MCP6V01/2/3
300 μA ，自动调零运算放大器
特点
高直流精度：
- V
OS
漂移： ±仅为50 nV / ° C（最大值）
- V
OS
： ± 2 μV （最大值）
- A
OL
130分贝（最低）
- PSRR 130分贝（最低）
- 共模抑制比130分贝（最低）
- E
ni
: 2.5 V
P-P
（典型值） ， F = 0.1 Hz至10 Hz
- E
ni
： 0.79 μVp -P （典型值） ， F = 0.01赫兹到1赫兹
低功耗和电源电压：
- I
Q
： 300 μA /放大器（典型值）
- 宽电源电压范围： 1.8V至5.5V
易于使用：
- 轨至轨输入/输出
- 增益带宽积： 1.3兆赫（典型值）
- 单位增益稳定
- 可在单路和双路
- 带片选（ CS ） ： MCP6V03
扩展温度范围： -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6V01 / 2/ 3系列
运算放大器具有输入偏移电压
修正了极低的失调和失调漂移。这些
器件具有很高的增益带宽积（ 1.3 MHz时，
典型值），可以有效地抑制开关噪声。他们是
单位增益稳定，没有1 / f噪声，并具有良好的
PSRR和CMRR 。这些产品具有操作
单电源电压可低至1.8V ，而绘图
300 μA /放大器（典型值）的静态电流。
Microchip Technology Inc.的MCP6V01 / 2/3的运算放大器
单（ MCP6V01 ）提供，带片
选择（CS） （ MCP6V03 ） ，和双（ MCP6V02 ） 。他们
被设计在先进的CMOS工艺。
封装类型（俯视图）
MCP6V01
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6V01
的2x3 TDFN *
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
EP
9
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
典型应用
便携式仪表
传感器调节
温度测量
直流偏移校正
医疗器械
MCP6V02
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP6V02
4×4 DFN *
V
OUTA
1
EP
9
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
7 V
OUTB
V – 2
INA
6 V
INB
– V +
3
INA
5 V
INB
+
V
SS
4
MCP6V03
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6V03
的2x3 TDFN *
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
EP
9
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
相关配件
MCP6V06 / 7/8 ：非扩频时钟，低噪音
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
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DS22058C第1页
MCP6V01/2/3
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.2.1节“轨至轨输入” 。
V
DD
– V
SS
.......................................................................6.5V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+和V
IN
–) ... V
SS
= 1.0V至V
DD
+1.0V
所有其它输入和输出............ V
SS
- 0.3V至V
DD
+0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度...................................- 65 ° C至+ 150°C
马克斯。结温........................................ + 150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ， MM ）
................≥
4千伏， 300V
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
表1-1：
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 20 kΩ到V
L
和CS = GND （参照
图1-5
和
图1-6） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调电压温度漂移
（线性温度有限公司）
输入失调电压二次温度。公司
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
在整个温度输入偏置电流
输入失调电流
输入失调整个温度电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制
符号
V
OS
TC
1
TC
2
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
I
OS
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
民
-2.0
-50
—
130
—
—
—
—
—
-1000
—
—
V
SS
0.20
130
典型值
—
—
±0.1
143
±1
60
600
-30
-50
-75
10
13
||6
10
13
||6
—
142
最大
+2.0
+50
—
—
—
—
5000
—
—
1000
—
—
V
DD
+ 0.20
—
单位
V
内华达州/ ℃，
条件
T
A
= +25°C
（注1 ）
T
A
= -40至+ 125°C
（注1 ）
（注1 ）
内华达州/ ℃，
2
T
A
= -40至+ 125°C
dB
pA
pA
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
（注2 ）
V
DD
= 1.8V,
V
CM
= -0.2V至2.0V
（注
1 ，注2 ）
V
DD
= 5.5V,
V
CM
= -0.2V至5.7V
（注
1 ，注2 ）
V
DD
= 1.8V,
V
OUT
= 0.2V至1.6V
（注1 ）
V
DD
= 5.5V,
V
OUT
= 0.2V至5.3V
（注1 ）
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
CMRR
140
152
—
dB
开环增益
直流开环增益（大信号）
A
OL
A
OL
注1 ：
2:
130
140
145
156
