MCP6566/6R/6U/7/9
1.8V低功耗漏极开路输出比较器
特点
传播延迟在1.8V
DD
:
- 56纳秒（典型值）高至低
低静态电流： 100 μA （典型值）
输入失调电压： ± 3 mV（典型值）
轨到轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
开漏输出
宽电源电压范围： 1.8V至5.5V
提供单，双和四
封装： SC70 ， SOT- 23-5 ， SOIC ， MSOP ，
TSSOP
描述
该微芯科技公司MCP6566 / 6R / 6U / 7/9
漏极开路输出比较器的家庭提供
在单，双和四配置。
这些比较器为低功耗1.8V优化，
单电源应用中使用大于轨到轨
输入操作。内部输入迟滞消除
输出开关由于内部输入噪声电压，
降低电流消耗。的开漏输出
MCP6566 / 6R / 6U / 7 /9系列需要一个上拉电阻
它支持以上和低于V上拉电压
DD
它可以用来进行电平转换。输出切换
频率可以达到典型的为4 MHz （典型值），而
限制电源电流浪涌和动态功耗
切换过程中的消耗。
这家家庭经营与1.8V的单电源电压
至5.5V ，同时绘制小于100 μA /比较器
静态电流（典型值） 。
典型应用
笔记本电脑
手机
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
封装类型
MCP6566
SOT- 23-5 ， SC70-5
OUT
1
V
SS
2
+ IN
3
MCP6568
SOIC ， MSOP
8
V
DD
- +
+ -
设计工具
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟比选论证和评估板
应用笔记
5
V
DD
OUTA
1
-INA
2
4
-IN
7
OUTB
6
-INB
5
+ INB
MCP6566R
SOT-23-5
OUT
1
V
DD
2
+ IN
3
5
V
SS
+
-
+
-
INA +
3
V
SS
4
MCP6569
SOIC ， TSSOP
OUTA
1
-INA
2
INA +
3
V
DD
4
+ INB
5
-INB
6
- +
+ -
- +
+ -
相关的设备
推挽输出： MCP6561 / 1R / 1U / 2/4
14
OUTD
13
-Ind
12
+ IND
11
V
SS
10 + INC。
9
-INC
8
OUTC
典型用途
+3V
PU
V
IN
V
DD
R
2
R
F
+5V
DD
V
OUT
MCP656X
4
-IN
MCP6566U
SOT-23-5
+
-
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
5 V
DD
OUTB
7
4 OUT
R
3
2009年Microchip的科技公司
DS22143B第1页
MCP6566/6R/6U/7/9
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
V
DD
- V
SS
....................................................................... 6.5V
漏极开路输出............................................. V
SS
+ 10.5V
所有其它输入和输出........... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................... ± 25毫安
在输入引脚电流.............................................. .... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................... ± 50毫安
存储温度................................... -65C至+ 150C
环境温度。电源采用.............. -40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ............ + 150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM / MM ）
.................≥
4千伏/ 300V
*注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
DC特性
电气特性：
除非另有说明： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
和R
引体向上
= 20 kΩ到V
PU
= V
DD
（见
图1-1） 。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
电源抑制比
输入
输入失调电压
输入失调漂移
输入失调电流
输入偏置电流
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
I
B
-10
—
—
—
—
—
输入电压滞后
输入滞后线性温度。公司
输入迟滞二次温度。公司
共模输入电压范围
共模抑制比
V
HYST
TC
1
TC
2
V
CMR
CMRR
1.0
—
—
V
SS
0.2
V
SS
0.3
54
50
54
共模输入阻抗
差分输入阻抗
注1 ：
2:
3:
4:
Z
CM
Z
差异
—
—
V
DD
I
Q
PSRR
1.8
60
63
—
100
70
5.5
130
—
+10
—
—
—
—
5000
5.0
—
—
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
—
—
—
—
—
V
A
dB
mV
μV/°C
pA
pA
pA
pA
mV
μV/°C
μV/°C
2
V
V
dB
dB
dB
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/ 2到V
DD
+0.3V, V
DD
= 5.5V
V
CM
= -0.3V到V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
I
OUT
= 0
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= + 25 ° C，V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 85°C ，V
IN
- = V
DD
/2
T
A
= + 125°C ，V
IN
- = V
DD
/2
V
CM
= V
SS
（注1,2 ）
符号
民
典型值
最大
单位
条件
±
3
±
2
±
1
1
60
1500
—
10
0.3
—
—
66
63
65
10 ||4
10
13
||2
13
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST @ + 25°C
+ (T
A
- 25 ° C） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
限制输出电流绝对最大额定值为50 mA 。
上拉电压为漏极开路输出电压V
PULL -UP
可高达10.5V的绝对最大额定值。在这
的情况下，我
OH_leak
可以高于1微安（见
图2-30 ） 。
2009年Microchip的科技公司
DS22143B第3页
MCP6566/6R/6U/7/9
直流特性（续）
电气特性：
除非另有说明： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = V
SS
,
和R
引体向上
= 20 kΩ到V
PU
= V
DD
（见
图1-1） 。
参数
推挽输出
上拉电压
高电平输出电压
高电平输出电流泄漏
低电平输出电压
短路电流
（注3 ）
输出引脚电容
注1 ：
2:
3:
4:
V
PULL -UP
V
OH
I
OH_leak
V
OL
I
SC
C
OUT
1.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±30
8
5.5
V
PULL -UP
1
0.6
—
—
V
V
A
V
mA
pF
（见
图1-1 ）
（注3,4）
注4
I
OUT
= 3毫安/ 8毫安@ V
DD
= 1.8V/5.5V
不超过绝对最大值。等级
符号
民
典型值
最大
单位
条件
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST @ + 25°C
+ (T
A
- 25 ° C） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
限制输出电流绝对最大额定值为50 mA 。
上拉电压为漏极开路输出电压V
PULL -UP
可高达10.5V的绝对最大额定值。在这
的情况下，我
OH_leak
可以高于1微安（见
图2-30 ） 。
AC特性
电气特性：
除非另有说明，：除非另有说明，： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，
T
A
= + 25 ° C，V
IN +
= V
DD
/2, V
IN-
= V
SS
, R
引体向上
= 20 kΩ到V
PU
= V
DD
和C
L
= 25 PF （见
图1-1） 。
参数
传播延迟
高到低， 100 mV过载
产量
下降时间
最大切换频率
输入电压噪声
注1 ：
2:
t
F
f
TG
E
NI
—
—
—
—
20
4
2
350
—
—
—
—
ns
兆赫
兆赫
V
P
-
P
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.8V
10赫兹到10兆赫
（注1 ）
t
PHL
—
—
56
34
80
80
ns
ns
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 1.8V
V
CM
= V
DD
/2, V
DD
= 5.5V
Symbo
l
民
典型值
最大
单位
条件
ENI是基于SPICE的模拟。
上升时间t
R
和T
PLH
取决于负载（R
L
和C
L
） 。这些规范是有效的只有指定的负载。
温度参数
电气特性：
除非另有说明： V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， SC70-5
热阻， SOT- 23-5
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - SOIC
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
331
220.7
211
149.5
95.3
100
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
Symbo
l
民
典型值
最大
单位
条件
DS22143B第4页
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