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MCP631/2/3/5
24兆赫, 2.5毫安运算放大器
特点
增益带宽积: 24兆赫(典型值)
短路电流70 mA(典型值)
噪声: 10纳伏/ √Hz的(典型的,在1 MHz )
轨到轨输出
压摆率: 10 V / μs(典型值)
电源电流:2.5 mA(典型值)
电源: 2.5V至5.5V
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
该微芯科技公司MCP631 / 2/3/ 5系列
运算放大器具有高增益带宽
产品( 24 MHz,典型值)和高输出短路
电流(70 mA,典型值) 。有些还提供了全片
选择引脚(CS ) ,它支持的一个低功率模式
操作。这些放大器的高优化
速度快,低噪音和失真,单电源
工作模式,轨到轨输出和输入的
包括负电源轨。
该系列单( MCP631 )提供,具有单
CS引脚( MCP633 ) ,双( MCP632 )和双用
2 CS引脚( MCP635 ) 。所有器件均工作
从-40 ° C至+ 125°C 。
典型应用
驱动A / D转换器
功率放大器控制回路
条码扫描器
光电检测放大器
典型应用电路
V
DD
/2
V
IN
R
1
R
3
MCP63X
高增益功率驱动器
R
2
V
OUT
R
L
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP631
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP632
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
MCP633
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP635
MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
CS
A
5
10 V
DD
9 V
OUTB
8 V
INB
7 V
INB
+
6 CS
B
MCP632
3×3 DFN *
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
V
OUTA
V
INA
V
INA
+
V
SS
CS
A
1
2
3
4
5
MCP635
3×3 DFN *
10
V
DD
9
8
7
6
V
OUTB
V
INB
V
INB
+
CS
B
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS22197A第1页
MCP631/2/3/5
注意事项:
DS22197A第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP631/2/3/5
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
V
DD
– V
SS
.......................................................................6.5V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+和V
IN
–) . V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出.......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚.......................... ± 150毫安
储存温度...................................- 65 ° C至+ 150°C
马克斯。结温........................................ + 150°C
所有引脚的ESD保护( HBM , MM )
................≥
1千伏, 200V
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
表1-1:
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/3,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 2 kΩ到V
L
和CS = V
SS
(参照
科幻gure 1-2) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调电压漂移
电源抑制比
输入电流和阻抗
输入偏置电流
整个温度范围
整个温度范围
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
A
OL
A
OL
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
-8
61
V
SS
0.3
63
66
88
94
V
SS
+ 20
V
SS
+ 40
±40
±35
2.5
1.2
典型值
±1.8
±2.0
76
4
100
1500
±2
10
13
||9
10 ||2
78
81
115
124
±85
±70
2.5
13
最大
+8
5,000
V
DD
1.3
V
DD
20
V
DD
40
±130
±110
5.5
3.6
单位
条件
mV
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
mV
mV
mA
mA
V
mA
空载电流
(注1 )
V
DD
= 2.5V, V
CM
= -0.3 1.2V
V
DD
= 5.5V, V
CM
= -0.3 4.2V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 0.3V至2.2V
V
DD
= 5.5V, V
OUT
= 0.3V至5.2V
V
DD
= 2.5V ,G = 2 ,
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 5.5V ,G = 2 ,
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 2.5V
