MCP65R41/6
3 μA比较器，集成基准电压
特点
出厂设置参考电压
- 可用电压： 1.21V和2.4V
- 公差： ± 1 ％ （典型值）
低静态电流： 2.5 μA （典型值）
传播延迟： 4微秒，100 mV过
输入失调电压： ± 3毫伏（典型值）
轨到轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出选项：
- MCP65R41
推挽
- MCP65R46
Open漏
宽电源电压范围： 1.8V至5.5V
封装： SOT23-6
描述
Microchip Technology Inc.的MCP65R41 / 6系列
推挽和漏极开路输出比较器
提供具有1.21V的集成基准电压
和2.4V 。该系列提供± 1 ％ （典型值）的公差
同时消耗2.5 μA （典型值）电流。这些
比较器，具有一个单电源电压作为操作
低至1.8V至5.5V ，这使得它们非常适合于低
成本和/或电池供电的应用。
这些比较器为低功耗进行了优化，
单电源应用中使用大于轨到轨
输入操作。输出限制电源电流浪涌
和动态功耗，同时切换。该
内部输入迟滞消除了输出切换
由于内部噪声电压，减少电流消耗。
该MCP65R41输出接口， CMOS / TTL逻辑。
漏极开路输出设备MCP65R46可以使用
作为电平转换器从1.6V使用上拉至10V
电阻器。它也可以用来作为一个布线 - 或逻辑。
该系列器件可提供6引脚SOT-23
封装。
典型应用
笔记本电脑
手机
手持式计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
封装类型
MCP65R41/6
SOT23-6
出1
V
SS
2
+ IN 3
+
-
6 V
DD
5 V
REF
4 -IN
设计工具
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
典型用途
过温报警
V
REF
R
4
V
REF
R
2
R
F
V
DD
V
PU
R
PU
*
V
OUT
热敏电阻
R
3
*所需的上拉电阻
MCP65R46
只。
2010 Microchip的技术公司
DS22269A第1页
MCP65R41/6
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值？
V
DD
- V
SS
....................................................................... 7.0V
所有其它输入和输出........... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................... ± 25毫安
在输入引脚电流.............................................. .... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................... ± 50毫安
存储温度................................... -65C至+ 150C
环境温度与功耗应用.... -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ + 150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM / MM ） 4千伏/ 200V
在MCP65R46 OUT引脚的ESD保护（ HBM / MM ） .............
4
kV/175V
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
除非另有说明，所有参数都指定为：
V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN +
=
V
DD
/2, V
IN-
= V
SS
, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2（ MCP65R41只） ，和R
引体向上
= 2.74 kΩ到V
DD
（仅MCP65R46 ）
和T
A
= -40 ° C至125°C 。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
输入
输入电压范围
共模抑制比
V
DD
= 5V
V
CMR
CMRR
V
SS
0.3
55
50
55
50
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
温度漂移
温度漂移
输入偏置电流
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
输入失调电流
注1 ：
2:
3:
4:
PSRR
V
OS
V
OS
/T
V
HYST
V
HYST
/T
V
HYST
/T
2
I
B
I
B
I
B
I
OS
63
-10
—
1
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
70
80
±3
±10
3.3
6
5
1
50
—
±1
V
DD
+0.3
—
—
—
—
—
+10
—
5
—
—
—
—
5000
—
V
dB
dB
dB
dB
dB
mV
mV
V
CM
= -0.3V至5.3V
V
CM
= 2.5V至5.3V
MCP65R41,
V
CM
= -0.3V至2.5V
MCP65R46,
V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注
1)
V
CM
= V
SS
（注
1)
V
DD
I
Q
1.8
—
—
2.5
5.5
4
V
A
I
OUT
= 0
符号
民
典型值
最大
单位
条件
μV/°C V
CM
= V
SS
μV/°C V
CM
= V
SS
μV/°C
2
V
CM
= V
SS
pA
pA
pA
pA
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入滞后的
折合到输入端的跳变点之间的差值。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
做的不是短期的输出
MCP65R46
比较上面的V
SS
+ 10V.
低功率的参考电压引脚被设计用于驱动小的容性负载。看
第4.5.2节。
2010 Microchip的技术公司
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MCP65R41/6
直流特性（续）
除非另有说明，所有参数都指定为：
V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN +
=
V
DD
/2, V
IN-
= V
SS
, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2（ MCP65R41只） ，和R
引体向上
= 2.74 kΩ到V
DD
（仅MCP65R46 ）
和T
A
= -40 ° C至125°C 。
参数
共模/
差分输入阻抗
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
开漏输出（ MCP65R46 ）
低电平输出电压
短路电流
高电平输出电流
上拉电压
输出引脚电容
参考电压输出
最初的参考公差
V
托尔
V
REF
参考输出电流
与温度漂移系数（基于字节
美化版，但未经生产测试）
I
REF
V
REF
/T
-2
1.185
2.352
—
—
—
—
容性负载
注1 ：
2:
3:
4:
C
L
—
±1
1.21
2.4
±500
27
22
23
200
+2
1.234
2.448
—
100
100
100
—
%
V
V
A
PPM
PPM
PPM
pF
V
托尔
= ± 2 ％ （最大值）
V
REF
= 1.21V, V
DD
= 1.8V
V
REF
= 1.21V, V
DD
= 5.5V
V
REF
= 2.4V, V
DD
= 5.5V
注4
I
REF
= 0A,
V
REF
= 1.21V和2.4V
I
REF
= 0A
V
OL
I
SC
I
OH
V
PU
C
OUT
—
—
-100
1.6
—
—
±50
—
—
8
V
SS
+0.2
—
—
10
—
V
mA
nA
V
pF
V
PU
= 10V
注3
I
OUT
= 2毫安
V
OH
V
OL
I
SC
I
SC
V
DD
0.2
—
—
—
—
—
±50
±1.5
—
V
SS
+0.2
—
—
V
V
mA
mA
I
OUT
= -2毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 2毫安， V
DD
= 5V
（注
2)
MCP65R41
（注
2)
MCP65R46
符号
Z
CM
/Z
差异
民
—
典型值
10
13
||4
最大
—
单位
Ω|| pF的
条件
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入滞后的
折合到输入端的跳变点之间的差值。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
做的不是短期的输出
MCP65R46
比较上面的V
SS
+ 10V.
低功率的参考电压引脚被设计用于驱动小的容性负载。看
第4.5.2节。
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MCP65R41/6
AC特性
除非另有说明，所有参数都指定为：
V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= +25°C,
V
IN +
= V
DD
/ 2 ，步骤= 200 mV时，高速= 100毫伏，R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （ MCP65R41只） ，
R
引体向上
= 2.74 kΩ到V
DD
（ MCP65R46只） ，和C
L
= 50 pF的。
参数
上升时间
下降时间
传播延迟（从高到低）
传输延迟（从低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
符号
t
R
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
N
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.85
0.85
4
4
±0.2
160
120
200
最大
—
—
8.0
8.0
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
s
千赫
千赫
注1
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
条件
V
P-P
10赫兹至100千赫兹
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
温度参数
除非另有说明，所有参数都指定为：
V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， SOT23-6
JA
—
190.5
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
Symbo
l
民
典型值
最大
单位
条件
1.2
测试电路CON组fi guration
V
DD
V
DD
200k
200k
MCP65R41
200k
V
OUT
200k
V
SS
= 0V
50p
V
IN
= V
SS
200k
200k
100k
V
SS
= 0V
50p
MCP65R46
2.74k
V
OUT
V
IN
= V
SS
图1-1：
测试电路的推挽
输出比较器。
图1-2：
测试电路打开
排水比较。
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