MCP6G01/1R/1U/2/3/4
110 μA可选增益放大器
特点
3增益选择：
- +1, +10, +50 V/V
每一个放大器增益选择输入
轨至轨输入和输出
低增益误差： ± 1 ％ （最大值）。
高带宽： 250 kHz至900 kHz（典型值）。
低电源电流： 110 μA （典型值）。
单电源： 1.8V至5.5V
扩展温度范围： -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6G01 / 1R / 1U / 2 /3/4
是模拟可选增益放大器（ SGA ） 。他们可以
为+1 V / V增益配置， + 10V / V和
+50 V / V通过增益选择输入引脚（S ） 。芯片
在MCP6G03选择引脚可以把它变成关机
节省电力。这些策略性增长地区是单一的优化
电源应用中，需要合理的静态
电流和速度。
单放大器MCP6G01 ， MCP6G01R ，
MCP6G01U和MCP6G03 ，采用5引脚可用
SOT- 23封装和双放大器MCP6G02 ，是
采用8引脚SOIC和MSOP封装。该
四通道放大器MCP6G04提供14引脚SOIC封装
和TSSOP封装。所有部件都从完全指定
-40 ° C至+ 125°C 。
典型应用
A / D转换器驱动器
工业仪器仪表
条形码阅读器
测光
数码相机
封装类型
MCP6G01
SOIC ， MSOP
NC 1
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
GSEL 2
V
IN
3
V
SS
4
框图
V
DD
V
IN
收益
开关
增益选择
逻辑
5 MΩ
CS
(MCP6G03
只）
V
SS
收益
(V/V)
1
10
50
注意：
0
V
DD
V
SS
被假定为0V
GSEL电压（典型值）。
(V)
V
DD
/ 2 （或打开）
梯形电阻
(R
LAD
)
R
F
V
OUT
3
MCP6G03
SOIC ， MSOP
NC 1
GSEL 2
V
IN
3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6G01
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
3
MCP6G02
SOIC ， MSOP
5 V
DD
V
OUTA
1
GSEL
A
2
4 GSEL
V
INA
3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 GSEL
B
5 V
INB
GSEL
R
G
MCP6G01R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
3
5 V
SS
MCP6G04
SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 GSEL
D
12 V
IND
11 V
SS
10 V
INC。
9 GSEL
C
8 V
OUTC
GSEL
A
2
4 GSEL
V
INA
3
V
DD
4
V
INB
5
V
OUTB
7
4 V
OUT
MCP6G01U
SOT-23-5
V
IN
1
V
SS
2
GSEL 3
5 V
DD
GSEL
B
6
2006年Microchip的科技公司
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1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.4节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
目前在模拟输入引脚（V
IN
)
......................................±2
mA
模拟输入（ V
IN
) ..................... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出........... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出短路电流连续...................................
电流输出和电源引脚
................................ ±30
mA
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
4千伏; 200V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，G = + 1V / V ，
V
IN
= （ 0.3V ） / G，R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 ， GSEL = V
DD
/ 2和CS接低电平。
参数
放大器输入端（V
IN
)
输入失调电压
输入失调电压漂移
电源抑制比
输入偏置电流
输入偏置电流
温度
输入阻抗
放大器增益器
名义收益
DC增益误差G = 1
G
≥
+10
DC增益漂移
G = +1
G
≥
+10
梯形电阻
（注1 ）
梯形电阻
梯形电阻
整个温度范围
扩增fi er输出
直流输出非线性
G = +1
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
Z
IN
G
g
E
g
E
△G / ΔT
A
△G / ΔT
A
R
LAD
ΔR
LAD
/ΔT
A
民
–4.5
—
—
65
—
—
—
—
—
–0.3
–1.0
—
—
200
—
典型值
±1.0
±1.0
±2
80
1
30
1000
10
13
||6
150的
—
—
±1
±4
350
–1800
最大
+4.5
—
—
—
—
—
5000
—
—
+0.3
+1.0
—
—
500
—
单位
mV
mV
μV/°C
dB
pA
pA
pA
Ω|| pF的
V/V
%
%
PPM /°C的
PPM /°C的
kΩ
PPM /°C的
G = +1
条件
G = +10, +50
G = 1 ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C
G = +1
（注1 ）
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
1 ， +10或+50
V
OUT
≈
0.3V至V
DD
0.3V
V
OUT
≈
0.3V至V
DD
0.3V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
