MCP6441
450 nA的， 9 kHz的运算放大器
产品特点：
低静态电流： 450 nA（典型值）
增益带宽积： 9千赫（典型值）
电源电压范围： 1.4V至6.0V
轨至轨输入和输出
单位增益稳定
压摆率： 3V / ms（典型值）
扩展级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
小包装
描述：
该MCP6441设备是单毫微功率
运算放大器（运放） ，其具有低
静态电流（ 450 nA的典型）和轨到轨输入
和输出操作。这款运算放大器是单位增益稳定
并有9千赫（典型值）的增益带宽积。
这些器件具有单电源电压工作
低至1.4V 。这些特性使得运算的家庭
放大器非常适合于单电源，电池供电
应用程序。
在MCP6441运算放大器的设计与Microchip的
先进的CMOS工艺，并提供了5针
SC70和SOT -23封装的单。所有器件都
可以在扩展温度范围内，具有
电源电压范围为1.4V至6.0V 。
应用范围：
便携式设备
电池供电系统
数据采集设备
传感器调节
电池电流检测
模拟有源滤波器
封装类型
MCP6441
SC70-5 ， SOT- 23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
4 V
IN
–
设计辅助工具：
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi
电路设计和仿真
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
典型用途
I
DD
1.4V
to
6.0V
10Ω
100 kΩ
V
DD
MCP6441
1 MΩ
V
DD
–
V
OUT
I
DD
= -----------------------------------------
-
(
10 V/V
)
(
10
Ω
)
电池电流检测
V
OUT
加载
2010 Microchip的技术公司
DS22257A第1页
MCP6441
1.0
1.1
电气特性
绝对最大额定值
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压限制” 。
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+
, V
IN
-
) .......... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
............... ≥
4千伏; 400V
DC电气规格
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 6.0V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 1 MΩ到V
L
。 （参考
图1-1） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
—
—
—
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
DD
I
Q
1.4
250
—
450
6.0
650
V
nA
I
O
= 0, V
DD
= 5.0V
V
OL ，
V
OH
I
SC
V
SS
+20
—
—
—
±3
±22
V
DD
–20
—
—
mV
mA
mA
V
DD
= 6.0V ，R
L
= 10 kΩ
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 6.0V
A
OL
90
110
—
dB
V
OUT
= 0.1V至V
DD
-0.1V
R
L
= 10 kΩ到V
L
V
CMR
CMRR
V
SS
-0.3
60
—
76
V
DD
+0.3
—
V
dB
V
CM
= -0.3V至6.3V ，
V
DD
= 6.0V
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
±1
20
400
±1
10
13
||6
10
13
||6
—
—
—
—
—
—
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-4.5
—
65
—
±2.5
86
+4.5
—
—
mV
V
CM
= V
SS
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 125°C ，
V
CM
= V
SS
dB
V
CM
= V
SS
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2010 Microchip的技术公司
DS22257A第3页
MCP6441
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.4V至+ 6.0V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。
35%
出现次数的百分比
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
-3.5
-0.5
-4.5
-2.5
-1.5
3.5
1.5
2.5
4.5
0.5
输入失调电压（MV ）
1700样品
V
CM
= V
SS
4000
输入失调电压（ μV ）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
-500
1.3
1.5
5.5
6.0
-0.3
-0.1
共模输入电压（ V）
1.7
6.5
6.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
4.0
5.0
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
V
DD
= 1.4V
部分代表
图2-1：
输入失调电压。
图2-4：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 1.4V.
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
0.0
0.5
1.0
1.5
30%
出现次数的百分比
25%
20%
15%
10%
5%
0%
-2
-8
-6
-4
0
2
4
6
-10
8
10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
输入失调电压（ μV ）
1700样品
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 6.0V
部分代表
输出电压（V）
图2-2：
输入失调电压漂移。
图2-5：
输出电压。
2000
1600
1200
800
400
0
-400
-800
-1200
-1600
-2000
1.0
1.5
输入失调电压 -
3000
输入失调电压（ μV ）
2500
2000
1500
1000
500
0
-500
5.5
-0.5
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
6.0
共模输入电压（ V）
输入失调电压（ μV ）
V
DD
= 6.0V
部分代表
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
T
A
=
T
A
=
T
A
=
T
A
=
+125°C
+85°C
+25°C
-40°C
部分代表
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
电源电压（V）的
图2-3：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 6.0V.
图2-6：
输入失调电压 -
电源电压。
2010 Microchip的技术公司
DS22257A第5页
5.5
5.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.5
QQ：2881677436 复制
