MCP6546/6R/6U/7/8/9
漏极开路输出亚微安比较
特点
低静态电流： 600 nA的/比较器（典型值）。
轨至轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
开漏输出： V
OUT
≤
10V
传播延迟： 4微秒（典型值， 100 mV过载）
宽电源电压范围： 1.6V至5.5V
采用SOT -23-5 ， SC- 70-5封装*可单
提供单，双和四
片选（ CS ）与MCP6548
低开关电流
内部迟滞： 3.3毫伏（典型值）。
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6546 / 7/8 /9系列
比较器的单提供（ MCP6546 ，
MCP6546R ， MCP6546U ），带片选
（ MCP6548 ） ，双（ MCP6547 ）和四（ MCP6549 ）
配置。输出为开漏，并
能够驱动高直流或容性负载。
这些比较器为低功耗进行了优化，
用大于轨到轨单电源应用
输入操作。输出限制电源电流浪涌
和动态功耗，同时切换。该
在MCP6546 / 7/8 /9系列的开漏输出可
用作一个电平移动器，用于向上通过一个上拉至10V
电阻器。它也可以用来作为一个布线 - 或逻辑。该
内部输入迟滞消除了输出切换
由于内部噪声电压，减少电流消耗。
这些比较器采用单电源供电
电压低至1.6V和借鉴的静态电流
小于1 μA /比较器。
从相关的MCP6541 / 2/ 3/4系列比较器
微芯片具有支撑轨到推挽式输出
轨输出摆幅和接口与CMOS / TTL逻辑。
* SC - 70-5 E-温度部分暂不提供此版本
of
数据表
.
MCP6546U SOT- 23-5只有E-温度。
典型应用
笔记本电脑
手机
计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
相关器件
CMOS / TTL兼容输出： MCP6541 / 2 /3/4
封装类型
MCP6546
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
NC
V
DD
OUT
NC
出1
V
DD
2
V
IN
+ 3
MCP6546R
SOT-23-5
5 V
SS
MCP6547
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
8
- +
7
+ - 6
5
V
DD
MCP6549
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
14 OUTD
- + + - 13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
- + +- 9 V –
INC。
10 V
INC。
+
8 OUTC
OUTA
V
INA
–
4 V
IN
– V
INA
+
V
SS
OUTB V
INA
– 2
V
INB
– V
INA
+ 3
V
INB
+
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
7 OUTB
MCP6546
SOT- 23-5 ， SC- 70-5
出1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
-
+
4 V
IN
–
MCP6546U
SOT-23-5
+
-
V
IN
– 1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
4 OUT
2006年Microchip的科技公司
-
+
MCP6548
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
CS
V
DD
OUT
NC
DS21714E第1页
MCP6546/6R/6U/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或任何其他条件超出上述表示
本说明书中的操作列表是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
漏极开路输出.............................................. 。 V
SS
+ 10.5V
模拟输入（ V
IN
+, V
IN
-)............. V
SS
- 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出........... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚：
（ HBM ， MM ） ..................................... 2千伏; 200V （ MCP6546U ）
（ HBM ， MM ） ................................ 4千伏; 200V （其他部分）
见
第4.1.2节“输入电压和电流
极限？
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
– = V
SS
,
R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
（参照
图1-3 ） 。
参数
电源
电源电压
静态电流
（每个比较器）
输入
输入电压范围
共模抑制比
共模抑制比
共模抑制比
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
线性温度。公司
二次温度。公司
输入偏置电流
在温度（I -温度份）
温度（ E-温度部分）
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
注1 ：
2:
3:
4:
符号
V
DD
I
Q
民
1.6
0.3
典型值
—
0.6
最大
5.5
1
单位
V
A
V
PU
≥
V
DD
I
OUT
= 0
条件
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
PSRR
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
V
HYST
TC
1
TC
2
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
SS
0.3
55
50
55
63
-7.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
80
±1.5
±3
3.3
6.7
-0.035
1
25
1200
±1
10 ||4
10
13
||2
13
V
DD
+ 0.3
—
—
—
—
+7.0
—
6.5
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
V
CM
= V
SS
（注1 ）
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
（注2 ）
μV/°C
2
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
（注2 ）
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
CM
= V
SS
T
A
= + 85°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
T
A
= + 125°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
V
CM
= V
SS
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在温度差，使用估算： V
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
-25°C ） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度没有对所述SC- 70-5封装测试
不要短路高于V输出
SS
