M
特点
低静态电流： 600 nA的/比较器（典型值）。
轨至轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
CMOS / TTL兼容输出
传播延迟为4μs （典型值）。
宽电源电压范围： 1.6V至5.5V
提供单，双和四
采用SOT -23-5 ， SC- 70-5封装可供单
片选（ CS ）与MCP6543
低开关电流
内部迟滞： 3.3毫伏（典型值）。
工业级温度： -40 ° C至+ 85°C
MCP6541/2/3/4
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6541 / 2/ 3/4系列
比较器提供在单个（ MCP6541 ），单
带片选（ MCP6543 ） ，双（ MCP6542 ）和四
（ MCP6544 ）配置。输出是推挽
（ CMOS / TTL兼容），并能够驱动
沉重的直流或容性负载。
这些比较器为低功耗进行了优化，单
提供操作大于轨到轨输入
操作。在MCP6541 / 2/3/ 4的推挽输出
家庭支持轨到轨输出摆幅和接口
与TTL / CMOS逻辑。内部输入迟滞
消除了输出开关由于内部输入噪声
电压，减少电流消耗。输出限制供应
浪涌电流和动态功耗，同时
切换。该产品系列的工作，有单
电源电压可低至1.6V ，并绘制小于1 μA /
比较器的静态电流。
从相关的MCP6546 / 7/8 /9系列比较器
微芯片具有漏极开路输出。使用上拉
电阻，这些器件可以用作电平转换器为
任何期望的电压上升到10V ，并在布线 - 或逻辑。
推挽输出亚微安比较
典型应用
笔记本电脑
手机
计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
相关器件
开漏输出： MCP6546 / 7 /8/9
封装类型
MCP6541
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
MCP6541-R
SOT-23-5
出1
V
DD
2
V
IN
+ 3
5 V
SS
-
+
MCP6542
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
- +
+ -
MCP6544
PDIP ， SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
- + + -
14
- + + - 13
12
11
10
9
8
8
7
6
5
NC
V
DD
OUT
NC
OUTA
V
INA
–
4 V
IN
– V
INA
+
V
SS
8
7
6
5
V
DD
OUTA
OUTB V
INA
–
V
INB
– V
INA
+
V
DD
V
INB
+
V
INB
+
V
INB
–
OUTB
OUTD
V
IND
–
V
IND
+
V
SS
V
INC。
+
V
INC。
–
OUTC
MCP6541
SOT- 23-5 ， SC- 70-5
出1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
-
+
MCP6543
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
4 V
IN
–
8 CS
7 V
DD
6 OUT
5 NC
2003 Microchip的技术公司
DS21696C第1页
MCP6541/2/3/4
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
所有输入和输出...................... V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
................... 4 kV的所有引脚（ MM HBM ） ESD保护; 400V
注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
引脚功能表
名字
V
IN
+, V
INA
+, V
INB
+, V
INC。
+,
V
IND
+
V
DD
V
SS
OUT ， OUTA ， OUTB ， OUTC ，
OUTD
CS
NC
功能
非反相输入端
V
IN
–, V
INA
–, V
INB
–, V
INC。
–, V
IND
§反相输入端
正电源。
负电源
输出
芯片选择
没有连接
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN-
= V
SS
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （参阅图1-3）。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
输入
输入电压范围
共模抑制比
共模抑制比
共模抑制比
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
温度漂移
温度漂移
输入偏置电流
超温
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
注1 ：
2:
3:
V
OH
V
OL
I
SC
V
DD
0.2
—
—
—
—
±50
—
V
SS
+0.2
—
V
V
mA
I
OUT
= -2毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 2毫安， V
DD
= 5V
（注
2)
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
PSRR
V
OS
V
OS
/T
A
V
HYST
V
HYST
/T
A
V
HYST
/T
A
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
SS
0.3
55
50
55
63
-7.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
80
±1.5
±3
3.3
10
5
1
—
±1
10
13
||4
10 ||2
13
符号
V
DD
I
Q
民
1.6
0.3
典型值
—
0.6
最大
5.5
1.0
V
DD
+0.3
—
—
—
—
+7.0
—
6.5
—
—
—
100
—
—
—
单位
V
A
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
I
OUT
= 0
条件
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
V
CM
= V
SS
（注1 ）
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 25 ° C，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= + 25 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
V
CM
= V
SS
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
输入偏置电流在整个温度范围不用于SC - 70-5封装测试。
