MCP201
1.0
设备概述
1.2
1.2.1
内部保护
ESD保护
该MCP201提供了之间的物理接口
微控制器和LIN半双工总线。它被用于
适用于汽车和工业应用的串行
总线速度高达20波特。
该MCP201提供了半双工，双向
微控制器之间的通信接口
和串行网络总线。该装置将转换
该CMOS / TTL逻辑电平转换为LIN逻辑电平，副
反之亦然。
LIN规范1.3要求的收发器
系统中的所有节点通过LIN引脚相连，
参考地，并与最大外部
510Ω从LIN总线到电池终端电阻
供应量。在510Ω对应于1主机和16
从节点。
该MCP201提供了+ 5V 50毫安稳压电源
输出。该稳压器采用LDO设计，是短期
电路保护，如果将关闭稳压器输出关闭
它低于3.5V 。该MCP201还包括热
关断保护。监管机构一直specifi-
美云设计在汽车环境操作
换货和将生存反向电池连接，
+ 40V负载突降瞬变和双电池跳
（见
第1.6节“内部稳压器” ） 。
对于组件级的ESD额定值，请参阅
最大的操作规范。
1.2.2
地面失去保护
LIN总线规范规定LIN引脚必须
过渡到隐性状态时，地面
断开。因此，地面上的损失有效
强制LIN总线处于高阻抗水平。
1.2.3
热保护
过热保护电路监控芯片
温度，并且能够关闭在LIN
发射器和电压调节器。请参考表1-1
详细信息。
有三个原因热过载。一
热关机可以通过任何一个来触发，或
的，下面的热过载组合
条件。
稳压器过载
LIN总线输出过载
提高模具温度适当增加
环境温度
驱动TXD和检查RXD引脚使
能够判断是否有一个总线争
器（Rx =低，TX =高）或热过载条件
器（Rx =高，TX =低） 。
注意：
从热，公交车恢复后或
电压调节器的过载状态，则
设备将处于就绪1模式。为了
进入操作模式中，CS /
WAKE引脚必须切换。
1.1
1.1.1
可选的外部保护
瞬态电压
保护（负载突降）
外接27V瞬态抑制器（ TVS ）二极管，
V之间
BAT
与地之间，用一个50Ω的电阻串联
用电池供电，并在V
BAT
引脚，用于亲
TECT从电源瞬变设备（参见图1-2 ）
和ESD事件。虽然这种保护是可选的，它
应该被认为是良好的工程实践。
1.1.2
反向电池保护
一个外部电池反接阻断二极管可
用于提供极性保护（见图1-2） 。
这种保护是可选的，但应考虑为
良好的工程实践。
表1-1：
TXD
L
H
热过载源
(1,2)
RXD
H
L
评论
LIN发送器关闭，接收器和稳压器活跃，热过载
条件。
稳压器关闭，接收器有效，总线争用。
图例：
X =无关，L =低，H =高
注1 ：
在LIN引脚LIN收发器的过载电流为200毫安。
2:
电压调节器过载电流的电压调节器大于50毫安。
2007 Microchip的技术公司
DS21730F第3页
MCP201
1.3
操作模式
1.3.3
操作模式
对于所有工作模式的概述，请参考
参见表1-2。
在这种模式下，所有的内部模块是可操作的。
该MCP201将进入在掉电模式
CS / WAKE的下降沿。
1.3.1
掉电模式
在掉电模式中，发送器和
电压调节器都关闭。仅在接收器部分
和CS / WAKE引脚唤醒电路中
操作。这是最低功耗模式。
如果有任何总线活动（例如，一个BREAK字符）应
发生在掉电模式下，器件将
立即使电压调节器。一旦
产量稳定，器件将进入就绪
模式。
该器件将进入运行模式，如果CS / WAKE
引脚应成为高电平（ “1” ） 。
图1-1：
CS / WAKE =真
操作模式
状态图
掉电
模式
FLT
总线活动
CS / WAKE = FALSE
POR
开始
CS / WAKE = FALSE
手术
模式
准备
模式
FLT
1.3.2
READY和就绪1模式
CS / WAKE =真
有两种状态的准备方式。唯一
这些状态之间的区别是在过渡
启动。状态就绪1模式，确保
从准备到操作模式（一次转型崛起
CS / WAKE ）的边缘，而不会中断发生公交车
TRAF网络连接下进行。
立即在进入任何就绪1或就绪
模式下，电压调节器将接通并提供
力。该电路的发送器部分是关闭的，以
的MCP201的所有其他电路（包括接收器）
为全面运作。 LIN引脚被保持在一个
隐性状态。
如果一个微控制器驱动的电压
调节器的输出，它会经过一个上电复位和
初始化序列。所有其他电路，比其它
发射器，完全可以使用。 LIN引脚在举行
隐性状态。
该器件将保持在就绪模式下，直到CS / WAKE
脚变为高电平（ “1” ） 。在CS / WAKE处于活动状态，
发射器已启用，设备进入运行
模式。
该设备仅可后进入掉电模式
经过运行模式的步骤。
在上电的V
BAT
电源引脚，则该组件是
在任一就绪或就绪1模式，等待一个
CS / WAKE上升沿。
该MCP201将留在两种模式下为600微秒的
调节器的权力其内部电路，并等待，直到
CS / WAKE引脚变为高电平。在600微秒
延时， MCP201不会承认一个CS / WAKE
事件。从低到高的CS / WAKE过渡应
才发生这种延迟后。
CS输入的优势，不是水平的，敏感的。
CS引脚不被监控，直到大约
600微秒后的V
REG
已stabized 。
从就绪1到就绪transistion由上
CS的下降沿。