—
—
dB
dB
根据设计和表征。由于在生产环境中的热结等效果，这些部件
只能在生产中进行筛选（除了TC
1
;看
附录B ： “与失调相关的测试筛选标准” ） 。
图2-18
展示了如何V
CMR
在整个温度变化的前三个生产批次。
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DS22058C第3页
MCP6V01/2/3
表1-1：
直流电气规范（续）
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 20 kΩ到V
L
和CS = GND （参照
图1-5
和
图1-6） 。
参数
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
上电复位电压跳闸
注1 ：
2:
符号
V
OL
, V
OH
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
V
POR
民
V
SS
+ 15
—
—
1.8
200
1.15
典型值
—
±7
±22
—
300
—
最大
V
DD
15
—
—
5.5
400
1.65
单位
mV
mA
mA
V
A
V
I
O
= 0
条件
G = 2 ， 0.5V的输入过载
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
根据设计和表征。由于在生产环境中的热结等效果，这些部件
只能在生产中进行筛选（除了TC
1
;看
附录B ： “与失调相关的测试筛选标准” ） 。
图2-18
展示了如何V
CMR
在整个温度变化的前三个生产批次。
表1-2：
AC电气规格
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 20 kΩ到V
L
, C
L
= 60 pF的，和CS = GND （参照
图1-5
和
图1-6） 。
参数
放大器交流响应
增益带宽积
压摆率
相位裕度
放大器噪声响应
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
放大器失真（注1 ）
互调失真（ AC）
放大器阶跃响应
启动时间
失调校正稳定时间
输出过驱动恢复时间
注1 ：
2:
符号
增益带宽积
SR
PM
E
ni
E
ni
e
ni
e
ni
i
ni
IMD
IMD
t
STR
t
STL
t
ODR
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
1.3
0.5
65
0.79
2.5
120
45
0.6
<1
<1
500
300
100
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
兆赫
V / μs的
°
V
P-P
V
P-P
G = +1
条件
F = 0.01 Hz至1赫兹
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F <为2.5 kHz
内华达州/ √Hz的F = 100千赫
FA / √Hz的
V
PK
V
PK
s
s
s
V
CM
音= 50 mV的
PK
在1 kHz ，G
N
= 1, V
DD
= 1.8V
V
CM
音= 50 mV的
PK
在1 kHz ，G
N
= 1, V
DD
= 5.5V
V
OS
在50 μV其最终值的
G = 1 ，V
IN
步2V的，
V
OS
在50 μV其最终值的
G = -100 ， ± 0.5V的输入过驱动到V
DD
/2,
V
IN
50 ％点到V
OUT
90 ％点
（注2 ）
使用该电路中这些参数进行表征
图1-7 。图2-37
和
图2-38
同时显示的IMD
音在DC和残差音AT1千赫;所有其他IMD和时钟音调都可通过随机化电路传播。
t
ODR
包括由于时钟边沿时序的一些不确定性。
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MCP6V01/2/3
表1-3：
数字电气规范
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 20 kΩ到V
L
, C
L
= 60 pF的，和CS = GND （参照
图1-5
和
图1-6） 。
参数
CS下拉电阻（ MCP6V03 ）
CS下拉电阻
CS低电平规范（ MCP6V03 ）
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格（ MCP6V03 ）
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流每
扩音器
符号
R
PD
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
SS
I
SS
民
3
V
SS
—
典型值
5
—
5
最大
—
0.3V
DD
—
单位
MΩ
V
pA
CS = V
SS
条件
0.7V
DD
—
—
—
—
—
V
DD
/R
PD
-0.7
-2.3
20
V
DD
—
—
—
—
V
pA
A
A
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
, V
DD
= 1.8V
CS = V
DD
, V
DD
= 5.5V
CS = V
DD
CS为低电平= V
SS
+0.3 V， G = + 1V / V ，
V
OUT
= 0.9 V
DD
/2
CS高= V
DD
- 0.3 V ， G = + 1V / V ，
V
OUT
= 0.1 V
DD
/2
放大器输出泄漏， CS高I
O_LEAK
CS动态规范（ MCP6V03 ）
CS低电平到放大器输出
开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
内部迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
11
10
0.25
100
—
—
s
s
V
表1-4：
温度参数
参数
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
电气特性：
V ：除非另有说明，所有参数适用于指定
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
民
-40
-40
-65
—
—
—
典型值
—
—
—
41
44
150
最大
+125
+125
+150
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
（注2 ）
（注1 ）
条件
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，8引脚2x3 TDFN
热阻，8 - DFN 4×4
热阻，8 - SOIC
注1 ：
2:
工作时，不能将造成T
J
超过最大结温规范（ 150 ° C） 。
上测量标准JC51-7 ， 4层印刷电路板与地平面和过孔。
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