BAT
＆ LT ; V
PTH
到V
BAT
＆ GT ; V
PTH
I
OUT
上升到90％的余
REG
C
定时器
= 0.1 F
符号
t
开始
民
—
典型值
—
最大
5
单位
ms
条件
V
DD
低到高
温度参数
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
DD
= [V
REG
（典型值） + 0.3V ]至12V 。
典型值为+ 25 ° C，V
DD
= [V
REG
（典型值） + 1.0V ]
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 16引脚，
4毫米×4mm的QFN
热阻， 16引脚SOIC
θ
JA
θ
JA
—
—
47
86.1
—
—
° C / W
° C / W
4层JC51-7标准板，
自然对流
4层JC51-7标准板，
自然对流
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2008 Microchip的技术公司
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