从就绪模式到运营的转变
模式是在CS的上升沿。
DS21730F第4页
CS / WAKE = FALSE
Ready1
模式
CS / WAKE =真
注意：
电源接通后， CS可以不被采样
直到V
REG
已stabized和附加
600微秒已经经过。微控制器
应该大约1毫秒后切换CS
RESET确保CS将是recog-
的发布。
而MCP201是关机， TXD
不应该被积极地驱动为高电平。如果TXD
被驱动为高积极，它可能提供动力
内部逻辑。
注意：
1.3.4
描述掉电的
条件
为V
BAT
降低V
REG
被调节到5.0直流电压（见
V
REG
in
第2.2节“直流规范” ）
而V
BAT
大于5.5 - 6.0 VDC 。
为V
BAT
进一步降低V
REG
跟踪V
BAT
(V
REG
=
V
BAT
- （ 0.5 1.0 ）直流电压。
该MCP201监视V
REG
只要V
REG
是否
不低于V
SD
（见V
SD
in
第2.2节“ DC光谱
ifications “ ） ，
V
REG
将继续供电。
为V
BAT
增加V
REG
将继续追踪V
BAT
直到V
REG
达到5.0 VDC 。
如果V
REG
低于V
SD
, V
REG
被关闭，并且
MCP201权力自行关闭。
该MCP201将保持断电，直到V
BAT
增加高于V
ON
（见V
ON
in
第2.2节“ DC
规范“。
2007 Microchip的技术公司
MCP201
表1-2：
状态
POR
操作模式概述
发射机
关闭
稳压器
关闭
手术
阅读CS / WAKE 。
如果低的话就绪。
如果高，就绪1模式。
评论
样品FAULT / SLPS和
选择斜率
准备
Ready1
手术
掉电
关闭
关闭
ON
关闭
ON
ON
ON
关闭
如果CS / WAKE上升沿，然后总线关闭状态
操作模式。
如果CS / WAKE下降沿，
然后就绪模式。
如果CS / WAKE下降沿，
然后关机。
总线关闭状态
正常工作模式
LIN总线下降，去
低功耗模式
READY模式。
在CS / WAKE上升沿，去
以运营模式
注意：
电源接通后， CS将不会被采样直至V
REG
已stabized和附加600微秒已经经过。该
微控制器应切换CS大约1毫秒复位后，确保CS将被识别。
2007 Microchip的技术公司
DS21730F第5页
MCP6541/1R/1U/2/3/4
推挽输出亚微安比较
特点
低静态电流： 600 nA的/比较器（典型值）。
轨至轨输入： V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
CMOS / TTL兼容输出
传播延迟： 4微秒（典型值， 100 mV过载）
宽电源电压范围： 1.6V至5.5V
提供单，双和四
采用SOT -23-5 ， SC- 70-5封装*可单
片选（ CS ）与MCP6543
低开关电流
内部迟滞： 3.3毫伏（典型值）。
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6541 / 2/ 3/4系列
比较器的单提供（ MCP6541 ，
MCP6541R ， MCP6541U ） ，带片选（ CS ）
（ MCP6543 ） ，双（ MCP6542 ）和四（ MCP6544 ）
配置。输出是推挽（ CMOS / TTL到
兼容），并能够驱动高DC或
的容性负载。
这些比较器为低功耗进行了优化，单
提供操作大于轨到轨输入
操作。
该
推挽
产量
of
该
MCP6541 / 1R / 1U / 2/ 3/4系列支持轨到轨输出
摆动并与TTL / CMOS逻辑接口。内部
输入迟滞消除了输出切换，由于接口
最终输入噪声电压，减少电流消耗。在输出
把限制供电电流浪涌功耗和动态功耗
消耗的同时切换。该系列产品能操作
阿泰与单电源电压低至1.6V和
绘制静态电流小于1μA /比较器。
从相关的MCP6546 / 7/8 /9系列比较器
微芯片具有漏极开路输出。使用上拉
电阻，这些器件可以用作电平转换器为
任何期望的电压上升到10V ，并在布线 - 或逻辑。
* SC - 70-5 E-温度未能提供该版本的部分
数据表。
MCP6541U SOT- 23-5只有E-温度。
典型应用
笔记本电脑
手机
计量系统
手持式电子产品
RC定时器
报警与监控电路
窗口比较器
多谐振荡器
相关器件
开漏输出： MCP6546 / 7 /8/9
封装类型
MCP6541
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
NC
V
DD
OUT
NC
MCP6541R
SOT-23-5
出1
V
DD
2
V
IN
+ 3
5 V
SS
MCP6542
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
8
-+
7
+- 6
5
V
DD
MCP6544
PDIP ， SOIC ， TSSOP
1
2 -+ +-
3
4
14 OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
OUTA
V
INA
–
4 V
IN
– V
INA
+
V
SS
OUTA