ONL
V
ONL
–0.2
–0.1
–0.05
V
SS
+10
V
SS
+10
—
—
—
—
—
—
—
±7
±20
+0.2
+0.1
+0.05
V
DD
–10
V
DD
–10
—
—
％ FSR的V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V,
V
DD
= 1.8V
％ FSR的V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V,
V
DD
= 5.5V
％ FSR的V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V
mV
mV
mA
mA
G = 1 ; 0.3V输出过载
G
≥
10 ; 0.5V输出过载
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
直流输出非线性，G = 10 ， 50
最大输出电压摆幅
短路电流
注1 ：
V
ONL
V
OH
, V
OL
V
OH
, V
OL
I
SC
I
SC
2:
R
LAD
(R
F
+R
G
in
图4-1 ）
连接V
SS
, V
OUT
内部放大器，和反相输入端。因此，V
SS
连接
到内部放大器和PSRR规格描述PSRR +只。因此建议在V
SS
引脚直接连接
接地，以避免噪声问题。
I
Q
包括目前在研发
LAD
（通常为0.6 μA在V
OUT
= 0.3V ） ，并且不包括数字开关电流。
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MCP6G01/1R/1U/2/3/4
直流电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，G = + 1V / V ，
V
IN
= （ 0.3V ） / G，R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 ， GSEL = V
DD
/ 2和CS接低电平。
参数
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 ：
符号
V
DD
I
Q
民
1.8
60
典型值
—
110
最大
5.5
170
单位
V
A
条件
I
O
= 0
（注2 ）
2:
R
LAD
(R
F
+R
G
in
图4-1 ）
连接V
SS
, V
OUT
内部放大器，和反相输入端。因此，V
SS
连接
到内部放大器和PSRR规格描述PSRR +只。因此建议在V
SS
引脚直接连接
接地，以避免噪声问题。
I
Q
包括目前在研发
LAD
（通常为0.6 μA在V
OUT
= 0.3V ） ，并且不包括数字开关电流。
AC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，G = + 1V / V ，
V
IN
= （ 0.3V ） / G，R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的， GSEL = V
DD
/ 2和CS接低电平。
参数
频率响应
-3dB带宽
符号
BW
BW
BW
民
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
900
350
250
0.3
0
0.7
0.0029
0.18
1.3
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
千赫
千赫
dB
dB
dB
%
%
%
条件
G = 1 ，V
OUT
< 100毫伏
P-P
（注1 ）
G = 10 ，V
OUT
< 100毫伏
P-P
（注1 ）
G = 50 ，V
OUT
< 100毫伏
P-P
（注1 ）
G = 1 ; V
OUT
< 100毫伏
P-P
G = 10 ，V
OUT
< 100毫伏
P-P
G = 50 ; V
OUT
< 100毫伏
P-P
V
OUT
= 1.75V ± 1.4V
PK
, V
DD
= 5.0V,
BW = 80 kHz的
V
OUT
= 2.5V ± 1.4V
PK
, V
DD
= 5.0V,
BW = 80 kHz的
V
OUT
= 2.5V ± 1.4V
PK
, V
DD
= 5.0V,
BW = 80 kHz的
G=1
G = 10
G = 50
F = 0.1赫兹到10赫兹
（注2 ）
F = 0.1赫兹至30千赫兹
（注2 ）
增益峰值
GPK
GPK
GPK
总谐波失真加噪声
F = 1 kHz时， G = + 1V / V
F = 1 kHz时， G = + 10V / V
F = 1 kHz时， G = + 50V / V
阶跃响应
压摆率
SR
SR
SR
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
E
ni
E
ni
e
ni
e
ni
e
ni
输入噪声电流密度
注1 ：
2:
i
ni
—
—
—
—
—
—
9
50
38
46
41
4
—
—
—
—
—
—
V
P-P
V
P-P
—
—
—
0.50
2.3
4.5
—
—
—
V / μs的
V / μs的
V / μs的
THD + N
THD + N
THD + N
内华达州/ √Hz的G = + 1V / V ， F = 10千赫
（注2 ）
内华达州/ √Hz的G = 10 V / V， F = 10千赫
（注2 ）
内华达州/ √Hz的G = 50 V / V， F = 10千赫
（注2 ）
FA / Hz F = 10千赫
SEE
表4-1
对于典型的号码的列表和
图2-31
对于频率响应与增益。
E
ni
与ê
ni
包括梯形电阻的热噪声。
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数码电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，G = + 1V / V ，V
IN
= （ 0.3V ） / G ，
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的， GSEL = V
DD
/ 2和CS接低电平。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
每个放大器的静态电流，
关断模式（I
DD
)
每个放大器的静态电流，
关断模式（I
SS
)
（注3）
CS动态规范
输入电容
输入上升/下降时间
CS低电平到放大器输出高
开启时间
符号
V
CSL
I
