MCP6481/2/4
4兆赫，低输入偏置电流运算放大器
特点
低输入偏置电流
- 150 PA（典型，T
A
= +125°C)
低静态电流
- 240 μA /放大器（典型值）
低输入失调电压
- ± 1.5毫伏（最大）
电源电压范围： 2.2V至5.5V
轨到轨输入/输出
增益带宽积： 4兆赫（典型值）
压摆率： 2.7 V / μs（典型值）
单位增益稳定
无相位反转
小型封装
- 在SC70-5 ， SOT- 23-5单打
扩展级温度范围
- -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip的MCP6481 / 2/4系列的操作
放大器（运放）具有低输入偏置电流
（ 150 pA的，一般在125 ° C）和轨到轨输入和
输出操作。此系列为单位增益稳定，
有4兆赫（典型值）的增益带宽积。这些
器件具有一个单电源电压操作低至
的2.2V ，而只有图纸240 μA /放大器（典型值）
静态电流。这些特点使家庭
运算放大器非常适合用于光电二极管放大器，pH值
电极放大器，低漏放大器和电池 -
供电信号调理应用等
在MCP6481 / 2/4系列提供单
（ MCP6481 ） ，双（ MCP6482 ） ，四（ MCP6484 ）
包。所有设备均采用了先进的设计
CMOS工艺和扩展完全指定
温度范围从-40 ° C至+ 125°C 。
相关配件
MCP6471 / 2/4 ： 2兆赫，低输入偏置电流运算
安培
MCP6491 / 2/4 ： 7.5兆赫，低输入偏置电流
运算放大器
应用
光电二极管放大器器
pH电极放大器
低漏放大器
压电换能器放大器
有源模拟滤波器
电池供电信号调理
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
MAPS （ Microchip高级器件选型）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6481
SC70封装， SOT -23
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+
3
5
V
DD
4
V
IN
–
MCP6482
SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
–
2
V
INA
+
3
V
SS
4
8
V
DD
7
V
OUTB
6
V
INB
–
5
V
INB
+
MCP6482
的2x3 TDFN *
V
OUTA
1
V
INA
–
2
V
INA
+
3
V
SS
4
EP
9
8
V
DD
7
V
OUTB
6
V
INB
–
5
V
INB
+
MCP6484
SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
–
2
V
INA
+
3
V
DD
4
V
INB
+
5
V
INB
–
6
V
OUTB
7
14
V
OUTD
13
V
IND
–
12
V
IND
+
11
V
SS
10
V
INC。
+
9
V
INC。
–
8
V
OUTC
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
2012-2013 Microchip的科技公司
DS20002322C第1页
MCP6481/2/4
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
.................................................................................................................................... .....................................................6.5V
目前，在输入引脚................................................................................................................ .................................................. .... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
-)............................................................................................................... .............V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出...........................................................................................................................V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入Voltage...........................................................................................................................................................V
DD
– V
SS
输出短路电流................................................................................................................ ...................................连续
电流输出和电源引脚............................................................................................................... .............................. ± 55毫安
储存温度................................................................................................................ .....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) ................................................................................................................ ...........................+150°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ）
4千伏
注1 ：
SEE
第4.1.2节，输入电压限制。
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件超出上述表示
本说明书中的操作列表是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
表1-1：
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.2V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= +25°C,
V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kto V
L
。 （参考
图1-1） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
—
—
—
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
CMRR
V
SS
- 0.3
65
70
开环增益
直流开环增益（大信号）
A
OL
95
115
—
dB
0.2V < V
OUT
< （V
DD
– 0.2V)
V
DD
= 5.5V, V
CM
= V
SS
—
87
89
V
DD
+ 0.3
—
—
V
dB
dB
V
CM
= -0.3V至2.5V ，
V
DD
= 2.2V
V
CM
= -0.3V至5.8V ，
V
DD
= 5.5V
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
±1
8
150
±0.1
10
13
||6
10
13
||6
—
—
350
—
—
—
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
OS
V
OS
/T
A
PSRR
-1.5
—
75
—
±2.5
91
+1.5
—
—
mV
dB
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/4
V
CM
= V
DD
/4
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C
符号。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
2012-2013 Microchip的科技公司
DS20002322C第3页
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