DS21696C第2页
2003 Microchip的技术公司
MCP6541/2/3/4
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100 mV时，和C
L
= 36 pF的（请参考图1-2和图1-3 ） 。
参数
上升时间
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
符号
t
R
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
N
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.85
0.85
4
4
±0.2
160
120
200
最大
—
—
8
8
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
s
千赫
千赫
V
P-P
（注1 ）
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
条件
10赫兹至100千赫兹
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
规格FOR MCP6543的片选
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
–
= V
SS
,
和C
L
= 36 pF的（参见图1-1和1-3） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高，V
DD
当前
CS输入高电平，接地电流
比较器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到比较器输出低
开启时间
CS高到比较器输出
高阻关断时间
CS迟滞
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5.0
0.2V
DD
—
V
pA
CS = V
SS
V
IH
I
CSH
I
DD
I
SS
I
O（泄漏）
0.8V
DD
—
—
—
—
—
1
18
-20
1
V
DD
—
—
—
—
V
pA
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
OUT
= V
DD
t
ON
t
关闭
V
CS_HYST
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
CS = 0.2 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
CS = 0.8 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
V
DD
= 5V
CS
t
ON
V
OUT
高阻
V
IL
V
IH
t
关闭
高阻
-0.6 μA ，典型值。
-20 pA的典型值。
1 pA的典型值。
V
IN
–
V
IN
+ = V
DD
/2
t
PLH
V
OUT
100毫伏
V
OH
t
PHL
100毫伏
I
SS
-20 pA的典型值。
I
CS
1 pA的典型值。
V
OL
V
OL
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP6543 。
图1-2：
图。
传播延迟时间
2003 Microchip的技术公司
DS21696C第3页
MCP6541/2/3/4
温度参数
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L -SC -70
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
331
256
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在MCP6541 / 2/3/ 4工作在扩展温度范围内，但性能有所下降。在任何
的情况下，结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.2
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
200 k
200 k
MCP654X
200 k
200 k
V
OUT
36 pF的
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
图1-3：
交流和直流参数测试电路
推挽输出比较器。
DS21696C第4页
2003 Microchip的技术公司
MCP6541/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN-
= GND ，
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2，和C
L
= 36 pF的。
14%
出现次数的百分比
出现次数的百分比
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
输入失调电压（MV ）
5
6
7
1200年样本
V
CM
= V
SS
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 4.8 5.2 5.6 6.0
输入迟滞电压（MV ）
1200年样本
V
CM
= V
SS
图2-1：
输入失调电压
柱状图在V
CM
= V
SS
.
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
1200年样本
V
CM
= V
SS
图2-4：
输入电压滞后
柱状图在V
CM
= V
SS
.
26%
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
出现次数的百分比
1200年样本
V
CM
= V
SS
出现次数的百分比
T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 25°C
2
3
4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
输入迟滞电压漂移（ μV / ° C）
图2-2：
输入失调电压漂移
柱状图在V
CM
= V
SS
.
500
400
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-500
V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.6V
图2-5：
漂移直方图。
6.0
输入迟滞电压（MV ）
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-40
-20
输入电压滞后
输入失调电压（ μV ）
V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 5.5V
-40
-20
0
20
40
60
环境温度（ ℃）
80
0
20
40
60
环境温度（ ℃）
80
图2-3：
输入失调电压 -
环境温度在V
CM
= V
SS
.
图2-6：
输入滞后电压 -
环境温度在V
CM
= V
SS
.
