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MCP6H81/2/4
5.5兆赫, 12V运算放大器
产品特点:
输入失调电压: ± 1 mV(典型值)
静态电流:0.7 mA(典型值)
共模抑制比:100分贝(典型值)
电源抑制比: 102分贝(典型值)
轨到轨输出
电源电压范围:
- 单电源供电: 3.5V至12V
- 双电源供电: ± 1.75V至± 6V
增益带宽积: 5.5兆赫(典型值)
压摆率: 5 V / μs(典型值)
单位增益稳定
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述:
Microchip的MCP6H81 / 2/4系列的操作
放大器(运放)具有宽电源电压范围
的3.5V至12V和轨到轨输出操作。这
家庭是单位增益稳定,具有增益带宽
5.5兆赫(典型值)的产品。这些器件工作
用单电源电压高达12V,而只
绘制静态电流为0.7毫安/放大器(典型值) 。
该MCP6H81 / 2/4系列提供单
( MCP6H81 ) ,双( MCP6H82 )和四( MCP6H84 )
配置。所有的设备都在全力规定
扩展温度范围从-40 ° C至+ 125°C 。
封装类型
MCP6H81
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
应用范围:
汽车电力电子
工业控制设备
电池供电系统
传感器调节
MCP6H82
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
设计辅助工具:
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
MAPS ( Microchip高级器件选型)
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6H81
的2x3 TDFN
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
EP
9
8 NC
7 V
DD
5 NC
MCP6H82
的2x3 TDFN
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
SS
4
EP
9
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
6 V
OUT
V
INA
+ 3
典型用途
R
1
V
1
V
DD
V
OUT
R
2
V
REF
MCP6H84
SOIC , TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
8 V
OUTC
MCP6H81
V
2
R
1
R
2
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
差分放大器
2012 Microchip的技术公司
DS22320B第1页
MCP6H81/2/4
注意事项:
DS22320B第2页
2012 Microchip的技术公司
MCP6H81/2/4
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
.......................................................................13.2V
在输入引脚电流.............................................. ........ ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+, V
IN
-).............V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出............ V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压.......................................... V
DD
– V
SS
输出短路电流连续...................................
电流输出和电源引脚.............................. ± 65毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
)...........................+150°C
2千伏;所有引脚( MM HBM ) ESD保护; 200V
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种操作列表说明
规范是不是暗示。暴露于最高
额定条件下长时间可能会影响
器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节,输入电压限制。
DC电气规格
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 3.5V至+ 12V ,V
SS
= GND ,T
A
= +25°C,
V
CM
= V
DD
/2 - 1.4V, V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kto V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
V
SS
– 0.3
76
80
80
开环增益
直流开环增益(大信号)
A
OL
100
120
dB
0.2V < V
OUT
< (V
DD
– 0.2V)
95
97
100
V
DD
– 2.5
V
dB
dB
dB
V
CM
= -0.3V至1.0V ,
V
DD
= 3.5V
V
CM
= -0.3V至2.5V ,
V
DD
= 5V
V
CM
= -0.3V至9.5V ,
V
DD
= 12V
I
OS
Z
CM
Z
差异
10
400
9
±1
10
13
||6
10
13
||6
25
pA
pA
nA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
OS
V
OS
/T
A
PSRR
-4
82
±1
±2.5
102
4
mV
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C
dB
符号
典型值
最大
单位
条件
2012 Microchip的技术公司
DS22320B第3页
MCP6H81/2/4
直流电气规范(续)
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 3.5V至+ 12V ,V
SS
= GND ,T
A
= +25°C,
V
CM
= V
DD
/2 - 1.4V, V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kto V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
产量
高电平输出电压
V
OH
3.490
4.985
11.970
低电平输出电压
V
OL
输出短路电流
I
SC
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
DD
I
Q
3.5
±1.75
0.7
12
±6
1.3
V
V
mA
单电源供电
双电源供电
I
O
= 0, V
CM
= V
DD
/4
3.495
4.993
11.980
0.005
0.007
0.020
±33
±53
±55
0.010
0.015
0.030
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
DD
= 3.5V
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 5V
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 12V
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 3.5V
0.5 V的输入过驱动
V
DD
= 5V
0.5 V的输入过驱动
V
DD
= 12V
0.5 V的输入过驱动
V
DD
= 3.5V
V
DD
= 5V
V
DD
= 12V
符号
典型值
最大
单位
条件
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 3.5V至+ 12V ,V
SS
= GND ,
V
CM
= V
DD
/2 - 1.4V, V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kto V
L
和C
L
= 60 pF的。 (参考
图1-1) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
E
ni
i
ni
10
23
12
1.9
μVp -P
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 10千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
5.5
60
5
兆赫
°C
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
DS22320B第4页
2012 Microchip的技术公司
MCP6H81/2/4
温度参数
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 3.5V至+ 12V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻,8 - SOIC
热阻,8引脚2x3 TDFN
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
JA
JA
JA
JA
149.5
52.5
95.3
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-65
+125
+150
°C
°C
注1
符号
典型值
最大
单位
条件
注1 :
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.2
测试电路
C
F
6.8 pF的
R
G
100 k
V
P
V
IN +
MCP6H8X
V
IN-
V
M
R
G
100 k
R
F
100 k
C
F
6.8 pF的
V
OUT
R
L
10 k
C
L
60 pF的
C
B1
100 nF的
R
F
100 k
V
DD
C
B2
1 F
V
DD
/2
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-1 。
该电路可独立设置V
CM
V
OUT
(参照
公式1-1 ) 。
需要注意的是V
CM
是不
电路的共模电压( (V
P
+ V
M
)/ 2) ,而
V
OST
包括V
OS
加的影响(对输入的偏移
错误,V
OST
)的温度, CMRR , PSRR和A
OL
.
公式1-1:
G
DM
=
R
F
R
G
V
CM
=
V
P
+ V
DD
2
2
V
OUT
=
V
DD
2
+
V
P
V
M
+ V
OST
1 + G
DM
其中:
G
DM
=差模增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
(V/V)
(V)
(毫伏)
V
OST
=
V
IN-
V
IN +
V
L
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
2012 Microchip的技术公司
DS22320B第5页
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