CSL
V
CSH
I
CSH
I
DD_SHDN
I
SS_SHDN
I
SS_SHDN
C
CS
t
CSRF
t
CSON
t
CSON
民
0
—
0.8V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.15V
DD
0.65V
DD
–10
+1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
30
—
0.8
120
–2.4
–7.2
10
—
40
7
30
0.40
0.55
—
—
—
—
8
—
45
95
10
12
9
8
最大
0.2V
DD
—
V
DD
—
—
—
—
—
2
—
—
—
—
—
0.35V
DD
0.85V
DD
–1.5
+10
—
10
—
—
—
—
—
—
单位
V
pA
V
A
pA
A
A
pF
s
s
s
s
V
V
V
V
A
A
pF
s
mV
mV
s
s
s
s
（注2 ）
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
（注2 ）
CS = 0V
CS = 0V
CS = V
DD
条件
CS = V
DD
= 5.5V
CS = V
DD
， MCP6G03
CS = V
DD
= 1.8V ， MCP6G03
CS = V
DD
= 5.5V ， MCP6G03
G = + 1V / V ，V
DD
= 1.8V, V
IN
= 0.9V
DD
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.8V
DD
G = + 1V / V ，V
DD
= 5.5V, V
IN
= 0.9V
DD
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.8V
DD
G = + 1V / V ，V
IN
= V
DD
/2,
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= 0.1V
DD
/2
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
获得1和10之间变化，
I
GSEL
= 0
增益1和50之间变化，
I
GSEL
= 0
GSEL电压= 0.3V
DD
GSEL电压= 0.7V
DD
CS高电平到放大器输出高阻
打开-O FF时间
迟滞
GSEL规格（注1 ）
GSEL逻辑阈值低
GSEL逻辑阈值，高
GSEL输入电流，低
GSEL输入电流，高
输入电容
输入上升/下降时间
迟滞
GSEL低有效输出时间，
G = 1到10中选择
GSEL中，以有效输出时间，
G = 10 ，以1选择
GSEL高到有效输出时间，
G = 1到50中选择
GSEL中，以有效输出时间，
G = 50 ，以1选择
注1 ：
2:
3:
t
CSOFF
V
CSHY
V
CSHY
V
GSL
V
GSH
I
GSL
I
GSH
C
GSEL
t
GSRF
V
GSHY
V
GSHY
t
GSL1
t
GSM10
t
GSH1
t
GSM50
GSEL动态规范（注1 ）
V
IN
= 150 mV时，
GSEL = 0.25V
DD
到V
OUT
= 1.37V
V
IN
= 150 mV时，
GSEL = 0.25V
DD
到V
OUT
= 0.28V
V
IN
= 30 mV时，
GSEL = 0.75V
DD
到V
OUT
= 1.35V
V
IN
= 30 mV时，
GSEL = 0.75V
DD
到V
OUT
= 0.18V
GSEL是一个三电平输入引脚。增益为10时其电压低时， 1时，它是在中间就给，和50 ，当它是高的。
在生产中测试。根据设计和表征。
I
SS_SHDN
包括当前通过CS引脚中，R
L
和R
LAD
和不包括数字开关电流。块dia-
克上的页面显示，这些电流通路（通过V
SS
).
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MCP6G01/1R/1U/2/3/4
数字电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= 25 ° C，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，G = + 1V / V ，V
IN
= （ 0.3V ） / G ，
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的， GSEL = V
DD
/ 2和CS接低电平。
参数
GSEL高到有效输出时间，
G = +10至+50选择
GSEL低有效输出时间，
G = +50到+10选
注1 ：
2:
3:
符号
t
GSH10
t
GSL50
民
—
—
典型值
12
9
最大
—
—
单位
s
s
条件
V
IN
= 30 mV时，
GSEL = 0.75V
DD
到V
OUT
= 1.38V
V
IN
= 30 mV时，
GSEL = 0.25V
DD
到V
OUT
= 0.42V
GSEL是一个三电平输入引脚。增益为10时其电压低时， 1时，它是在中间就给，和50 ，当它是高的。
在生产中测试。根据设计和表征。
I
SS_SHDN
包括当前通过CS引脚中，R
L
和R
LAD
和不包括数字开关电流。块dia-
克上的页面显示，这些电流通路（通过V
SS
).
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
–40
–40
–65
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
256
163
206
120
100
最大
+125
+125
+150
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
条件
（注1 ）
该MCP6G01 / 1R / 1U / 2/ 3/4系列策略性增长地区的工作在这个温度范围内，但操作一定不能将造成T
J
to
超过最大结温（ + 150 ° C） 。
V
IN
0.150V
0.030V
GSEL
t
GSL1
1.50V
V
OUT
0.15V
0.15V
0.03V
t
GSM10
t
GSH1
1.50V
0.30V
0.03V
t
GSM50
t
GSH10
t
GSL50
1.50V
0.30V
图1-1：
增益选择时序图。
2006年Microchip的科技公司
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QQ：2881677436 复制
