添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第713页 > MCP73833-AMI/MF
MCP73833/4
独立线性锂离子/锂聚合物充电
管理控制器
特点
完整的线性充电管理控制器
- 集成了晶体管
- 集成了电流检测
- 集成了反向放电保护
恒定电流/恒定电压操作
具有热调节
高精度预置电压调节:
- 4.2V , 4.35V , 4.4V , 4.5V或+ 0.75 %
可编程充电电流: 1A最大
深度放电的电池预处理
- 可选择流动比率
- 可选择电压阈值
自动结束的充电控制
- 可选择的电流阈值
- 可选择安全时间段
自动充值
- 可选择电压阈值
两个充电状态输出
电池温度监控器
低压差线性稳压器模式
自动关断电源时,输入电源
删除
欠压锁定
许多可选择的选项可用于一
各种各样的应用:
- 请参阅
第1.0节“电气
特色」
对于可选择的选项
- 请参阅产品识别系统
标准选项
??可用的软件包:
- DFN - 10 (3毫米x 3毫米)
- MSOP - 10
描述
该MCP73833 / 4是一个非常先进的线性充电
适用于空间受限,成本使用管理控制器
敏感的应用。该MCP73833 / 4是可
一个10引脚3毫米x 3毫米DFN封装或10引脚,
MSOP封装。连同它的物理尺寸小,则
外部所需的组件品牌数量少
在MCP73833 / 4非常适合于便携式
应用程序。对于应用程序从一个USB充电
港口, MCP73833 / 4能够坚持所有
规范说明USB电源总线。
MCP73833 / 4器件采用恒定电流/恒定
电压充电算法,可选择提供预
荷兰国际集团和充电终止。该恒定电压
调节有四个选择: 4.20V ,
4.35V , 4.40V , 4.50V或者,以适应新出现的
电池充电需求。恒定电流
值设置一个外部电阻。该MCP73833 /
4限制充电电流根据管芯温度
在高功率或高环境温度条件。这
热调节能优化充电周期时间
保证器件的可靠性。
有几个选项可用于预处理
阈值,预值电流,充电
终止值和自动再充电阈值。
预充值和充电终止
值被设置为的比例或百分比,
设定恒定电流值。预
可设定
到100%
。请参阅
第1.0节“电气
特色」
可用选项和
“产品鉴定方法体系”
标准
选项。
该MCP73833 / 4完全超过环境规定
温度范围-40C至+ 85C的。
封装类型
DFN-10
V
DD
1
V
DD
2
STAT1
3
STAT2
4
V
SS
5
10
V
BAT
EP
11
9
V
BAT
8
THERM
7
PG( TE)的
6
PROG
10
9
8
7
6
V
BAT
V
BAT
THERM
PG( TE)的
PROG
应用
锂离子/锂聚合物电池充电器
个人数据助理
移动电话
数码相机
MP3播放器
蓝牙耳机
USB充电器
MSOP-10
V
DD
V
DD
STAT1
STAT2
V
SS
1
2
3
4
5
2009年Microchip的科技公司
DS22005B第1页
MCP73833/4
典型用途
1A锂离子电池充电器
V
IN
1 F
3
470Ω
4
470Ω
470Ω
STAT1 THERM
STAT2
PROG
V
SS
MCP73833
8
6
5
1 kΩ
牛逼的10kΩ
1,2 V
DD
V
BAT
9,10
1 F
+单
- 锂离子
CELL
7 PG
功能框图
V
DD
10 A
方向
控制
V
BAT
6 A
G=0.001
PROG
G=0.001
1 kΩ
当前
极限
+
-
参考
发电机
V
REF
(1.21V)
310 kΩ
72.7 kΩ
6 A
+
-
+
-
+
-
111 kΩ
10 kΩ
+
-
CA
前提
470.6 kΩ
48 kΩ
TERMINATIO
6 kΩ
代办ê
+
-
VA
157.3 kΩ
50 A
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
1 MΩ
121 kΩ
SHDN
收费
控制,
定时器,
状态
逻辑
175 kΩ
54 kΩ
STAT1
LDO
STAT2
V
SS
THERM
121 kΩ
UVLO
PG( TE)的
HTVT
470.6kΩ
LTVT
DS22005B第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP73833/4
1.0
电动
特征
*注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
........................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.....- 0.3至(Ⅴ
DD
+0.3)V
最高结温,T
J
。内部限制
储存温度.......................... -65C至+ 150C
ESD保护所有引脚:
人体模型( HBM )
( 1.5 kΩ的串联100 pF的) ...............................