(注2 )
V
DD
= 5.5V
(注2 )
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
2:
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
SEE
图2-5
对温度的影响。
在我
SC
规格仅供设计参考;他们没有经过测试。
2009年Microchip的科技公司
DS22197A第3页
MCP631/2/3/5
表1-2:
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 2 kΩ到V
L
, C
L
= 50 pF和CS = V
SS
(参照
科幻gure 1-2) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
开环输出阻抗
AC失真
总谐波失真加噪声
阶跃响应
上升时间,10%至90%的
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
符号
增益带宽积
PM
R
OUT
THD + N
典型值
24
65
20
0.0015
最大
单位
兆赫
°
Ω
%
G = +1
条件
G = 1 ,V
OUT
= 2V
P-P
, F = 1 kHz时,
V
DD
= 5.5V , BW = 80 kHz的
G = 1 ,V
OUT
= 100 mV的
P-P
G = +1
F = 0.1赫兹到10赫兹
t
r
SR
E
ni
e
ni
i
ni
20
10
16
10
4
ns
V / μs的
V
P-P
内华达州/ √Hz的F = 1兆赫
FA / √Hz的F = 1千赫
表1-3:
数字电气规范
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 2 kΩ到V
L
, C
L
= 50 pF和CS = V
SS
(参照
图1-1
科幻gure 1-2) 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限,低
CS输入电流,低
CS高规格
CS逻辑门限,高
CS输入电流,高
GND电流
CS内部下拉电阻
放大器输出泄漏
CS动态规范
CS输入滞后
CS高到功放关断时间
(输出变为高阻)
CS低电平到放大器的开启时间
符号
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
SS
R
PD
I
O(泄漏)
V
HYST
t
关闭
t
ON
V
SS
0.1
0.2V
DD
V
nA
CS = 0V
0.8V
DD
-2
0.7
-1
5
50
V
DD
10
V
A
A
nA
CS = V
DD
, T
A
= +125°C
CS = V
DD
0.25
200
2
V
ns
s
G = + 1V / V ,V
L
= V
SS
CS = 0.8V
DD
到V
OUT
= 0.1(V
DD
/2)
G = + 1V / V ,V
L
= V
SS
,
CS = 0.2V
DD
到V
OUT
= 0.9(V
DD
/2)
DS22197A第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP631/2/3/5
表1-4:
温度参数
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
电气特性:
V :除非另有说明,所有参数适用于指定
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ,V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
-40
-40
-65
典型值
60
149.5
57
202
最大
+125
+125
+150
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
(注2 )
(注2 )
(注1 )
条件
封装热阻
热阻,8 -3X3 DFN
热阻,8 - SOIC
热阻, 10L -3X3 DFN
热阻,10 - MSOP
注1 :
2:
工作时,不能将造成T
J
超过最大结温规范( + 150 ° C) 。
上测量标准JC51-7 , 4层印刷电路板与地平面和过孔。
1.3
时序图
0.1 nA的
(典型值)
V
IL
t
ON
V
OUT
高-Z
-1 A
(典型值)
On
-2.5毫安
(典型值)
V
IH
t
关闭
高-Z
-1 A
(典型值)
公式1-1:
G
DM
= R
F
R
G
G
N
=
1 +
G
DM
V
CM
= V
P
(
1 – 1
G
N
)
+
V
REF
(
1
G
N
)
V
OST
= V
IN-
V
IN +
V
OUT
= V
REF
+
(
V
P
V
M
)G
DM
+ V
OST
G
N
其中:
G
DM
=差模增益
G
N
=噪声增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
(V/V)
(V/V)
(V)
(毫伏)
I
CS
CS
0.7 A
(典型值)
0.7 A
(典型值)
I
SS
图1-1:
时序图。
C
F
6.8 pF的
R
G
10 kΩ
V
P
V
IN +
MCP63X
V
IN-
V
M
R
G
10 kΩ
R
F
10 kΩ
C
F
6.8 pF的
R
L
2 kΩ
C
L
50 pF的
V
OUT
C
B1
100 nF的
R
F
10 kΩ
1.4
测试电路
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-2 。
它独立设置V
CM
和V
OUT
;看
公式1-1 。
该电路的共模电压
(V
P
+ V
M
)/ 2 ,不是V
CM
. V
OST
包括V
OS
温度, CMRR , PSRR和A的影响
OL
.
V
REF
= V
DD
/2
V
DD
C
B2
2.2 F
V
L
图1-2:
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
2009年Microchip的科技公司
DS22197A第5页
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