MCP661/2/3/5
60兆赫， 6毫安运算放大器
特点
增益带宽积： 60兆赫（典型值）
短路电流90 mA（典型值）
噪声： 6.8纳伏/ √Hz的（典型的，在1 MHz ）
轨到轨输出
压摆率： 32 V / μs（典型值）
电源电流6.0 mA（典型值）
电源： 2.5V至5.5V
扩展级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
描述
该微芯科技公司MCP661 / 2/3/ 5系列
运算放大器具有高增益带宽
产品（ 60 MHz，典型值）和高输出短路
电流（90 mA，典型值） 。有些还提供了全片
选择引脚（CS ） ，它支持的一个低功率模式
操作。这些放大器的高优化
速度快，低噪音和失真，单电源
工作模式，轨到轨输出和输入的
包括负电源轨。
该系列单（ MCP661 ）提供，具有单
CS引脚（ MCP663 ） ，双（ MCP662 ）和双用
2 CS引脚（ MCP665 ） 。所有器件均工作
从-40 ° C至+ 125°C 。
典型应用
驱动A / D转换器
功率放大器控制回路
条码扫描器
光电检测放大器
典型应用电路
V
DD
/2
V
IN
R
1
R
3
MCP66X
高增益功率驱动器
R
2
V
OUT
R
L
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP661
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP662
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP663
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP665
MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
CS
A
5
10 V
DD
9 V
OUTB
8 V
INB
–
7 V
INB
+
6 CS
B
MCP662
3×3 DFN *
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
V
OUTA
V
INA
–
V
INA
+
V
SS
CS
A
1
2
3
4
5
MCP665
3×3 DFN *
10
V
DD
9
8
7
6
V
OUTB
V
INB
–
V
INB
+
CS
B
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS22194A第1页
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1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
V
DD
– V
SS
.......................................................................6.5V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+和V
IN
–) . V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出.......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚.......................... ± 150毫安
储存温度...................................- 65 ° C至+ 150°C
马克斯。结温........................................ + 150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ， MM ）
................≥
1千伏， 200V
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
表1-1：
电气特性：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 kΩ到V
L
和CS = V
SS
（参照
科幻gure 1-2） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调电压漂移
电源抑制比
输入电流和阻抗
输入偏置电流
整个温度范围
整个温度范围
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
A
OL
A
OL
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
民
-8
—
61
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
64
66
88
94
V
SS
+ 25
V
SS
+ 50
±45
±40
2.5
3
典型值
±1.8
±2.0
76
6
130
1700
±10
10
13
||9
10 ||2
—
79
81
117
126
—
—
±90
±80
—
6
13
最大
+8
—
—
—
—
5,000
—
—
—
V
DD
1.3
—
—
—
—
V
DD
25
V
DD
50
±145
±150
5.5
9
单位
条件
mV
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
mA
mA
V
mA
空载电流
（注1 ）
V
DD
= 2.5V, V
CM
= -0.3 1.2V
V
DD
= 5.5V, V
CM
= -0.3 4.2V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 0.3V至2.2V
V
DD
= 5.5V, V
OUT
= 0.3V至5.2V
V
DD
= 2.5V ，G = 2 ，
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 5.5V ，G = 2 ，
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 2.5V
（注2 ）
V
DD
= 5.5V
（注2 ）
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 ：
2:
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
SEE
图2-5
对温度的影响。
在我
SC
规格仅供设计参考;他们没有经过测试。
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表1-4：
温度参数
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
电气特性：
V ：除非另有说明，所有参数适用于指定
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
民
-40
-40
-65
—
—
—
—
典型值
—
—
—
60
149.5
57
202
最大
+125
+125
+150
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
（注2 ）
（注2 ）
（注1 ）
条件
封装热阻
热阻，8 -3X3 DFN
热阻，8 - SOIC
热阻， 10L -3X3 DFN
热阻，10 - MSOP
注1 ：
2:
工作时，不能将造成T
J
超过最大结温规范（ 150 ° C） 。
上测量标准JC51-7 ， 4层印刷电路板与地平面和过孔。
1.3
时序图
0 nA的
（典型值）
V
IL
t
ON
V
OUT
高-Z
-1 A
（典型值）
On
-6毫安
（典型值）
V
IH
t
关闭
高-Z
-1 A
（典型值）
公式1-1：
G
DM
= R
F
R
G
V
CM
=
(
V
P
+ V
DD
2
)
2
I
CS
CS
1 A
（典型值）
1 A
（典型值）
V
OUT
=
(
V
DD
2
)
+
(
V
P
–
V
M
)
+ V
OST
(
1 + G
DM
)
其中：
G
DM
=差模增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
(V/V)
(V)
（毫伏）
V
OST
= V
IN-
–
V
IN +
I
SS
图1-1：
时序图。
C
F
6.8 pF的
R
G
10 kΩ
V
P
V
IN +
MCP66X
V
IN-
V
M
R
G
10 kΩ
R
F
10 kΩ
C
F
6.8 pF的
R
L
1 kΩ
V
OUT
C
L
20 pF的
C
B1
100 nF的
R
F
10 kΩ
V
DD
1.4
测试电路
V
DD
/2
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-2 。
该电路可独立设置V
CM
和
V
OUT
;看
公式1-1 。
需要注意的是V
CM
是不
电路的共模电压（ （V
P
+ V
M
）/ 2） ，而
V
OST
包括V
OS
加的影响（对输入的偏移
错误，V
OST
）的温度， CMRR ， PSRR和A
OL
.
C
B2
2.2 F
V
L
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
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