4千伏
机器模型( MM )
( 200 pF的,没有串联电阻) ........................... 300V
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V
DD
= [V
REG
(典型值) + 0.3V ]至6V ,T
A
= -40 ° C至85°C 。
典型值为+ 25 ° C,V
DD
= [V
REG
(Typical)+1.0V]
参数
电源输入
电源电压
V
DD
3.75
V
REG
(典型
ical)+0.3V
电源电流
I
SS
UVLO阈值开始
UVLO停止阈值
UVLO迟滞
稳压输出电压
V
开始
V
停止
V
HYS
V
REG
3.4
3.3
4.168
4.318
4.367
4.467
线路调整
负载调整率
电源纹波衰减
|(ΔV
BAT
/V
BAT
)
/ΔV
DD
|
|ΔV
BAT
/ V
BAT
|
PSRR
电流调节(快速充电恒流模式)
快速充电电流调节
I
REG
90
900
最大输出电流限制
I
最大
100
1000
1200
110
1100
mA
mA
mA
PROG = 10 kΩ的
PROG = 1.0千欧
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
PROG < 833Ω
2000
150
100
50
3.55
3.45
100
4.20
4.35
4.40
4.50
0.10
0.10
58
47
25
6
6
3000
300
300
100
3.7
3.6
4.232
4.382
4.433
4.533
0.30
0.30
V
V
A
A
A
A
V
V
mV
V
V
V
V
%/V
%
dB
dB
dB
V
DD
=[V
REG
(典型值) + 1V]至
6V ,我
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA至百毫安
V
DD
=[V
REG
(Typical)+1V]
I
OUT
= 10毫安, 10Hz至1kHz的
I
OUT
= 10毫安, 10Hz到10kHz的
I
OUT
= 10毫安, 10Hz至1MHz的
V
DD
=[V
REG
(Typical)+1V]
I
OUT
= 10毫安
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
充电
充电完毕,待机
充电
充电完成
待机(无电池或PROG
浮动)
关机(V
DD
& LT ; V
BAT
V
DD
& LT ; V
停止
)
V
DD
低到高
V
DD
HIGH到LOW
符号
典型值
最大
单位
条件
电压调节(恒压模式,系统测试模式)
2009年Microchip的科技公司
DS22005B第3页
MCP73833/4
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V
DD
= [V
REG
(典型值) + 0.3V ]至6V ,T
A
= -40 ° C至85°C 。
典型值为+ 25 ° C,V
DD
= [V
REG
(Typical)+1.0V]
参数
前提流动比率
符号
I
PREG
/ I
REG
7.5
15
30
前提电压阈值
前提条件滞后
充电终止
充电终止电流比
I
TERM
/ I
REG
3.75
5.6
7.5
15
自动充值
充电电压阈值比
通晶体管的导通电阻
导通电阻
电池的放电电流
输出反向漏电流
I
放电
状态指示灯 - STAT1 , STAT2 , PG
灌电流
低输出电压
输入漏电流
PROG输入
充电阻抗范围
砂姜阻抗
热敏电阻偏置
热敏电阻电流源
热敏电阻比较
高门槛之旅
上跳变点迟滞
较低的阈值之旅
低跳变点迟滞
系统测试( LDO )模式
输入高电压电平
THERM输入漏电流
旁路电容
V
IH
I
SINK
C
BAT
(V
DD
-0.1)
典型值
10
20
40
100
66.5
71.5
100
5
7.5
10
20
94.0
96.5
300
最大
12.5
25
50
70
75
6.25
9.4
12.5
25
单位
%
%
%
%
%
%
mV
%
%
%
%
%
%
条件
PROG = 1.0 kΩ至10 kΩ的
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
预充电流调节(涓流充电恒流模式)
V
PTH
/ V
REG
V
物理层
64
69
V
BAT
低到高
V
BAT
HIGH到LOW
PROG = 1.0 kΩ至10 kΩ的
T
A
= -5 ° C至+ 55°C
V
RTH
/ V
REG
V
BAT
HIGH到LOW
R
DSON
V
DD
= 3.75V
T
J
= 105°C
PROG浮动
V
DD
& LT ; V
BAT
V
DD
& LT ; V
停止
充电完成
0.15
0.25
0.15
-5.5
15
0.4
0.01
2
2
2
-15
25
1
1
20
200
A
A
A
A
mA
V
A
I
SINK
V
OL
I
LK
R
PROG
R
PROG
1
70
I
SINK
= 4毫安
高阻抗, 6V引脚
最小阻抗为
待机
2 kΩ的<
THERM
< 50千欧
V
THERM
低到高
V
THERM
HIGH到LOW
I
THERM
V
T1
V
T1HYS
V
T2
V
T2HYS
47
1.20
0.235
50
1.23
-50
0.25
50
6
53
1.26
0.265
20
A
V
mV
V
mV
V
A
F
F
3
1
4.7
待用或系统测试模式
I
OUT
< 250毫安
I
OUT
> 250毫安
DS22005B第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP73833/4
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V
DD
= [V
REG
(典型值) + 0.3V ]至6V ,T
A
= -40 ° C至85°C 。