2003 Microchip的技术公司
DS21696C第5页
M
特点
低静态电流： 600 nA的/比较器（典型值）。
轨至轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
CMOS / TTL兼容输出
传播延迟为4μs （典型值）。
宽电源电压范围： 1.6V至5.5V
提供单，双和四
采用SOT -23-5 ， SC- 70-5封装可供单
片选（ CS ）与MCP6543
低开关电流
内部迟滞： 3.3毫伏（典型值）。
工业级温度： -40 ° C至+ 85°C
MCP6541/2/3/4
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6541 / 2/ 3/4系列
比较器提供在单个（ MCP6541 ），单
带片选（ MCP6543 ） ，双（ MCP6542 ）和四
（ MCP6544 ）配置。输出是推挽
（ CMOS / TTL兼容），并能够驱动
沉重的直流或容性负载。
这些比较器为低功耗进行了优化，单
提供操作大于轨到轨输入
操作。在MCP6541 / 2/3/ 4的推挽输出
家庭支持轨到轨输出摆幅和接口
与TTL / CMOS逻辑。内部输入迟滞
消除了输出开关由于内部输入噪声
电压，减少电流消耗。输出限制供应
浪涌电流和动态功耗，同时
切换。该产品系列的工作，有单
电源电压可低至1.6V ，并绘制小于1 μA /
比较器的静态电流。
从相关的MCP6546 / 7/8 /9系列比较器
微芯片具有漏极开路输出。使用上拉
电阻，这些器件可以用作电平转换器为
任何期望的电压上升到10V ，并在布线 - 或逻辑。
推挽输出亚微安比较
典型应用
笔记本电脑
手机
计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
相关器件
开漏输出： MCP6546 / 7 /8/9
封装类型
MCP6541
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
MCP6541-R
SOT-23-5
出1
V
DD
2
V
IN
+ 3
5 V
SS
-
+
MCP6542
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
- +
+ -
MCP6544
PDIP ， SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
- + + -
14
- + + - 13
12
11
10
9
8
8
7
6
5
NC
V
DD
OUT
NC
OUTA
V
INA
–
4 V
IN
– V
INA
+
V
SS
8
7
6
5
V
DD
OUTA
OUTB V
INA
–
V
INB
– V
INA
+
V
DD
V
INB
+
V
INB
+
V
INB
–
OUTB
OUTD
V
IND
–
V
IND
+
V
SS
V
INC。
+
V
INC。
–
OUTC
MCP6541
SOT- 23-5 ， SC- 70-5
出1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
-
+
MCP6543
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
4 V
IN
–
8 CS
7 V
DD
6 OUT
5 NC
2003 Microchip的技术公司
DS21696C第1页
MCP6541/2/3/4
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
所有输入和输出...................... V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
................... 4 kV的所有引脚（ MM HBM ） ESD保护; 400V
注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
引脚功能表
名字
V
IN
+, V
INA
+, V
INB
+, V
INC。
+,
V
IND
+
V
DD
V
SS
OUT ， OUTA ， OUTB ， OUTC ，
OUTD
CS
NC
功能
非反相输入端
V
IN
–, V
INA
–, V
INB
–, V
INC。
–, V
IND
§反相输入端
正电源。
负电源
输出
芯片选择
没有连接
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN-
= V
SS
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （参阅图1-3）。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
输入
输入电压范围
共模抑制比
共模抑制比
共模抑制比
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
温度漂移
温度漂移
输入偏置电流
超温
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
注1 ：
2:
3:
V
OH
V
OL
I
SC
V
DD
0.2
—
—
—
—
±50
—
V
SS
+0.2
—
V
V
mA
I
OUT
= -2毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 2毫安， V
DD
= 5V
（注
2)
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
PSRR
V
OS
V
OS
/T
A
V
HYST
V
HYST
/T
A
V
HYST
/T
A
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
SS
0.3
55
50
55
63
-7.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
80
±1.5
±3
3.3
10
5
1
—
±1
10
13
||4
10 ||2
13
符号
V
DD
I
Q
民
1.6
0.3
典型值
—
0.6
最大
5.5
1.0
V
DD
+0.3
—
—
—
—
+7.0
—
6.5
—
—
—
100
—
—
—
单位
V
A
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
I
OUT
= 0
条件
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
V
CM
= V
SS
（注1 ）
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 25 ° C，V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= + 25 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
V
CM
= V
SS
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
输入偏置电流在整个温度范围不用于SC - 70-5封装测试。
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2003 Microchip的技术公司