+ 10V 。限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。最低
V
PU
测试限为V
DD
之前， 2004年12月（星期代码52 ） 。
DS21714E第2页
2006年Microchip的科技公司
MCP6546/6R/6U/7/8/9
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
– = V
SS
,
R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
（参照
图1-3 ） 。
参数
漏极开路输出
输出上拉电压
高电平输出电流
低电平输出电压
短路电流
输出引脚电容
注1 ：
2:
3:
4:
符号
V
PU
I
OH
V
OL
I
SC
I
SC
C
OUT
民
1.6
-100
V
SS
—
–
—
典型值
—
—
—
±1.5
30
8
最大
10
—
V
SS
+ 0.2
—
—
—
单位
V
nA
V
mA
mA
pF
（注
4)
条件
V
DD
= 1.6V至5.5V ，V
PU
= 10V
（注4 ）
I
OUT
= 2毫安， V
PU
= V
DD
= 5V
V
PU
= V
DD
= 1.6V
（注4 ）
V
PU
= V
DD
= 5.5V
（注4 ）
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入滞后之间的区别
输入参考触发点。
V
HYST
在温度差，使用估算： V
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
-25°C ） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度没有对所述SC- 70-5封装测试
不要短路高于V输出
SS
+ 10V 。限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。最低
V
PU
测试限为V
DD
之前， 2004年12月（星期代码52 ） 。
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100毫伏，R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
和C
L
= 36 pF的（参见
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
2:
符号
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
ni
民
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.7
4.0
3.0
-1.0
225
165
200
最大
—
8.0
8.0
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
千赫
千赫
V
P-P
（注1 ）
（注1及2 ）
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
10赫兹至100千赫兹
（注1 ）
条件
t
R
和T
PLH
取决于负载（R
L
和C
L
） ;这些规范是有效的只有指定的负载。
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
MCP6548片选（CS ）特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
– = V
SS
,
R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
和C
L
= 36 pF的（参见图1-1和1-3） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高，V
DD
当前
CS输入高电平，接地电流
比较器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到比较器输出低
开启时间
CS高到比较器输出
高阻关断时间
CS迟滞
符号
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
DD
I
SS
I
O（泄漏）
t
ON
t
关闭
V
CS_HYST
民
V
SS
—
0.8 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
5
—
1
18
-20
1
2
10
0.6
最大
0.2 V
DD
—
V
DD
—
—
—
—
50
—
—
单位
V
pA
V
pA
pA
pA
pA
ms
s
V
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
SS
条件
V
OUT
= V
SS
+10V
,
CS = V
DD
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
V
DD
= 5V
2006年Microchip的科技公司
DS21714E第3页
MCP6546/6R/6U/7/8/9
CS
V
IL
t
ON
V
OUT
高-Z
I
SS
-20 PA（典型值）。
I
CS
1 PA（典型值）。
V
IH
t
关闭
高-Z
V
OUT
V
IN
–
V
IN
+ = V
DD
/2
t
PLH
100毫伏
V
OH
V
OL
t
PHL
100毫伏
-0.6 μA （典型值）。
5 PA（典型值）。
-20 PA（典型值）。
1 PA（典型值）。
V
OL
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP6548 。
图1-2：
图。
传播延迟时间
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L -SC -70
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
331
256
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在MCP6546 / 7 /8/9级温度家庭工作在扩展级温度范围，但降低
性能。在任何情况下，结温（T
J
）必须不超过最大绝对
规范+ 150°C 。
1.1
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
V
PU
= V
DD
200 kΩ
200 kΩ
100 kΩ
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
MCP654X
R
PU
=
（2 mA）的音频/视频
DD
V
OUT
36 pF的
图1-3：
交流和直流参数测试电路
漏极开路输出比较器。
DS21714E第4页
2006年Microchip的科技公司
MCP6546/6R/6U/7/8/9
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
- = GND ，
R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
和C
L
= 36 pF的。
14%
出现次数的百分比
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
1
2
3
4
5
6
7
输入失调电压（MV ）
18%
出现次数的百分比
1200年样本
V
CM
= V
SS
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
1200年样本
V
CM
= V
SS
1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 4.8 5.2 5.6 6.0
输入迟滞电压（MV ）
图2-1：
V
CM
= V
SS
.
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
输入失调电压为
图2-4：
V
CM
= V
SS
.