OUTB V
INA
–
V
INB
– V
INA
+
V
DD
V
INB
+
MCP6541
SOT- 23-5 ， SC- 70-5
出1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
-
+
4 V
IN
–
MCP6541U
SOT-23-5
+
-
V
IN
– 1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
4 OUT
2006年Microchip的科技公司
-
+
MCP6543
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
CS
V
DD
OUT
NC
10 V
INC。
+
V
INB
+ 5
- + +- 9 V –
V
INB
– 6
INC。
7 OUTB
8 OUTC
DS21696E第1页
MCP6541/1R/1U/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或任何其他条件超出上述表示
本说明书中的操作列表是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
目前在模拟输入引脚（V
IN
+, V
IN
-......................... ± 2毫安
模拟输入（ V
IN
) ...................... V
SS
- 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出........... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
................... 4 kV的所有引脚（ MM HBM ） ESD保护; 400V
见
第4.1.2节“输入电压和电流
极限？
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN-
= V
SS
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （参照
图1-3 ） 。
参数
电源
电源电压
每个比较器的静态电流
输入
输入电压范围
共模抑制比
共模抑制比
共模抑制比
电源抑制比
输入失调电压
温度漂移
输入电压滞后
线性温度。公司
（注2 ）
二次温度。公司
（注2 ）
输入偏置电流
在温度（I -温度份）
温度（ E-温度部分）
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
注1 ：
2:
3:
4:
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
PSRR
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
V
HYST
TC
1
TC
2
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
SS
0.3
55
50
55
63
-7.0
—
1.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
70
65
70
80
±1.5
±3
3.3
6.7
-0.035
1
25
1200
±1
10
13
||4
10
13
||2
V
DD
+0.3
—
—
—
—
+7.0
—
6.5
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
dB
dB
dB
dB
mV
μV/°C
mV
μV/°C
μV/°C
2
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ，V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= + 85°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
T
A
= + 125°C ，V
CM
= V
SS
（注3）
V
CM
= V
SS
V
DD
I
Q
1.6
0.3
—
0.6
5.5
1.0
V
A
I
OUT
= 0
符号
民
典型值
最大
单位
条件
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
- 25 ° C） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度不用于SC - 70-5封装测试。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
DS21696E第2页
2006年Microchip的科技公司
MCP6541/1R/1U/2/3/4
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
V
IN-
= V
SS
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2 （参照