典型值为+ 25 ° C,V
DD
= [V
REG
(Typical)+1.0V]
参数
自动断电
自动断电进入
门槛
自动断电退出阈值
定时器使能输入( TE )
输入高电压电平
输入低电平
输入漏电流
热关断
模温机
管芯温度迟滞
T
SD
T
SDHYS
150
10
°C
°C
V
IH
V
IL
I
LK
2.0
0.01
0.6
1
V
V
A
V
TE
= 6V
V
PD
V
PDEXIT
V
BAT
+
50毫伏
V
BAT
+
150毫伏
V
V
2.3V < V
BAT
& LT ; V
REG
V
DD
落下
2.3V < V
BAT
& LT ; V
REG
V
DD
升起
符号
典型值
最大
单位
条件
AC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V
DD
= [V
REG
(典型值) + 0.3V ]至6V ,T
A
= -40 ° C至85°C 。
典型值为+ 25 ° C,V
DD
= [V
REG
(Typical)+1.0V]
参数
UVLO启动延时
电流调节
过渡时间预处理
电流上升时间预处理
比较预处理过滤器时间
终止比较过滤器时间
充电比较器滤波时间
热敏电阻比较器滤波器时间
定时器计时
定时器计时周期
t
过去
0
3.6
5.4
7.2
状态指示灯
状态输出关断
状态输出开启
t
关闭
t
ON
200
200
s
s
I
SINK
= 1 mA至0毫安
I
SINK
= 0 mA至1毫安
0
4.0
6.0
8.0
0
4.4
6.6
8.8
小时
小时
小时
小时
定时器禁用
t
延迟
t
上升
t
PRECON
t
TERM
t
收费
t
THERM
0.4
0.4
0.4
0.4
1.3
1.3
1.3
1.3
1
1
3.2
3.2
3.2
3.2
ms
ms
ms
ms
ms
ms
V
BAT
& LT ; V
PTH
到V
BAT
& GT ; V
PTH
I
OUT
上升到90%的余
REG
平均V
BAT
上升/下降
平均I
OUT
落下
平均V
BAT
落下
THERM平均上升/下降
符号
t
开始
典型值
最大
5
单位
ms
条件
V
DD
低到高
温度参数
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于V
DD
= [V
REG
(典型值) + 0.3V ]至6V 。
典型值为+ 25 ° C,V
DD
= [V
REG
(Typical)+1.0V]
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, MSOP- 10
热阻, DFN - 10 3毫米x 3毫米
θ
JA
θ
JA
113
41
° C / W
° C / W
4层JC51-7标准
板,自然对流
4层JC51-7标准
板,自然对流
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+85
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
2009年Microchip的科技公司
DS22005B第5页
查看更多MCP73833-AMI/MFPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCP73833-AMI/MF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
MCP73833-AMI/MF
Microchip(微芯)
22+
27957
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MCP73833-AMI/MF
Microchip Technology
2430+
32210
DFN
代理Microchip Technology专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
MCP73833-AMI/MF
MICROCHIP
21+
1000
20 VQFN
原装正品 力挺实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MCP73833-AMI/MF
MICROCHIP/微芯
1950+
6852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
MCP73833-AMI/MF
MICROCHIP/微芯
6330
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
MCP73833-AMI/MF
Microchip
23+
5681
10-DFN(3x3)
只做全新原装进口正品现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
MCP73833-AMI/MF
MICROCHIP
24+
68500
DFN10
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
MCP73833-AMI/MF
Microchip(微芯)
23+
700000
DFN-10(3x3)
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2891128682 复制

电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
MCP73833-AMI/MF
Microchip/微芯
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MCP73833-AMI/MF
MICROCHIP/微芯
21+
18600
10LDFN3x3
全新原装正品/质量有保证
查询更多MCP73833-AMI/MF供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!