出现次数的百分比
25%
20%
15%
10%
5%
0%
V
DD
= 5.5V
输入电压滞后于
出现次数的百分比
1200年样本
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
596样本
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 1.6V
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
6.6
7.0
7.4
7.8
8.2
8.6
9.0
-0.020
0
2
4
6
-8
-6
-4
-2
8
10
12
-14
-12
-10
14
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
输入滞后电压 -
线性温度。公司; TC
1
（ μV / ° C）
图2-2：
V
CM
= V
SS
.
7
反相输入端，输出
电压（V）的
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
1
2
V
DD
= 5.5V
输入失调电压漂移
图2-5：
输入电压滞后
线性温度。有限公司（ TC
1
）在V
CM
= V
SS
.
出现次数的百分比
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
596样本
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.6V
V
OUT
-0.060
-0.056
-0.052
-0.048
-0.044
-0.040
-0.036
-0.032
-0.028
-0.024
3
4
5
6
7
时间（ 1 ms /格）
8
9
10
输入滞后电压 -
2
二次温度。公司; TC
2
（ μV / ° C）
图2-3：
在MCP6546 / 6R / 6U / 7 /8/9
比较显示没有相位反转。
图2-6：
输入电压滞后
二次温度。有限公司（ TC
2
）在V
CM
= V
SS
.
2006年Microchip的科技公司
DS21714E第5页
-0.016
V
IN
–
9.4
MCP6546/6R/6U/7/8/9
漏极开路输出亚微安比较
特点
低静态电流： 600 nA的/比较器（典型值）
轨到轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6546 / 6R / 6U / 7 /8/9
家庭比较器，单是提供（ MCP6546 ，
MCP6546R ， MCP6546U ），带片选（ CS ）
（ MCP6548 ） ，双（ MCP6547 ）和四（ MCP6549 ）
配置。输出为开漏，并
能够驱动高直流或容性负载。
这些比较器为低功耗进行了优化，
用大于轨到轨单电源应用
输入操作。输出限制电源电流浪涌
和动态功耗，同时切换。该
在MCP6546 / 6R / 6U / 7/8 /9系列的开漏输出
可以用作一个电平移动器，用于向上通过一个上拉至10V
电阻。它也可以用来作为一个布线 - 或逻辑。
内部输入迟滞消除输出开关
荷兰国际集团由于内部噪声电压，减少电流消耗。
这些比较器采用单电源供电
电压低至1.6V和借鉴的静态电流
小于1 μA /比较器。
从相关的MCP6541 / 2/ 3/4系列比较器
微芯片具有支撑轨到推挽式输出
轨输出摆幅和接口与CMOS / TTL逻辑。
* SC - 70-5 E-温度部分不可用在这
发布的数据资料。
MCP6546U SOT- 23-5只有E-温度。
开漏输出： V
OUT
≤
10V
传播延迟： 4微秒
（典型值， 100毫伏
OVERDRIVE ）
宽电源电压范围： 1.6V至5.5V
单人可在SOT- 23-5 ， SC- 70-5封装*
提供单，双和四
片选（ CS ）与MCP6548
低开关电流
内部迟滞： 3.3 mV（典型值）
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
典型应用
笔记本电脑
手机
计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
相关器件
CMOS / TTL兼容输出： MCP6541 / 2 /3/4
封装类型
MCP6546
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
-
+
8 NC
7 V
DD
6 OUT
5 NC
出1
V
IN
+ 3
-
V
DD
2
+
MCP6546R
SOT-23-5
5 V
SS
4 V
IN
–
MCP6547
PDIP ， SOIC ， MSOP
OUTA 1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
- +
+ -
8 V
DD
7 OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP6549
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
- + +-
14 OUTD
- + + - 13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 OUTC
MCP6546
SC- 70-5 ， SOT23-5
出1
V
IN
+ 3
-
V
SS
2
+
5 V
DD
4 V
IN
–
MCP6546U
SC- 70-5 ， SOT- 23-5
V
SS
2
V
IN
– 3
-
+
V
IN
+ 1
5 V
DD
4 OUT
MCP6548
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
-
+
8 CS
7 V
DD
6 OUT
5 NC
7 OUTB
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21714G第1页
MCP6546/6R/6U/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该装置的操作中，在这些或任何其他条件
超过上述的这种操作列表说明
规范，是不是暗示。置身于最大额定
长时间会影响器件的荷兰国际集团的条件
可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流
极限？
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
漏极开路输出.............................................. V
SS
+ 10.5V
模拟输入（ V
IN
+, V
IN
-)............. V
SS
- 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚：
（ HBM ， MM ） ..................................... 2千伏; 200V （ MCP6546U ）
（ HBM ， MM ） ................................ 4千伏; 200V （其他部分）
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN
– = V
SS
, R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