图1-3 ） 。
参数
推挽输出
高电平输出电压
低电平输出电压
短路电流
注1 ：
2:
3:
4:
V
OH
V
OL
I
SC
I
SC
V
DD
0.2
—
—
—
—
—
-2.5, +1.5
±30
—
V
SS
+0.2
—
—
V
V
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
条件
I
OUT
= -2毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 2毫安， V
DD
= 5V
V
DD
= 1.6V （注
4)
V
DD
= 5.5V （注
4)
输入偏移电压是输入参考跳变点的中心（平均值）。输入迟滞的区别
输入参考跳变点之间。
V
HYST
在不同温度下使用V估计
HYST
(T
A
) = V
HYST
+ (T
A
- 25 ° C） TC
1
+ (T
A
- 25°C)
2
TC
2
.
输入偏置电流在温度不用于SC - 70-5封装测试。
限制输出电流绝对最大额定值为30 mA 。
AC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2,
步= 200 mV时，高速= 100 mV时，和C
L
= 36 pF的（参见
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
上升时间
下降时间
传输延迟（高到低）
传输延迟（由低到高）
传播延迟偏斜
最大切换频率
输入噪声电压
注1 ：
符号
t
R
t
F
t
PHL
t
PLH
t
PDS
f
最大
f
最大
E
ni
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
0.85
0.85
4
4
±0.2
160
120
200
最大
—
—
8
8
—
—
—
—
单位
s
s
s
s
s
千赫
千赫
V
P-P
（注1 ）
V
DD
= 1.6V
V
DD
= 5.5V
条件
10赫兹至100千赫兹
传播延迟偏斜定义为：T
PDS
= t
PLH
- t
PHL
.
MCP6543片选（CS ）特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
IN
+ = V
DD
/2, V
IN
–
= V
SS
,
和C
L
= 36 pF的（参见图1-1和1-3） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高，V
DD
当前
CS输入高电平，接地电流
比较器输出泄漏
CS动态规范
CS低电平到比较器输出低
开启时间
CS高到比较器输出
高阻关断时间
CS迟滞
符号
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
DD
I
SS
I
O（泄漏）
t
ON
t
关闭
V
CS_HYST
民
V
SS
—
0.8 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
5.0
—
1
18
–20
1
2
10
0.6
最大
0.2 V
DD
—
V
DD
—
—
—
—
50
—
—
单位
V
pA
V
pA
pA
pA
pA
ms
s
V
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
SS
条件
V
OUT
= V
DD
， CS = V
DD
CS = 0.2 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
CS = 0.8 V
DD
到V
OUT
= V
DD
/2,
V
IN
– = V
DD
V
DD
= 5V
2006年Microchip的科技公司
DS21696E第3页
MCP6541/1R/1U/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 1.6V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L -SC -70
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
331
256
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在MCP6541 / 2 /3/4级温度器件可工作在扩展温度范围内，但与降低perfor-
曼斯。在任何情况下，结温（T
J
）不得超过绝对最大规范
+ 150 ℃。
1.1
测试电路CON组fi guration
此测试电路配置用于确定所述
AC和DC规格。
V
DD
200 kΩ
200 kΩ
MCP654X
200 kΩ
200 kΩ
V
OUT
36 pF的
V
IN
= V
SS
V
SS
= 0V
图1-3：
交流和直流参数测试电路
推挽输出比较器。
2006年Microchip的科技公司
DS21696E第5页
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