MCP6541/2/3/4
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100 mV时，和C
L
= 36 pF的（请参考图1-2和图1-3 ） 。
参数
上升时间
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
符号
t
R
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
N
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.85
0.85
4
4
±0.2
160
120
200
最大
—
—
8
8
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
s
千赫
千赫
V
P-P
（注1 ）
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
条件
10赫兹至100千赫兹
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
规格FOR MCP6543的片选
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
–
= V
SS
,
和C
L
= 36 pF的（参见图1-1和1-3） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高，V
DD
当前
CS输入高电平，接地电流
比较器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到比较器输出低
开启时间
CS高到比较器输出
高阻关断时间
CS迟滞
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5.0
0.2V
DD
—
V
pA
CS = V
SS
V
IH
I
CSH
I
DD
I
SS
I
O（泄漏）
0.8V
DD
—
—
—
—
—
1
18
-20
1
V
DD
—
—
—
—
V
pA
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
OUT
= V
DD
t
ON
t
关闭
V
CS_HYST
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
CS = 0.2 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
CS = 0.8 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
V
DD
= 5V
CS
t
ON
V
OUT
高阻
V
IL
V
IH
t
关闭
高阻
-0.6 μA ，典型值。
-20 pA的典型值。
1 pA的典型值。
V
IN
–
V
IN
+ = V
DD
/2
t
PLH
V
OUT
100毫伏
V
OH
t
PHL
100毫伏
I
SS
-20 pA的典型值。
I
CS
1 pA的典型值。
V
OL
V
OL
图1-1：
时序图的CS
引脚上的MCP6543 。
图1-2：
图。
传播延迟时间
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DS21696C第3页
MCP6541/2/3/4
温度参数
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L -SC -70
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
331
256
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在MCP6541 / 2/3/ 4工作在扩展温度范围内，但性能有所下降。在任何
的情况下，结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.2
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
200 k
200 k
MCP654X
200 k
200 k
V
OUT
36 pF的
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
图1-3：
交流和直流参数测试电路
推挽输出比较器。
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MCP6541/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN-
= GND ，
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2，和C
L
= 36 pF的。
14%
出现次数的百分比
出现次数的百分比
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4
输入失调电压（MV ）
5
6
7
1200年样本
V
CM
= V
SS
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4 4.8 5.2 5.6 6.0
输入迟滞电压（MV ）
1200年样本
V
CM
= V
SS
图2-1：
输入失调电压
柱状图在V
CM
= V
SS
.
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
1200年样本
V
CM
= V
SS
图2-4：
输入电压滞后
柱状图在V
CM
= V
SS
.
26%
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
出现次数的百分比
1200年样本
V
CM
= V
SS
出现次数的百分比
T
A
= + 25 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 25°C
2
3
4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
输入迟滞电压漂移（ μV / ° C）
图2-2：
输入失调电压漂移
柱状图在V
CM
= V
SS
.
500
400
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-500
V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.6V
图2-5：
漂移直方图。
6.0
输入迟滞电压（MV ）
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
-40
-20
输入电压滞后
输入失调电压（ μV ）
V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 5.5V
-40
-20
0
20
40
60
环境温度（ ℃）
80
0
20
40
60
环境温度（ ℃）
80
图2-3：
输入失调电压 -
环境温度在V
CM
= V
SS
.
图2-6：
输入滞后电压 -
环境温度在V
CM
= V
SS
.
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