（参照
图1-3 ） 。
参数
电源
电源电压
静态电流
（每个比较器）
输入
输入电压范围
共模抑制比
共模抑制比
共模抑制比
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
线性温度。公司
二次温度。公司
输入偏置电流
在温度（I -温度份）
温度（ E-温度部分）
输入失调电流
注1 ：
2:
3:
4:
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
PSRR
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
V
HYST
TC
1
TC
2
I
B
I
B
I
B
I
OS
V
SS
0.3
55
50
55
63
-7.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
80
±1.5
±3
3.3
6.7
-0.035
1
25
1200
±1
V
DD
+ 0.3
—
—
—
—
+7.0
—
6.5
—
—
—
100
5000
—
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注
1)
V
CM
= V
SS
（注
1)
V
DD
I
Q
1.6
0.3
—
0.6
5.5
1
V
A
V
PU
≥
V
DD
I
OUT
= 0
符号
民
典型值
最大
单位
条件
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
（注
2)
μV/°C
2
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
（注
2)
pA
pA
pA
pA
V
CM
= V
SS
T
A
= + 85°C ，V
CM
= V
SS
（注
3)
T
A
= + 125°C ，V
CM
= V
SS
（注
3)
V
CM
= V
SS
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
V
HYST
在温度差，使用估计：
V
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
-25°C ） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度没有对所述SC- 70-5封装测试。
不要短路高于V输出
SS
+ 10V 。限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
最小V
PU
测试限为V
DD
之前， 2004年12月（星期代码52 ） 。
DS21714G第2页
2002-2012 Microchip的科技公司
MCP6546/6R/6U/7/8/9
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN
– = V
SS
, R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
（参照
图1-3 ） 。
参数
共模输入阻抗
差分输入阻抗
漏极开路输出
输出上拉电压
高电平输出电流
低电平输出电压
短路电流
输出引脚电容
注1 ：
2:
3:
4:
V
PU
I
OH
V
OL
I
SC
I
SC
C
OUT
1.6
-100
V
SS
—
–
—
—
—
—
±1.5
30
8
10
—
V
SS
+ 0.2
—
—
—
V
nA
V
mA
mA
pF
（注
4)
V
DD
= 1.6V至5.5V ，V
PU
= 10V
（注
4)
I
OUT
= 2毫安， V
PU
= V
DD
= 5V
V
PU
= V
DD
= 1.6V
（注
4)
V
PU
= V
DD
= 5.5V
（注
4)
符号
Z
CM
Z
差异
民
—
—
典型值
10
13
||4
10
13
||2
最大
—
—
单位
Ω|| pF的
Ω|| pF的
条件
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
V
HYST
在温度差，使用估计：
V
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
-25°C ） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度没有对所述SC- 70-5封装测试。
不要短路高于V输出
SS
+ 10V 。限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
最小V
PU
测试限为V
DD
之前， 2004年12月（星期代码52 ） 。
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100毫伏，R
PU
= 2.74 kΩ到V
PU
= V
DD
和C
L
= 36 pF的
（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
2:
符号
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
ni
民
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.7
4.0
3.0
-1.0
225
165
200
最大
—
8.0
8.0
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
千赫
千赫
（注
1)
（注
1
和
2)
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
（注
1)
条件
V
P-P
10赫兹至100千赫兹
t
R
和T
PLH
取决于负载（R
L
和C
L
） ;这些规范是有效的只有指定的负载。
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21714G第3页
MCP6546/6R/6U/7/8/9
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L -SC -70
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
331
220.7
211
89.3
149.5
70
95.3
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在MCP6546 / 6R / 6U / 7 /8/9级温度家庭工作在扩展级温度范围，但降低
性能。在任何情况下，结温（T
J
）必须不超过最大绝对
规范+ 150°C 。
1.1
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
V
PU
= V
DD
200 kΩ
200 kΩ
100 kΩ
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
MCP654X
R
PU
=
（2 mA）的音频/视频
DD
V
OUT
36 pF的
图1-3：
交流和直流参数测试电路
漏极开路输出比较器。
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QQ：2880707522 复制
